Кристаллическая решетка дислокации

Дальнейшим развитием молекулярно-кинетической теории роста и растворения кристаллов является дислокационная теория. Теория несовершенного роста кристаллов, или теория дислокаций [363— 368], является современной теорией и претендует на наиболее полное описание роста кристаллов из газовой фазы. Она объединяет все лучшее из существовавших до нее теорий. Основная идея ее заключается в том, что плоским двумерным зародышем новых атомарных или молекулярных слоев является дислокация — чисто геометрическое нарушение в кристаллической решетке. Дислокация обеспечивает наличие готовых ступеней на поверхности грани кристалла независимо от расстояния продвижения ступеньки, благодаря чему рост кристаллической грани становится непрерывным, так как разрастание слоя происходит достаточно быстро и считается, что оно не лимитирует скорости кристаллизации. [c.96]

Метод дифференциальной емкости можно использовать для определения нулевых точек любых металлов, однако в случае твердых металлов появляются осложнения, значительно затрудняющие интерпретацию полученных результатов. Затруднения связаны с тем, что многие твердые металлы, в частности все металлы железной и платиновой групп, способны адсорбировать и окклюдировать значительные количества водорода или кислорода. Это должно влиять и на величину дифференциальной емкости двойного слоя, и на характер изменения ее хода с потенциалом. Кроме того, твердые металлы обладают обычно неоднородной поверхностью наличием микропор, трещин, нарушений идеальной кристаллической решетки (дислокациями) и т. п. Поэтому потенциал минимума дифференциальной емкости твердого металла не всегда можно отожествить с его потенциалом нулевого заряда. Наиболее надежные данные получены для таких мягких металлов, как свинец, цинк, кадмий и таллий, поверхность которых по своим свойствам наиболее близка к поверхности ртути. [c.256]

Изменение электрохимических характеристик анодного процесса следует связывать с тем, что при превышении предела текучести начинается пластическое формоизменение образца с образованием линейных дефектов кристаллической решетки — дислокаций. Потенциальная энергия атомов в ядре таких дислокаций увеличивается в десятки и сотни раз по отношению к недеформированному состоянию, а возникающие ступеньки скольжения металла значительно увеличивают площадь поверхности контакта с коррозионной средой. [c.71]

Число субмикроскопических дефектов в металле (их еще называют дефектами кристаллической решетки — дислокации, вакансии и т.п.) очень велико. В сечение 1 см попадает 10 —10 дислокаций. [c.106]

Так как теория роста несовершенных кристаллов подразумевает дислокационный механизм, полезно кратко ознакомиться с природой дислокаций в кристаллической решетке. Дислокации относятся к линейным нарушениям в кристаллах, решетка которых имеет дефекты ориентации. Дислокации важны при росте кристаллов потому, что они возникают на растущей поверхности кристаллов. [c.196]

В анализе изображений ряда дефектов кристаллической решетки (дислокаций, дефектов упаковки) кинематическая теория рассеяния дает качественно правильную картину контраста, хотя многие эффекты (например, сложный вид изображения дислокационных линий, отсутствие взаимодополнения светло- и темнопольных изображений дефектов упаковки) требует [c.485]

Метод дифференциальной емкости можно использовать для определения нулевых точек любых металлов, однако в случае твердых металлов появляются осложнения, значительно затрудняющие интерпретацию полученных результатов. Затруднения связаны с тем, что многие твердые металлы, в частности все металлы железной и платиновой групп, способны адсорбировать и окклюдировать значительные количества водорода или кислорода. Это должно влиять и на величину дифференциальной емкости двойного слоя, и на характер изменения ее хода с потенциалом. Кроме того, твердые металлы обладают обычно неоднородной поверхностью наличием микропор, трещин, нарушений идеальной кристаллической решетки (дислокациями) и т. п. Поэтому потенциал мини- [c.254]

Неоднородность строения полимеров не может не отразиться на их механических свойствах, подобно тому, как неоднородности низкомолекулярных кристаллов (в данном случае нарушения в кристаллической решетке — дислокации) сильно влияют на их механические свойства. Это влияние проявляется в том, что вследствие существования дислокаций реальные кристаллы способны пластически деформироваться и разрушаться под действием напряжений, значения которых на несколько порядков меньше, чем предел прочности идеальных кристаллов. Более того, оказывается, что в случае полимеров структурная неоднородность является одним из необходимых условий, обеспечивающих их способность к пластической деформации [23, 24]. [c.7]

Второй член отражает сорбционную неоднородность твердой фазы и учитывает, что примесь в соизмеримых количествах способна накапливаться различными структурными элементами твердой фазы регулярными участками кристаллической решетки, дислокациями, межкристаллитными границами, трехмерными включениями материнской фазы, отрицательными кристаллами, участками у поверхности кристаллов. Приближенно можно принять, что захват примеси происходит аддитивно всеми структурными элементами, так что количество примеси в твердой фазе определится равенством [c.53]

Напомним, как в настоящее время представляется флуктуа-ционное перемещение другого линейного дефекта в кристаллической решетке — дислокации. Это происходит путем возникновения элементарного двойного перегиба (рис. 56) с последующим его расширением в обе стороны вдоль по линии дислокации. [c.124]

Распад твердых растворов, как и прочие гетерогенные реакции, происходит в два этапа 1) образование зародышей новой фазы, 2) процесс роста кристаллов новой фазы. Уже отмечалось, что процесс образования зародышей может быть описан как серия последовательных бимолекулярных реакций и носит статистический характер. Кинетика реакций в пересыщенных твердых растворах, очевидно, зависит от скорости диффузии компонентов, которая в свою очередь зависит от природы, концентрации и распределения дефектов. Места крупных нарушений в кристаллах, например области, окружающие дислокации, являются местами наибольшего скопления примесей, где энергия активации их диффузии примерно в два раза меньше, чем в здоровых частях кристалла. Поэтому можно считать, что местами преимущественного выделения частиц новой фазы будут места нарушений кристаллической решетки дислокации, границы зерен, области скопления вакансий или примесей. [c.375]

Строго говоря, полная растворимость зависит еще от плотности внутренних дефектов кристаллической решетки дислокаций, вакансий, инородных атомов, обладающих своей удельной растворимостью. [c.101]

Ввиду того что используемые в опытах кристаллы германия не являются идеальными и имеют нарушения кристаллической решетки (дислокации) и отдельные скопления примесных атомов, существуют условия для возникновения местной дополнительной генерации дырок и электронов в сильных электрических полях на границе с электролитом. Такая генерация искажает форму поляризационной кривой на участке тока насы- [c.41]

Линейные дефекты кристаллической решетки — дислокации — благодаря присущей им мозаичной структуре вызывают заметное расширение линий дебаеграмм и поэтому довольно легко могут быть обнаружены рентгеновскими методами [И]. Образование дислокации в кристалле наглядно проявляется в его пластической деформации, которая происходит волнами с нарушением правильности строения решетки в узкой области. Решетка кристалла у центра дислокации сильно искажена механическими напряжениями и атомы смещены с их нормальных положений [14 [c.11]

Для выяснения судьбы фотоэлектронов в галогеносеребряных кристаллах значительный интерес представляют работы о влиянии различного род местных нарушений в структуре кристаллической решетки (дислокации, трещины, загрязнения) на ход фотопроцессов. [c.24]

Последующие теоретические и экспериментальные исследования показали, что теплопроводность в области максимума очень чувствительна к наличию различных дефектов в кристаллической решетке (дислокаций, примесей, точечных дефектов и др.), которые являются источником дополнительного рассеяния фононов [51]. [c.67]

Известно, что при кристаллизации из жидкого состояния кристаллическая решетка металлов не отвечает идеально упорядоченному состоянию (обнаруживается ряд дефектов). Такими являются узлы решетки, не занятые ионами (дырки), искривлеиие плоскостей кристаллической решетки (дислокации) и т. д. Длительное нагревание металла упорядочивает решетку кристаллов [c.107]

Более крупный линейный дефект кристаллической решетки — дислокация (от позднелат. ШосаНо — смешение, перемещение). Это линейное несовершенство [c.172]

Необходимо помнить, что новыми материалами являются не только впервые синтезированные, ранее неизвестные соединения, но и многие широко применяемые металлы и различные соединения в состоянии высокой чистоты. Хорошо известно, что глубокая очистка часто придает веществу новые необычные свойства. Вместе с тем сравнительно недавно было установлено, что нару-игения кристаллической решетки (дислокации, дефекты) в ряде случаев весьма отрицательно сказываются на свойствах большинства веществ. [c.5]

Однако рост кристаллической поверхности при обязательном возникновении центра кристаллизации за счет диффузии вещества из граничного слоя не оправдался на практике реальные кристаллы растут во много раз быстрее, чем это может быть разрешено классическим представлением о росте кристалла. Расхождение теории и практики нашло объяснение в дефектности (несовершенности) реальных кристаллов. Дефекты могут быть трех типов это места некоторых атомов (ионов) в кристаллической решетке, занятые чужеродными атомами (ионами) чужеродные атомы (ионы) или атомы основного вещества, располагающиеся в междуузлиях чисто геометрические нарушения в кристаллической решетке (дислокации). [c.16]

Электронная микроскопия позволяет установить ряд важных характеристик материала — форму и размеры частиц исследовать морфологию образца (расположение фаз и структурных составляющих) определить дефекты кристаллической решетки (дислокации, степень упаковки). Современные электронные микроскопы с помощью дополнительных устройств и приставок могут осуществлять рентгеновский сфуктурный анализ, элекфонофафические исследования и другие потребности физико-химического анализа. [c.302]