Гелий схема уровней

Низкотемпературное охлаждение уменьшает шумы, возникающие вследствие самопроизвольного перехода частиц на нижний уровень с излучением кванта энергии. Парамагнитные квантовые усилители могут эффективно работать лишь при температурах жидкого гелия и более низких. Принципиальная схема системы дальней связи, использующей квантовый усилитель для спутника связи, видна на рис. 135, а. [c.262]

Спектры других инертных газов (неона, аргона, криптона, ксенона) имеют строение, несколько отличное от спектра атома гелия. Это объясняется тем, что во внешней электронной оболочке атомы этих элементов имеют уже восемь электронов, из них два 5-электрона и шесть р-электронов. Схема энергетических уровней атома неона приведена на рис. 3. Основным уровнем неона является уровень 152, 22/ 5о, расположенный очень глубоко значительно выше него (на 16,5—16,8 эв) расположены четыре близких уровня Р, Ро, Ри соответствующие электронной конфигурации 15 2522 35 , из которых уровни зРо и зРг являются метастабильными. Переход атома с уровней Р и Р] на нормальный уровень 5о ведет к испусканию двух резонансных линий неона, лежащих в крайней ультрафиолетовой области А, 744 и 736 А. Выше этих 2р 3з уровней расположена группа из 10 уровней, энергия которых 18,3—18,9 эв. Согласно схеме Рессель—Саундерса уровни обозначаются символами з5ь зДз, 2, зДь >2, Р, Р >, Рч-. Р и 15о (электронная конфигурация 8 25 2р=3р). В результате переходов с этих уровней на нижние возникает группа очень [c.12]

Порядок заполнения уровней отвечает их расположению на схеме (см. рис. 16). Чем ниже расположен уровень, тем раньше он заполняется при переходе к атомам с большим числом электронов. Тэк, у атома гелия (2 электрона) полностью заполнен [c.38]

Газы подбирают таким образом, чтобы рабочий газ (неон) имел подходящую схему уровней, а вспомогательный (гелий) — возможно большее время жизни на возбужденном уровне. Возбужденные атомы гелия сталкиваются с атомами неона, находящимися в основном состоянии, и передают им свою энергию. В результате атомы неона переходят на уровень 25 (а не на другой, так как в этом случае перераспределение энергии при столкновении двух атомов происходит с минимальным изменением общей внутренней энергии). Преобла-дание переходов атомов неона на уровень 25 приводит к значительной инверсии населенностей уровней 25 и 2Р, в результате чего и возникает индуцированное излучение. [c.438]

Проведенный анализ показывает, что относительно простая схема удовлетворительно описывает сущность процессов, протекающих в Не—Ne плазме при давлении гелия около 1 мм рт. ст. и небольших добавках неона. Уровень Ззг неона при этих условиях возбуждается практически целиком за счет ударов второго рода, однако величина сечения резко отличается от общепринятой. Детальный анализ зависимости заселенности уровней гелия и неона от состава смеси и ее давления позволяет найти скорость тушащих процессов в чистом гелии и оценить величину сечения электронного возбуждения уровня Ne(3s2). [c.177]

На рис. 26 стрелками, соответствующими электронным переходам с одного уровня на другой, показано возникновение линий важнейших серий гелия. Тот факт, что термы парагелия не комбинируются с термами ортогелия, согласно этой схеме, объясняется тем, что никогда электрон сам по себе не переходит с энергетического уровня парагелия на энергетический уровень ортогелия, и наоборот. Схема поясняет также, в чем смысл ограничений комбинационного принципа, упомянутых на стр. 120. Как видно, электронные переходы происходят только в тех случаях, когда побочное квантовое число к изменяется лишь на единицу или вообще не изменяется. Здесь не будут подробно описаны другие ограничения комбинационного принципа правилами отбора . На примере гелия видно. [c.124]

Простейшей атомной системой с двумя валентными электронами является нейтральный атом гелия. Как мы видели, его термы распадаются на две группы одиночные и триплетные. Нормальным состоянием нейтрального атома гелия является одиночное состояние ЬЬ Зц второе формально возможное состояние не осуществляется, так как оно противоречит принципу Паули. При возбуждении атома или иона с двумя валентными электронами наиболее часто возникают состояния, при которых лишь один из двух электронов переведен на энергетически более высокий уровень, второй же остается на нормальном уровне 1з. Схема 5 дает такие возможные состояния атома гелия и соответствующие им термы. Цифры в первых трех графах указывают число электронов, находящихся в данном состоянии. [c.160]

Технологическая схема одного из таких блоков разделения приведена на рис. 3. 24. Очищенный и осушенный природный газ под давлением 32 ат поступает в теплообменник /, где охлаждается до температуры —50° С, после чего вводится в сепаратор 2 здесь отделяются сконденсировавшиеся тяжелые углеводороды, которые выводятся из нижней части сепаратора 2 и присоединяются к обратному потоку газа, выходящему из установки после извлечения гелия. Удаление тяжелых углеводородов при охлаждении до указанной температуры необходимо во избежание вымерзания их при дальнейшем охлаждении газа, что может привести к закупориванию каналов теплообменника. Температурный уровень, на котором производится отделение углеводородов в сепараторе, [c.167]

Второй период системы открывают литий и бериллий, у которых внешний энергетический уровень содержит лишь -электроны. Для этих элементов схема молекулярных орбиталей ничем не будет отличаться от энергетических диаграмм молекул и ионов водорода и гелия, с той лишь разницей, что у последних она построена из 1 -электронов, а у Ь12 и Ве -из 2 -электронов. 1 -электроны лития и бериллия можно рассматривать как несвязывающие, т.е. принадлежащие отдельным атомам. Здесь будут наблюдаться те же закономерности в изменении порядка связи, энергии [c.58]

На рис. 26 стрелками, соответствующими электронным переходам с одного уровня на другой, показано возникновение линий важнейших серий гелия. Тот факт, что термы парагелия не комбинируются с термами ортогелия, согласно этой схеме, объясняется тем, что никогда электрон сам по себе не переходит с энергетического уровня парагелия на энергетический уровень ортогелия, и наоборот. Схема поясняет также, в чем смысл ограничений комбинацйонного принципа, упомянутых на стр. 134. Как видно, электронные переходы происходят только в тех случаях, когда побочное квантовое число к изменяется лишь на единицу или вообще не изменяется. Здесь не будут подробно описаны другие ограничения комбинационного принципа правилами отбора . На примере гелия видно, как, не зная модели атома, сопоставлением результатов спектральных исследований с результатами измерений методом электронного удара можно найти, даже в сложных случаях, совершенно точное положение энергетических уровней атома. [c.139]

Из рассмотрения табл. 1 видно, что первые два элемента периодической системы (водород и гелий) имеют соответственно один или два электрона на оболочке 15 следующий ряд состоит из элементов с заполненной оболочкой Ь и возрастающим числом электронов на оболочке с /г=2, на которой может находиться до 8 электронов (у неона она полностью заполнена). Следующий ряд состоит из восьми элементов вместо 18, предсказываемых нашей схемой, но эту особенность можно легко объяснить. Вначале электроны заполняют уровни 35 и Зр, образуя следующий ряд периодической системы, состоящий из 8 элементов затем электроны заполняют уровень 45, образуя два элемента (типичные щелочной и щелочноземельный металлы калий и кальций) и открывая, таким образом, новый период. Лишь после этого начинает заполняться электронами оболочка 3с1 и образуются переходные элементы периодической системы (от скандия до цинка). Дальше начинает заполняться уровень 4р, что приводит к образованию элементов, сходных с элементами серии А1...Аг. Следовательно, хотя у всех элементов вплоть до криптона на первых четырех оболочках расположены соответственно 2, 8, 18, 8 электронов, длины периодов равняются 2, 8, 8, 18 злемен- [c.36]

Схема опыта представлена на фиг. 276. Сосуд Л содержит гелий, находящийся под пониженным давлением при температуре Т . Сосуд А находится в тепловом контакте с резервуаром, температура которого равна Т . Теп.тювой контакт осуществляется через металлическую стенку, соприкасающийся с ней жидкий гелий, частично заполняющий сосуд В, и через стенки сосуда В, верхняя часть которых находится при тем-пературе Т . Внутри В помещается система нейзильберовых трубок г, которая снизу оканчивается горизонтальным флян-, цем. Верхние концы трубок соприкасаются с резервуаром температуры Т . Перемещая уровень гелия в В, флянец можно или погружать в жидкость или держать над уровнем жидкости. 1 Теплопередача через стенки сосуда В и трубки , происходящая, главным образом за счет движения пленки, должна зависет от количества пленки, оседающей на поверхности трубок [c.522]

В новом магнитометре, сконструированном фирмой 2-G Enterprises и пригодном для биомагнитных применений, используется схема с горизонтальным доступом, аналогичная описанной выше, но расход жидкого гелия снижен до 0,17 л/сутки, а уровень шума доведен до 10 А-м (рис. 4.17). Такая система, вмещающая 100 л гелия, может работать при одной заливке в течение более чем 500 суток. [c.189]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология