Таммана фаз Гиббса

Образование зародышей новой фазы происходит в результате флуктуаций, т. е. самопроизвольного отклонения от равновесного распределения молекул и временного скопления небольшого количества молекул в отдельных участках старой фазы. В тех случаях, когда новая фаза термодинамически более устойчива, чем старая, существует некоторый критический размер зародышей, могущих участвовать в образовании новой фазы. Зародыши меньшего размера, чем критический, имеют тенденцию к исчезновению. Теория процессов, связанных с образованием новых фаз, разработана Гиббсом, Фольмером, Френкелем, Тамманом, Даниловым и др. [c.264]

В конце XIX и начале XX в. формируется новый раздел химии — физико-химический анализ. Основоположниками нового направления были Гиббс, Ван-дер-Ваальс, Розебом , Тамман , Д. И. Менделеев, Д. П. Коновалов, Н. С. Курнаков. Особая заслуга акад. Кур-накова состоит в том, что он разработал основы геометрического анализа диаграмм состояния и создал крупнейшую в мире школу физико-химического анализа. Основная задача этого раздела химии [c.322]

М. В. Ломоносов обращал внимание на важность использования различных физических приборов и математических методов для развития химической науки. Инструментальные методы в дальнейшем получили широкое развитие в исследованиях Д. И. Менделеева и Д. П. Коновалова. В конце XIX и начале XX в. Н. С. Курнаков и Г. Тамман создали физико-химический анализ на основании теоретических исследований Вант-Гоффа, Д. В. Гиббса и Ле Шателье. [c.448]

Основы физш >-химического анализа. В конце XIX и начале XX в. формируется новый раздел химии — физико-химический анализ. Основоположниками нового направления были Гиббс, Ван-дер-Ваальс, Розебом, Тамман, Д.И.Менделеев, Д.П.Коновалов, Н.С.Курнаков. Особая заслуга акад. Курнакова состоит в том, что он разработал основы геометрического анализа диаграмм состояния и создал крупнейшую в мире школу физико-химического анализа. Основная задача этого раздела химии состоит в измерении физических свойств системы, находящейся в состоянии равновесия, при последовательном изменении ее состава. Результатом такого исследования является диаграмма состав — свойство, представляющая собой геометрическое отражение процессов, которые протекают в системе. Геометрический анализ диаграмм состав — свойство, сочетая в себе наглядность и универсальность, позволяет определить число образующихся в системе фаз, их природу, области их существования и особенности взаимодействия между ними. Это обусловлено возможностью наблюдения за изменениями в системе в процессе химического взаимодействия, не выделяя образующиеся фазы для исследования. Таким образом, химия получила метод, при помощи которого открываются пути непосредственного изучения химических процессов, что представляет собой качественно новую ступень в познании природы вещества. [c.192]

Первая детальная попытка описать кинетику роста кристалла была предпринята на модели однокомпонентного совершенного кристалла, построенного из малых молекул и растущего из газовой фазы. Предполагаемые при этом процессы схематически изображены на рис. 6.4. Основная идея этой модели заимствована из работы Гиббса (разд. 6.1.1). Тамман [368], Фольмер [382], Коссель [219], Стран-ски [359], Бекер и Дёринг [30], Френкель [105] и Бартон и Кабрера [54] разработали необходимый формализм для описания макроскопически наблюдаемой скорости роста в терминах предполагаемых микроскопических процессов. Б простейшей форме такой процесс крис-таллизатдии включает слудующие стадии а) адсорбция на поверхности, б) двумерная диффузия к растущей кромке, в) встраивание в растущую кромку, г) одномерная диффузия к углу и д) кристаллизация. Противоположными этим пяти стадиям являются стадии испарения. [c.161]

Попытки создать более детальную модель плавления мелких кристаллов и теоретически описать этот вопрос основывались обычно на использовании уравнения Томсона - Гиббса (разд.-11.1.3)./Тамман [228] и Майсснер [156] на примере кристаллов, таких низко молекулярных соединений, как азобензол, миристиновая кислота и эфиры стеариновой кислоты, показали, что уменьшение температуры плавления с уменьшением толщины ламели может быть количественно описано при помощи уравнения Тшсша - Гиббса. Указанные авторы осуществляли кристаллизацию в пустотелом клине, что позволяло им ограничивать толщину ламелей. По положению фронта плавления, продвигавшегося по [c.191]

Согласно Тамману, при температуре выше 100"С и повышенных давлениях и онокл — ромб = 0>4 см . Следовательно, при повышении давления энергия Гиббса моноклинной серы будет увеличиваться быстрее, чем у ромбической, и поэтому А Сх, будучи при низких давлениях отрицательным, должно с ростом р изменить знак, пройдя через нуль. По данным последней строки табл. 16 (Т = 368,6 К) определяемД5 = = иоаокл — 5ро б = 0,26 э. е. и, применяя первое приближение [c.153]

В соответствии с законом Коновалова — Гиббса (см. 111.24) упругость пара в испарителе должна быть выше, чем в зоне кристаллизации Т Т = Т2 — Т1 позволяет управлять разностью упругостей пара, а значит скоростью переноса вещества к зоне и скоростью роста кристалла. При этом температура Т[ обычно должна быть строго уточнена, ибо она в первую очередь определяет качество кристалла. При слишком низкой Т скорость переползания атомов недостаточна для уничтожения дефектов. Ориентировочно можно принять вместе с Тамманном, что скорости переползания атомов по [c.450]

В соответствии с законом Коновалова—Гиббса (см. П1.24) упругость пара в испарителе Тг должна быть выше, чем в зоне кристаллизации Ti АТ = Тг— Ti позволяет управлять разностью упругостей пара, а значит скоростью переноса вещества к зоне Т и скоростью роста кристалла. При этом температура Ti обычно должна быть строга уточнена, ибо она в первую очередь определяет качество кристалла. При слишком низкой Т скорость переползания атомов недостаточна для уничтожения дефектов. Ориентировочно можно принять вместе с Тамманном, что скорости переползания атомов по поверхности кристаллов, достаточные для активной рекристаллизации, достигаются при абсолютных температурах, равных примерно 50—60% от абсолютной температуры плавления вещества (в зависимости, добавим, и от характера химической связи более ковалентная связь с направленными валентностями требует более высоких температур Ti). Обозначим такую оптимальную температуру Тот К. Увеличивая Тг при Т = onst, можно повысить скорость переноса вещества кристалла и значит скорость роста. Однако с увеличением скорости переноса вещества в зону T l наступает предел, когда дальше скорость переползания атомов при Tj снова оказывается недостаточной для устранения дефектов в растущем кристалле и их концентрация начнет резко увеличиваться. С этого момента неминуемо увеличение Tj, что схематически показано на рис. VHI.59. Температура Ti важна не только с точки зрения получения бездефектного кристалла, но и в связи с про- [c.619]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология