Рентгеновская топография

В последнее время разработаны и успешно применяются различные методы прямого наблюдения структурных дефектов в реальных кристаллах избирательное травление, декорирование, рентгеновская топография, электронная и автоионная микроскопия. [c.157]

Дифракция рентгеновских лучей используется также для изучения дефектов в кристаллах (в рентгеновской топографии), исследования приповерхностных слоев (в рентгеновской спектрометрии), качеств, и количеств, определения фазового состава поликристаллич. материалов (в рентгеновском фазовом анализе) и др. [c.99]

Дефекты в кристаллич. решетках кристаллич. материалов (дислокации, ошибки упаковки и др.) изучают с помощью рентгеновской топографии, основанной на том, что дефектные и бездефектные области кристалла по-разному рассеивают рентгеновские лучи. [c.243]

Исследование дислокационной структуры и морфологических особенностей методом рентгеновской топографии [c.89]

Методом рентгеновской топографии мы выявили, что рельеф тппа булыжной мостовой в чистом виде характерен для практически бездислокационных 2-кристаллов, в то время как кристаллы, поверхность пинакоида которых покрыта акцессориями роста с активными вершинами, обязательно содержат ростовые дислокации и часто в значительных количествах. Кроме того, установили, что большинство дислокаций в кристаллах со вторым типом рельефа локализовано в ложбинах между акцессориями роста и что в вершине каждой активной акцессории обязательно выходит одна ростовая дислокация с винтовой компонентой вектора Бюргерса. Наличие ростовых дислокаций в вершинах и между акцессориями роста однозначно подтверждается результатами избирательного травления кристаллов кварца. Это дает основание предполагать, что конусовидные акцессории роста на поверхности базиса являются классическими дислокационными холмиками роста, нарастающими по известному механизму Франка. [c.90]

Данные рентгеновской топографии показывают, что если на поверхности пинакоида присутствуют конусовидные акцессории, то кристалл обязательно содержит ростовые дислокации, причем подавляющее большинство из них расположено по границам активной акцессории с другими такими же акцессориями или с поверхностью типа булыжная мостовая , и лишь одна из них точно локализована и выходит в вершине данной акцессории роста. Таким образом, морфологические признаки дают лишь качественную оценку дислокационного строения кристалла. [c.95]

Кристаллы оптического кварца наращивают на обращенной вниз стороне горизонтально расположенной затравочной пластины. Обращенная вверх сторона затравки обычно закрывается металлическим экраном, и поэтому толщина наросшего на ней слоя составляет несколько миллиметров (величина зазора между затравкой и экраном). Данные рентгеновской топографии показывают, что в этом расположенном под экраном и нараставшем вверх участке кристалла обычно наблюдается массовое зарождение ростовых дислокаций на механических включениях (см. рис. [c.97]

Некоторые особенности реальной структуры кристаллов синтетического кварца по данным рентгеновской топографии [c.97]

Предложенная модель подтверждается данными рентгеновской топографии. Приведенная на рис. 21,6 топограмма /-пластины снималась в / -рефлексе. Поскольку плоскость дифракции не составляет угол 90° с плоскостью пластины, топограмма представляет не истинное, а несколько искаженное ее изображение. Поэтому границы пирамид роста <+5>/<с> и < + 5>/<+л > так же, как и другие секториальные границы, нормальные плоскости пластины, изображаются не одной, а двумя полосами контраста. Эти полосы соответствуют пересечению границ секторов с верхней и нижней поверхностями пластины. В пирамиде [c.100]

Сингулярные минимумы. Им соответствуют грани с характерными признаками слоистой кристаллизации и конусовидными холмиками—акцессориями роста, а именно грани т, Я -я т. Несмотря на указанные морфологические признаки, представляется сомнительным, чтобы дислокационный механизм играл существенную роль в стимулировании процесса отложений вещества по этим граням. Как показывают данные рентгеновской топографии, для пирамид роста (Я) и (г) характерна относительно высокая плотность ростовых дислокаций (Ю —10 ), ориентированных почти нормально к поверхности роста, причем часть дислокаций имеет винтовую компоненту. На поверхности этих граней обычно присутствует лишь небольшое число холмиков роста. Что же касается нарастания грани Я, то для нее, как известно, основным стимулятором роста являются двойниковые акцессории (рост во входящих углах по границам дофинейских двойников). [c.155]

Предложенная модель подтверждается данными рентгеновской топографии. Приведенная на рис. 21,6 топограмма у-пластины снималась в 7 -рефлексе. Поскольку плоскость дифракции не составляет угол 90° с плоскостью пластины, топограмма представляет не истинное, а несколько искаженное ее изображение. Поэтому границы пирамид роста <+ >/<с> и <+5>/<+х> так же, как и другие секториальные границы, нормальные плоскости пластины, изображаются не одной, а двумя полосами контраста. Эти полосы соответствуют пересечению границ секторов с верхней и нижней поверхностями пластины. В пирамиде <+5> можно рассмотреть пары зонарных контрастных полос, примыкающих соответственно к разным полосам указанных выще пар, соответствующих одной и той же секториальной границе. Тот факт, что расстояние между полосами в каждой зонарной паре значительно больще, чем расстояние между парами секториальной границы, говорит о том, что соответствующие зоны расположены не под прямым, а под острым углом к плоскости пластины. [c.100]

Как видно из представленной на рис. 5, а микрофотографии, на монокристальной пластинке возникают бугорки роста, которые затем в результате быстрого тангенциального разрастания превращаются в кристаллы, ориентированные параллельно кристаллу-подложке. Монокристальные пластинки, по данным Лауэ-съемок и рентгеновской топографии, имеют высокую степень совершенства. Плотность дислокаций, определенная по ямкам травления, колеблется от 14 до 330 см . [c.203]

Дефекты в кристалле кварца Снято по методу рентгеновской топографии [c.357]

Метод рентгеновской топографии дает возможность исследовать толстые и достаточно большие образцы. В этом методе используется брэгговское рентгеновское отражение, а дифракционный контраст получается из-за того, что локальная деформация решетки, связанная с дефектом, изменяет условия отражения и рассеяния рентгеновских лучей. Интенсивность дифрагированного рентгеновского пучка вблизи дефекта уменьшается, вследствие чего дефект виден как темная линия на общем светлом фоне (рис. 319). [c.357]

Однако широко распространенные методы рентгеновской топографии являются чисто эмпирическими и обычно характеризуются качественной, иногда неоднозначной, интерпретацией получаемых картин. Совершенно очевидно, что основой этих методов должна быть полная и строгая теория рассеяния как в идеальных кристаллах, так и в кристаллах с дефектами в совокупности с надежным и прецизионным количественным изучением дифракционных эффектов. [c.3]

Первый путь, который условно можно назвать экспериментальным, заключается в следующем. Методом дифракционного контраста с использованием рентгеновской топографии (для макродвойников) или под электронным микроскопом (для микродвойников) исследуется контраст двойниковой границы в различных отражениях. Затем по известной методике определяется вектор относительного смещения (Я) решеток двойниковых компонент (например, для большинства бразильских двойников установлены Л = /2 [110], Я2= /б [302] или Яз = 7б [032]). Затем две структуры из начальной двойниковой ориентации с совпадающими ре-100 [c.100]

Проведенные в дальнейшем рентгенотопографические исследования синтетического кварца подтвердили дислокационную природу линейных ростовых дефектов и позволили определить характер векторов Бюргерса. Большинство дислокаций в <с> оказалось краевого типа (Ь = а), лишь около 15% дислокаций имели винтовую компоненту и не погасали в отражении (0003). Отмечалась также приуроченность дислокаций к границам ячеистого рельефа. Представляло несомненный интерес использовать метод рентгеновской топографии для того, чтобы определить, влияют ли дислокации на механизм роста поверхности базиса и существует ли какая-нибудь связь между рельефом и дислокационным строением кристалла. С учетом морфологических исследований были проведены опыты по синтезу кристаллов различной степени совершенства и подготовлены препараты для рентгенотопографических съемок. [c.158]

В синтетических аметистах, как и в природных, весьма широко распространены и бразильские двойники. Причем они также образуются лишь на / -гранях. Электронно-микроскопические исследования бразильских двойников показали, что они состоят из / -ламелей толщиной от 10 до 200 нм. Причина массового образования двойников в аметисте не ясна, можно полагать что они релаксируют напряжения, возникающие при вхождении в кварц структурной примеси железа. Данные рентгеновской топографии показывают, что кристаллы синтетического аметиста характеризуются высокой степенью дефектности плотность ростовых дислокаций в них не поддается непосредственному подсчету и заведомо превышает 10 /см . [c.195]

Предпочтительность применения рентгеновской топографии определяется слабым поглощением излучения углеродом, высоким разрешением метода, позволяющим фиксировать дефекты упаковки, блочность, единичные дислокации, вхождение примесей, границы двойников и др. Использовалось МоКа- и Си -излучение, выбранные отражения (404), (044), (404), (333), (440), (511) обеспечили получение картины сечений (100), (ПО) и (111) соответственное минимальными искажениями. [c.397]

Лит. Тихонов Л. В, О возможностях трансмиссионной рентгеновской топографии при использовании косонесимметричных и кососимметричных съемок, Украинский физический журнал , 1971, Л о 1 Иверонова В. И,, Р е в к е в и ч Г. П, Теория рассеяния рентгеновских лучей, М,, 1972 Пинскер 3, Г, Динамическое рассеяние рентгеновских лучей и идеальных кристаллах, М,, 1974 Н ь ю -киркД,, Верник Д, Прямое наблюдение несовершенств в кристаллах. Пер, с англ, М,, 1964 Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. Пер. с англ, М,, 1965. Л. В. Тихонов. [c.316]

Несовершенства кристаллического строения алмаза исследуются пря-мыми. методами, включающими трансмиссионную электронную микроскопию, рентгеновскую топографию (методы Берга — Барретта и Фудживары [159, 164]), электронную микротопографию, а также непрямыми методами [194]. [c.54]

Подход Эвальда подробно изложен В. И. Ивероновой и Г. П. Ревкевич, он использован в гл. 21 для объяснения эффекта аномального поглощения электронов, его применение для объяснений динамических эффектов в рентгеновской топографии изложено В. Т. Бубликом и А. Н. Дубровиной. [c.200]

Для изучения изменения плотности дислокаций в процессе рекристаллизации можно использовать электронную микроскопию тонких фольг, методы дифракционной микрорентгенографии (анализсубструктуры), рентгеновской топографии. Если плотность дислокаций не превосходит 10 см-2, 0 возможен анализ их с использованием эффектов экстинкции (см. п. 7.4 и п. 15.2). [c.372]

Наиболее убедительное доказательство связи указанных фигур травления в кальците с двойникующими дислокациями получено в [89], где, в частности, наблюдалось перемещение этих дефектов под действием механических нагр>уок. Прямые наблюдения двойникующих дислокаций в сурьме описаны в [90], где показано, что дислокации расположены в границе двойника на расстоянии около 1 мкм. Известны работы по изучению двой-никуюших дислокаций методами рентгеновской топографии [91] и по непосредственному наблюдению с помощью электронной микроскопии высокого разрешения как отдельных неподвижных двойникующих дислокаций [92], так и их движения [93] (исследование атомной структуры двойниковых границ и двойникующих дислокаций будет рассмотрено в 2.3). [c.31]

Наряду с упомянутыми экспериментальными исследованиями, направленными к строгому количественному изучению динамического рассеяния, с конца 50-х годов начала развиваться рентгеновская дифракционная топография монокристаллов. Методы топографии, позволяющие непосредственно наблюдать изображения различных дефектов в данном образце, приобрели важное практическое значение и широко распространены в настоящее время. Расшифровка топограмм, основанная на качественной трактовке динамического рассеяния, хотя и не всегда однозначна, но во многих случаях дает полезную информацию о реальной структуре объектов исследования. Отметим, что анализ рентгеновских топограмм имеет много общего с расшифровкой электронно-микроскопических снимков, что является существенным ввиду значительных успехов динамической теории рассеяния электронов в деформированных кристаллах. Развитие рентгеновской топографии за последние 10—15 лет связано с именами Ланга, Отье, Ньюкирка, Бонзе, Швутке, Елистратова, Миускова и других авторов. Общая характеристика методов рентгеновской топографии и библиография содержатся в сборнике [37], вышедшем под редакцией и с послесловием Елистратова. [c.14]

В работах В. Ф. Миускова эффекты муар>а систематически используются в рентгеновской топографии реальных кристаллов. На рис. 96, а приведена рентгенограмма картин муара от бездис-локационного кристалла кремния повышенной чистоты, получен-пая в трехкристальном интерферометре. Горизонтальные полосы муара отвечают повороту на 0,8", вертикальные — величине [c.291]

Линейные размеры поля зрения рентгеновской топографии в 10 раза больше линейных размеров поля зрения электронного микроскопа, поэтому чувствительность рентгеновского муара во столько же раз больше олектронномикроскопического муара. Первое время казалось, что рентгеновский муар невозможно экспериментально наблюдать из-за большой сложности получения очень малой разориентировки накладываемых кристаллов. Однако повышение техники рентгеновской топографии и значительные успехи в технике вы-рап1,ивания совершенных кристаллов больших размеров подготовили эту возмончность. Впервые экспериментально удалось наблюдать ретге-новский муар на кристалле природного кварца, в котором была создана трещина, проникшая в глубь кристалла на 2—3 мм [И]. Эта трещина разделила кристалл на две одновременно отражающие части. При этом угловая разориентировка двух частей кристалла пе превышала ширину кривой отражения совершенного кристалла. [c.189]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология