Поглощение электроном

В мономолекулярных реакциях обе важнейшие орбитали ВЗМО и НСМО принадлежат одной и той же молекуле. Переход с ВЗМО электрона на НСМО приводит к изменению,распределения электронной плотности внутри молекулы, она возрастает в области перекрывания, где 5 > О, и уменьшается в области, где 1 ><0. Положение ядер при этом изменяется, они движутся в сторону области, где возросла электронная плотность. При этом происходит перестройка молекулы, ведущая к изомеризации или диссоциации. Разность в энергии ВЗМО и НСМО Играет решающую роль. Если разность невелика,, то молекула, как правило, структурно неустойчива, легко происходит изомеризация с образованием более стабильной структуры, или диссоциация. Разность энергии ВЗМО— НСМО определяет частоту максимума поглощения электронного спектра в видимой или УФ-области. Поэтому из двух молекул с близкой структурой менее устойчива бу дет та, для которой максимумы поглощения лежат в области более длинных волн окрашенные вещества менее стабильны, чем сходные неокрашенные. Сравним, например, подобные трехатомные молекулы Оз и 80г. Голубоватый озон легко распадается на О2 и О, а бесцветная ЗОг значительно стабильнее к распаду на 80 и О. [c.143]

Электронные переходы и спектры поглощения. Электроны, осуществляющие химическую связь в молекуле, могут занимать различные орбитали (разд. 5.1.3). Различают следующие молекулярные орбитали [c.228]

В ненасыщенных соединениях многие химические и физические свойства определяются небольшой частью электронов, заселяющих л-орбитали, так называемыми я-электронами. Соединения с кратными связями обладают повышенной реакционной способностью, большой поляризуемостью, характеризуются сильным влиянием донорных и акцепторных заместителей на электронную структуру и спектры поглощения. Электронные спектры поглощения сопряженных молекул в видимой и ближней УФ-области обусловлены возбуждениями л-электронов. [c.239]

Окислы. Атом кислорода невелик, его радиус меньше радиусов атомов углерода и азота однако настоящие фазы внедрения кислорода — только твердые растворы и низшие окислы переходных металлов. В силицидах и боридах фактором, препятствующим образованию фаз внедрения, является большой атомный радиус, в окислах такой фактор — электронная структура атома кислорода. Электронная оболочка атома кислорода ls 2s 2p имеет два неспаренных электрона. Кислород подчиняется правилу октета, и завершенная электронная структура может быть получена путем приобретения двух электронов. Поэтому у кислорода донорная способность ослаблена склонностью к поглощению электронов. Цирконий и гафний легче отдают электроны, поэтому только титан образует с кислородом фазу переменного состава на основе окисла TiO с преимущественно металлической связью (радиус кислорода в ней 0,7 A) и координационным числом титана 6. [c.236]

Электронный микрозондовый анализ обычно начинают с получения изображения исследуемого образца в отраженных или поглощенных электронах или в характеристических рентгеновских лучах. Затем производят сканирование поверхности включений вдоль разных направлений с целью изучения равномерности распределения в нем исследуемых элементов и таким способом получают данные по их зональному распределению в отдельных минералах и фазах. Для получения среднего значения содержаний элементов результаты анализа во многих точках усредняются (в основном производят усреднение для 10 точек). Воспроизводимость, правильность и чувствительность электронного микрозон- [c.118]

Адсорбция кислорода или другого окислителя сопровождается поглощением электронов из металла и образованием незаполненных электронами d-уровней в металле, что переводит его в пассивное состояние. Адсорбция водорода или другого восстановителя сопровождается отдачей металлу электронов и заполнением электронами -уровней, что переводит его в активное состояние. [c.309]

Окраска соединений зависит от поглощения электронами света в видимой части спектра. Наблюдения окраски ряда сухих веществ и их растворов показали, что такое поглощение света характерно для электронов менее стабильных электронных оболочек, тогда как электроны более стабильных оболочек поглощают свет в ультрафиолетовой части спектра, почему вещества остаются бесцветными. [c.72]

Если же, помимо ионов металла, в переносе зарядов участвует и другой компонент (окислитель), то при полном балансе зарядов баланс вещества, а значит, и равновесие могут оказаться нарушенными. Вследствие поглощения электронов металла окислителем будет происходить непрерывный и необратимый переход ионов металла в раствор. [c.415]

Это распределение Паскаля с <л>= е и дисперсией о (/) = e (e i —1). Причина, по которой флуктуации столь велики, состоит в том, что каскадный процесс не только увеличивает среднее число электронов, но увеличивает также флуктуации относительно этого среднего. В более поздних работах учитываются также поглощение электронов, их распределение по различным энергиям и фотоны как самостоятельная сущность . [c.146]

Э лектрическая цепь, одной из частей которой является электролизер, замыкается в результате образования электронов на аноде, их перемещения во внешней цепи и поглощения электронов на катоде. Перенос электрических зарядов через электролит осуществляется благодаря миграции ионов, а не в результате прохождения электронов. [c.286]

Полный ток за счет выхода отраженных и вторичных электронов, таким образом, составляет лишь 0,41з. Несмотря на разное направление токов, образец будет заряжаться, так как "вых" вх. Отекание заряда может быть осуществлено с помощью контакта обычно проводником или проводящей пастой, подсоединяя образец к электростатическому заземлению прибора (рис. 4.22). По этому проводнику потечет ток поглощенных электронов /п. э (известный также как поглощенный ток или ток на мишень), а значение его будет равно [c.132]

Так как коэффициент отражения и вторичной эмиссии монотонно возрастает с наклоном, то изображение в поглощенных электронах может быть использовано в смысле количественной оценки наклона поверхности относительно пучка. Так, на рис. 4.33,6 все поверхности, создающие одинаковый уровень сигнала, находятся под одинаковым наклоном относительно пучка. [c.152]

Обращение контраста полезно в тех случаях, когда природа сигнала детектора такова, что контраст имеет противоположный знак по сравнению с ожидаемым наблюдателем, как это имеет место в сигнале поглощенного тока. Обращение топографического контраста, наблюдаемого в поглощенных электронах, проиллюстрировано на рис. 4.43. Отметим, что обращение контраста в эмиссионном режиме создает нежелательный контраст, который может ввести наблюдателя в заблуждение относительно истинного смысла топографии, как показано на рис. 4.43. [c.168]

Применение электронного микроскопа затруднено необходимостью тщательного высушивания образцов, так как внутри электронного микроскопа поддерживается высокий вакуум, необходимый для прохождения электронного пучка кроме того, вследствие сильного поглощения электронов изучаемые образцы должны быть весьма тонкими (1-10 мк). При выпаривании капли раствора свойства системы могут существенно измениться, в результате чего наблюдаемые параметры могут сильно отличаться от параметров частиц в коллоидном растворе. [c.96]

I - 1150 С, 5200 ч, ХЗОО II - 950 С, 3000 ч, X 450 а - изображение в поглощенных электронах б,в- распределение А] (б),5Кв) [c.86]

Рис. 56. Образование прослойки окислов кремния на границе металл - окалина (1150°С, 1152 ч, проволока диаметром 3,0 мм) а - изображение в поглощенных электронах б, в, г - распределение 81 (б),

Еще большие чувствительность и селективность имеет детектор электронного захвата (ДЭЗ), принадлежащей к тому же классу ионизационных детекторов. Как следует из самого названия этого детектора, он работает по принципу поглощения электронов анализируемым соединением, что выдвигает определенные требования к структуре этих соединений. В ДЭЗ молекулы газа-носителя ионизуются под действием /3-излучения. Ионизация порождает тепловые электроны, которые вызывают стабильный фоновый ток, если к ячейке ДЭЗ приложена разность потенциалов. Если элюируемые из колонки соединения способны захватывать электроны, величина фонового тока понижается и на самописце появляется соответствующий сигнал. ДЭЗ, которые первоначально были использованы для высокочувствительного обнаружения галогенированных углеводородов, прекрасно зарекомендовали себя и при обнаружении производных аминов, амино- и оксикислот и других подобных соединений. Галогенированные ацилирующие агенты, преимущественно перфторированные, служат для введения электронозахватных групп в амино- и оксикислоты путем образования летучих амидов и эфиров. Чувствительность ДЭЗ зависит главным образом от структуры анализируемого соединения. Основное требование — это способность соединения принимать отрицательный заряд вследствие электронного захвата. Соответственно при помощи этого детектора можно обнаруживать галогенированные и нитроароматические соединения, многоядерные ароматические углеводороды и сопряженные карбонильные соединения. [c.55]

Явление электронного захвата как бы противоположна Р-распаду. Оно заключается в самопроизвольном поглощении орбитального электрона ядром атома. Обычно происходит поглощение электрона с ближайшей к ядру К-оболочки. Отсвда данный процесс называют К-захватом. При электронном захвате атомный номер элемента (Z) уменьшается на единицу, и новый элемент займет место в таблице Д. И. Менделеева на одну клетку левее. Среди естественных неустойчивых изотопов существуют такие, которые одновременно испытывают р-распад и К-захват. К ним относятся К и > La. [c.404]

Рассмотрим процессы, происходящие при поглощении кванта света молекулой хлорофилла (рис. 73). В темноте молекула хлорофилла находится в стабильном невозбужденном состоянии, а ее электроны — на основном энергетическом уровне. Когда квант света попадает на молекулу хлорофилла, порция энергии этого кванта поглощается одним из электронов, который переходит на новый, более богатый энергией уровень, а молекула хлорофилла переходит при этом в возбужденное состояние. В зависимости от того, какова энергия поглощенного кванта, электрон может перейти на разные энергетические уровни квант синего света поднимает электрон на второй синглетный уровень, квант красного света — на первый. Время жизни молекулы хлорофилла в возбужденных синглетных состояниях очень коротко (на втором синглет-ном уровне — 10 —10 с, на первом — 10 -10 с), после чего молекула возвращается в исходное стабильное состояние. Возвращение молекулы в исходное состояние возможно разными путями, и энергия, поглощенная электроном, теряется им в виде тепла, флуоресценции или фосфоресценции. [c.277]

Испускание позитрона (р" -излучение) или поглощение электрона (е -захват) приводят к смещению влево по изобарному ряду на одно место, т. е. к уменьшению номера изопротонного ряда (химического элемента) на единицу. [c.126]

Препарат, подлежащий исследованию под микроскопом 1 осве-чивающего типа, должен быть прозрачным для электронов. Поглощение электронов недопустимо, так как может вызвать перегрев и разрушение препарата. Электроны, проходя сквозь препарат, соударяются с атомами вещества и вследствие этого рассеиваются. Угол, на который отклоняются при этом электроны, изменяется в зависимости от плотности и толщины препарата. Тонкие участки препарата меньше рассеивают электроны, поэтому проходящий через них плотный пучок частиц вызывает интенсивное свечение этих мест объекта на экране. Наоборот, толстые и плотные участки препарата рассеивают значительную часть проходящих через них электронов на большие углы, в результате этого они отсекаются апертурной диафрагмой объективной линзы и не попадают на экран. Такие участки препарата на экране имеют серую и темную окраски. [c.132]

Если в электронном микроскопе используется поглощение электронов для изучения внешней формы и размеров коллоидных частиц и макромолекул, то методы рентгенографии и электронографии при исследовании внутренней структуры коллоидных частиц и полимерных материалов основаны на диффракции рентгеновых лучей, или, соответственно, электронов. При регулярном расположении атомов, например в кристалле, интерференция рассеянных волн приводит к определенной системе диффракционных пятен. Положение пятен определяется законом Вульфа-Брэгга [c.70]

Явление фотоэффекта, открытое в 1887 г. Герцем и детально исследованное А. Г. Столетовым, состоит в том, что металлы (или полупроводники) при действии на них света испускают электроны. Объяснить фотоэффект исходя из волновой теории света невозможно. Расчет показывает, что ввиду незначительных размеров электрона количество энергии, сообщаемое падающими на него электромагнитными волнами, так мало, что при освещении солнечным светом потребовалось бы облучение по крайней мере в течение нескольких часов для того, чтобы электроны накопили энергию, достаточную для выхода из металла (и то при отсутствии передачи поглощенной электронами энергии атомам). Однако вылет электронов наблюдается сразу же после освещения металла. Кроме того, согласно волновой теории, энергия 3 электронов, испускаемых металлом, должна быть пропорциональна интенсивности падающего света. Однако было установлено, что 3 от интенсивности света не зависит, а зависит от его частоты, увеличиваясь с ростом V возрастание интенсивности приводит лишь к увеличению числа вылетающих из ieтaллa электронов. [c.20]

Левый электрод представляет собой смесь железа и его оксида. Здесь происходит реакция окисления железа ионами 0 , приходящими через твердый электролит. При этом освобождаются электроны, и электрод получает отрицательный заряд. На правом электроде, состоящем из смеси Мо и МоОз, происходит восстановление оксида. Это сопровождается поглощением электронов таким образом, что электрод заряжается положительно, а освободившиеся ионы 0 могут мигрировать через электролит к левому электроду. Реакция на электроде изображается следующим уравнением ЗРет+302-=ЗРе0т+6 на правом электроде МоОзт 6б=Мот 30 . [c.209]

В техн. исследованиях используется также регистрация поглощенных электронов в сочетании с приложением рабочих напряжений к изучаемому транзистору или интегральной схеме. Эго позволяет получать изображение, отвечающее распределению элжтрич. потенциалов, и т. обр. выявлять микродефекты в элементах схемы. При этом можно прерывать первичный элжгронный луч с высокой частотой и визуализировать прохождение по схеме высокочастотных сигаалов. [c.440]

Есл1И электронный пучок бомбардирует лепроводящие материалы, например силикаты, окислы или включения в металлическом образце, поглощенные электроны собираются, на поверхности из-за отсутствия стока з,аряда к земле. Накопление электронов приводит к созданию области пространственного заряда. Проблема зарядки и методы ее преодоления обсуждаются детально в гл. 10. [c.164]

Электронные микрозондовые методы используют для анализов стекол, микробрекчий и минеральных зерен лунного вещества. Например, анализ шлифов проб лунного реголита проводится на микроанализаторе ТХА-5 с углом выхода рентгеновских лучей 40°. Ускоряющее напряжение 15 кв. Ток поглощенных электронов 1,5 10 а. Размер зонда 1—5 мкм. В качестве эталона на хром применяют хромит. Относительная погрешность анализа 5% [442]. Химический состав отдельных частичек определяют на микроанализаторе ХМА-4Б фирмы Хитачи с углом выхода рентгеновских лучей 19,5°,(ускоряющее напряжение 18,5 кв, ток зонда 3—5-10 а [164]. Фон при определении хрома измеряют на форстерите (Mg2Si04), эталоном служит металлический хром. В связи с уникальной ценностью космических объектов и их малым размером (несколько сотен микрон) разработана специальная методика подготовки проб. [c.119]

Если направить пучок электронов иа мелкокристаллическое вещество. на фотопластинке получается электронограмма. вид которой ничем ие отличается от соответствующей рентгенограммы. В отллчие от рентгеновского метояа в электронографии вследстэие большого поглощения электронов веществом исследованию подвергаются очень тонкие слои вещества (порядка 10 —10 см) Хотя экспериментальные методики рентгенографии и электронографии значительно различаются, методы обработки результатов эксперимента почти тождественны. Электронография позволяет изучать структуру тонких пленок и поверхностных слоев вещества. [c.105]

Амино-3-К -5-К -1,2,4-триазины преимущественно находятся в аминной форме, что подтверждается максимумами поглощения электронных спектрах поглощения. Например, 6-амино- [c.49]

Смотреть страницы где упоминается термин Поглощение электроном: [c.157] [c.44] [c.38] [c.157] [c.232] [c.672] [c.10] [c.700] [c.98] [c.110] [c.47] [c.132] [c.185] [c.483] [c.68] [c.110] [c.84] [c.175] [c.612] [c.628] [c.50]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология