Контрастная интерференция III

Ошибочная интерпретация структуры образцов может объясняться не только тем, что вещество изменяется под влиянием перегрева электронными лучами, но и некоторыми особыми свойствами электронно-микроскопического изображения, зависящими от физических условий самой электронной оптики к явлениям, которые вызывают ошибочную интерпретацию, относятся вторичное изображение, контрастная интерференция и швы границ первые два случая встречаются при кристаллическом материале. [c.280]

При различном наклонении азимута плоскостей кристалла к оси микроскопа и вследствие изогнутых поверхностей кристалла довольно часто наблюдаются явления контрастной интерференции, включающие контрасты интенсивности . При изменении угла между осью микроскопа и перпендикуляром к плоскости кристалла интенсивность интерференции центрального электронного луча будет периодически изменяться даже при очень малых углах 1(около 10 радиана). Поэтому яркость изображения кристалла также будет меняться . В электронно-микроскопическом изображении тонких кристаллических плиток часто наблюдаются темные полосы или муаровые узоры . Они объясняются легким сдвигом или изгибом кристаллической решетки вследствие механических или температурных напряже-ний или действия падения электронных лучей под слегка различными углами в небольшом диапазоне апертуры радиации, влияющей на структурные плоскости . [c.281]

Указанный метод не изменяет разрешающей способности микроскопа, но чувствительность его возрастает, а слабые включения прозрачных объектов, невидимые в светлом поле, дают контрастную интерференцию с фоном и становятся видимыми. [c.42]

Пластины эталона изготавливаются из стекла или плавленого кварца их толщина обычно 5—15 мм, а диаметр 20—60 мм. Пластины не должны быть плоскопараллельными, иначе на интерференционную картину, даваемую эталоном, наложатся кольца, образовавшиеся в результате отражения интерференционной картины от поверхностей пластин, а также вследствие интерференции лучей в плоскопараллельной пластине. Эти кольца могут создать помехи при измерениях. Поэтому поверхности пластин образуют угол в 1—2°. Точность изготовления не покрытых отражающим слоем поверхностей не должна быть чрезмерно высокой. Вполне достаточна точность, требуемая при изготовлении обычной проектирующей оптики, т. е. та Х/2. Точность же изготовления отражающих поверхностей должна быть чрезвычайно большой, так как именно ошибки этих поверхностей ограничивают разрешающую силу и контрастность современных эталонов. [c.176]

Изменение п приводит к увеличению или уменьшению радиуса колец (порядка интерференции), который, благодаря большой контрастности колец, может определяться с большой точностью. Это и определяет высокую точность интерферометра Фабри — Перо, полученную, например, в [11]. Недостатком интерферометра является узкий диапазон измерения и необходимость использования строго монохроматического источника света. [c.219]

Изменение п приводит к увеличению или уменьшению радиуса колец (порядка интерференции), который, благодаря большой контрастности колец, может определяться с большой точностью. Это и определяет высокую точность интерферометра Фабри — Перо, который может быть использован для аттестации образцовых мер показателя преломления из оптических стекол с погрешностью до Ы0 (при абсолютных измерениях) [4] . Недостатком интерферометра является узкий диапазон измерения и необходимость использования строго монохроматического источника света. [c.193]

Сложный эталон (мультиплекс). Если пропустить световой пучок через два последовательно расположенных эталона, толщины которых находятся в простом кратном отношении, то можно получить существенный выигрыш в разрешающей способности и контрастности. Постоянная такой системы АХ будет определяться более тонким эталоном, разрешающая способность — более толстым. Такая система называется мультиплексом (рис. 6.17). В том случае, когда оба эталона расположены достаточно далеко друг от друга, можно не учитывать интерференции лучей, идущих между эталонами (пунктир на рис. 6.17). При этом инструментальный контур системы из двух эта- [c.180]

Схематическое изображение слоистого роста приведено на рис. 36, а. Дамьянович, Пауиович и Бокрис [99] смогли исследовать детальную кинетику распространения ступеней и слоистого роста, используя метод контрастной интерференции Нормарского и интерферометрии в ячейке, которая позволяла проводить непрерывное наблюдение в процессе роста [113] (раздел XIX). В результате были сделаны следующие выводы [c.331]

Рис. 10. а-латунь, содержащая б7 о u, элсжтрополированнал в ортофосфорной кислоте (уд. в. 1,44) при напряжении 1,75 в Исследование вели r a аппарате Номарского (контрастная интерференция в поляризованном свете). Х2000 л- -отожжена, б — растяжение 13,75 кг, мм (удлинение 6%) s —растя-же (ИО 18,30 кг мм (удлинение 15.г-—растяжение до появлеиия трещин (35 кг/мм )-, o — прокатка до уменьшения толщины на 70% е — разрушение при переменной нагрузке (266 ООО циклов Бри 13 кг. мм-). Блестящая линия справа является концом микроусталостной трещины. [c.41]

Наибольшая сила взаимодействия и простота расчета (см. ниже) делают интересным объектом исследования металлы. Более простым в методическом отношении является случай металл—прозрачный диэлектрик, так как при этом можно сохранить оптический метод измерения зазора. В соответствующих опытах брали линзу из кварцевого стекла, а кварцевую пластинку покрывали (испарением в вакууме) хромом. Сравнительно небольшой коэффициент отра-ткепия света от поверхности хрома позволяет наблюдать достаточно контрастные кольца интерференции в зазоре между поверхностями тиеталла и кварца. [c.64]

Иначе оценивались перспективы изучения структуры кристаллов. Вследствие правильного расположения атомов или молекул и возникновения отражений Вульфа — Брегга от плоскостей криста.плической решетки требования к разрешающей способности прибора снижаются. Нирс [5] указывает, что, согласно динамической теории интерференции, при прохождении электронных лучей через кристаллическую решетку будут иметь место многократное преломление, колеблющаяся с толщиной кристалла проницаемость и селективная (в зависимости от направления пучка) абсорбция. Поэтому при соответствующих толщинах кристалла следует ожидать появления на электронных микрофотографиях поразительно контрастных изображений кристаллической решетки. [c.188]

А fio]. Для контроля поверхностей подложек также используются такие методы оптической микроскопии, как светоразделительная микроскопия, многолучевая интерференция и фазово-контрастная микроскопия (интерференция с использованием поляризованного света и двулучепреломляющей призмы). В этих методах для измерения толщины использованы принципы, описанные в гл. 1. В отличие от наблюдения колец на ступеньке пленкн, в них рассматривается вся подложка, в силу чего интерференционные кольца образуют контурную карту поверхности. [c.507]

Теория физической оптики объясняет получение изображения и пределы разрешения важность последнего будет обсуждаться в разделе, посвященном фазово-контрастной микроскопии. В ос-liOBe физической оптики лежит представление о свете не как о лучах, движущихся по прямой линии, а как об электромагнитных волнах, которые подвергаются дифракции на отверстии и на кромке и могут интерферировать с усилением или гашением. Так как линза в принципе является отверстием, свет, проходящий через нее, будет подвергаться дифракции. Это приводит к тому, что освещенная точка на объекте будет появляться в плоскости изображения в виде кружка, который к тому же окружен серией широких концентрических колец, являющихся результатом усиливающей интерференции. В микроскопии эти кольца носят название дисков Айри (рис. 2-4, Л). Установлено, что радиус первого темного кольца вокруг центрального диска равен 0,61 %1п sin U, где X — длина волны света, п — показатель преломления линзы на стороне, обращенной к объекту, аЧ/ — угол между осью линзы и линией, проведенной из точки пересечения плоскости объекта с осью линзы до кромки отверстия (рис. 2-4, ). Это приводит к тому, что две точки на объекте, расположенные близко друг от друга, будут выглядеть на изображении как два тонких диска, поэтому разрешение этих точек (т. е. способность однозначно определить, что это действительно две точки) зависит не только от разделения этих точек на изображении в соответствии с принципами геометрической оптики, но и от размеров получающихся тонких дисков. Положение, при котором разрешение пропадает, точно определить невозможно (рис. 2-4, В). В связи с этим с давних пор было принято, что предел разрешения равен [c.31]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология