Дислокации изменение плотности

В заключение следует отметить, что изменение температуры окружающей среды и температуры продукта перекачки, как показывают полученные результаты, влияет на структуру и свойства металла труб СГС. В частности, снижение температуры до -40°С уменьшает ударную вязкость в два раза. Повыщенная температура ( 400 С) увеличивает диффузию примесных атомов и ускоряет деформационное старение трубных сталей. При этой температуре в сталях происходит перегруппировка дислокации, уменьшение плотности дислокации и микродефектов, часть вакансий уходит на границы зерен, а часть вакансий и междоузельных атомов поглощается дислокациями. [c.139]

Представленная схема хорошо согласуется со многими экспериментальными фактами, обнаруженными методами электронной микроскопии и РСА в чистых металлах, подвергнутых интенсивной деформации равноосной формой зерен, значительными искажениями кристаллической решетки, наличием дислокаций высокой плотности в границах зерен и т. д. Вместе с тем закономерности структурных изменений и механизм формирования наноструктур в различных сплавах при интенсивных деформациях остаются еще мало изученными, и их выявление остается актуальной проблемой, требующей дальнейших исследований. [c.47]

Дислокационное скольжение четко выявляется с помощью электронно-микроскопических наблюдений следов скольжения на поверхности образцов. Более того, изменение формы зерен однозначно свидетельствует о том, что внутризеренное скольжение дает основной вклад в общую деформацию образца. Тем не менее в теле зерен не наблюдается накопления дислокаций, хотя плотность последних достаточно высока (примерно Ю м ). [c.189]

Изменение плотности дислокаций р во время деформации мелкозернистых материалов может быть описано с помощью следующего кинетического уравнения [195, 331, 332] [c.189]

Муаровые фигуры содержат много искажений, некоторые из которых, как, например, на фото 49, могут быть интерпретированы в терминах дислокаций. Измерение плотности дислокаций в пленках золото — палладий дало значение 10 линий на см . В результате более интенсивного облучения образцов наблюдалось изменение муаровых фигур, обусловленное движением дислокаций в металлах. Все же такой способ наблюдения движения дислокаций менее удобен, чем при прямом наблюдении металлических пленок, так как для разрешения муаровых полос па экране микроскопа необходимо иметь очень боль- [c.198]

Сжатие цепочки вблизи дислокации (10.21) приводит к изменению плотности массы вдоль цепочки. Относительное изменение плотности бр/ро == —du/dx, где ро = т/а. Поэтому уплотнение, материала в ядре дислокации дается выражением [c.191]

Как выдвинутая Тейлором гипотеза активных участков (центров), так и постулированная Баландиным обязательность соответствующих межатомных расстояний в решетке металла имеют своих приверженцев. Ввиду кристаллической природы металлов представление о гауссовом распределении участков или групп атомов с различными свободными энергиями кажется неправдоподобным, и гораздо более вероятно, что существует только ограниченное число таких индивидуальных областей, а именно различные плоскости кристаллов. Далее, так как межатомные расстояния на разных плоскостях могут различаться, то наиболее вероятно, что каталитическая активность может меняться от плоскости к плоскости или даже быть свойственна только одной из них. На каждой из этих плоскостей должны находиться вакантные узлы и дислокации. Их количество в металле можно определить по скорости выделения энергии напряжения и по изменению плотности, электрического сопротивления или твердости. У таких металлов, как медь и никель, изменения этих свойств происходят в узком интервале температур. При более низких температурах (Г ) движения атомов достаточно интенсивны, чтобы заполнить вакансии, а при более высоких температурах (Г ) рекристаллизация уничтожает дефекты кристаллической решетки или уменьшает их число. [c.18]

Такой механизм образования высокотемпературных граничных сегрегаций подтверждает также кривая изменения плотности дислокаций на участке роста зерен (см. рис. 65). Несмотря на максимальное напряжение I рода плотность дислокаций на этом участке оказалась минимальной. На этом участке снизилась и величина напряжений И рода. Поскольку сток линейных дефектов не существен, то это явление можно объяснить сбором примесных атомов мигрирующими границами. [c.108]

Коэффициент Р близок к единице и медленно меняется с изменением плотности дислокаций. Пеннинг [20] аналогичным образом рассмотрел образование (и исчезновение) вакансий на дислокациях. Он нашел, что р = 0,5 при Nг> = = 10 и р = 1 при Nt) = 10 см . [c.570]

Для определения влияния более высоких температур, вида и количества дисперсности вторичных фаз на процесс упрочнения проводился стабилизирующий отжиг при температуре 900° С продолжительностью 2 час. В этом случае наблюдалось значительное уменьщение эффекта упрочнения. Прирост пределов текучести и прочности составил только 10—12%. Уменьщение упрочнения при указанном выше режиме отжига можно объяснить протеканием процессов рекристаллизации, связыванием углерода в Т1С и коагуляцией карбидов титана, что приводит к снижению содержания углерода в аустените и уменьшению плотности дислокаций. Изменение свойств пластичности коррелирует с полученными прочностными характеристиками. [c.184]

Следует подчеркнуть, что пропорциональность Тт — р отражает то обстоятельство, что в системе выполняется условие подобия при изменении плотности дислокаций. Отсюда следует, что при выполнении соотношения (7) для физической интерпретации указанной зависимости заранее следует отбрасывать механизмы, не удовлетворяющие условию подобия, например механизм образования зон рекомбинации. Формирование зон рекомбинации должно нарушать линейность между т и р % причем отклонение от линейности должно быть максимальным при плотностях р, удовлетворяющих условию (р)" — [c.271]

Г, е). Эволюция функции Фь, в свою очередь, должна описываться кинетическими уравнениями, установление которых является одной из основных задач физической теории пластичности [7]. К сожалению, этот вопрос оказывается исключительно сложным (см., например, [1—4]). Поэтому обычно рассмотрение ограничивается оценкой изменения средней плотности дислокаций в зависимости от деформации или напряжения. Известно, однако, что процесс уплотнения дислокационного ансамбля не происходит гомогенно, а в зависимости от степени деформации его уплотнение связано с развитием полос скольжения, либо с формированием дислокационных сплетений, дислокационных диполей и т. д. Поэтому изменение р может служить лишь грубой характеристикой того, что в действительности происходит в дислокационном ансамбле. Рассмотрим кратко имеющиеся сведения по этому вопросу. Прежде всего заметим, что соотношение (7), строго говоря, не определяет (как это иногда считается) изменение плотности дислокаций с напряжением. Соотношение (7) указывает лишь на величину напряжений, необходимых для продавливания дислокаций через дислокационный лес данной плотности р и ни в коей мере не отражает процесса размножения дислокаций. [c.273]

Важнейший способ исследования реальной структуры твердых тел. Позволяет определить плотность дислокаций, механизм пластической деформации и изменения структуры в результате облучений [c.158]

Основные недостатки существующих схем с плавающими экранами состоят в том, что экраны располагаются на значительном расстоянии от поверхности кристалла и имеют низкий уровень температуры. Первый из них легко может быть устранен путем изменения конструктивных размеров. Устранение второго недостатка — задача более слол ная, так как повысить температуру только за счет потоков теплоты от расплава до значений, близких к температуре кристаллизации материала, практически невозможно. Введение в рабочий объем печи среды аргона оказалось более эффективным средством улучшения качества монокристаллов. По и в этом случае слитки имели значительную плотность дислокаций. Схема экранирования кристаллов в верхней его части с помощью цилиндрического нагревателя в какой-то мере устраняет недостатки плавающих экранов. Однако и она имеет значительный дефект, так как область кристалла, в которой располагается фронт кристаллизации, оказывается неэкранированной. [c.226]

В практике получения монокристаллов очень часто вывод слитка на заданный диаметр осуществляется изменением скорости подъема затравки. После выбора теплового режима для бездислокационного роста было испытано три различных способа выхода на диаметр регулированием скорости подъема слитка, мощности основного нагревателя, изменением температуры поверхности экрана. Опыты показали, что выход на диаметр за счет мгновенного изменения скорости подъема недопустим. Ни один из полученных таким образом слитков не имел плотность дислокаций ниже чем 10 смг . В то же [c.230]

Как показано в работах [35,60,61], РКУ-прессование также может приводить к формированию в Си и N1 равноосной ультра-мелкозернистой структуры. В Си средний размер зерен оказался 210 нм (рис. 1.8), а распределение зерен по размерам было подобно логнормальному. Электронно-микроскопические исследования выявили присутствие трех типов зерен. В малых зернах (меньше 100 нм) решеточные дислокации практически отсутствовали, в зернах среднего размера (200-300 нм) наблюдались отдельные хаотически расположенные дислокации, а в больших зернах (400-500 нм) происходило формирование субзерен. Средняя плотность дислокаций внутри зерен составила 5 х Вместе с тем, вид структуры после РКУ-прессования очень сильно зависит от режимов деформирования. Например, при том же количестве проходов (12) изменение маршрута прохождения заготовок при РКУ-прессовании Си от 5 к С (см. 1.1) приводит к формированию принципиально другого типа микроструктуры — полосовой структуры, имеющей много малоугловых границ (рис. Ьвб ). [c.21]

Трехмерная плотность дислокаций, т. е. общая длина дислокаций в единице объема, равна pv — Ър/d. В результате относительное изменение объема благодаря внесенным зернограничным дислокациям плотности р равно [c.106]

Наноструктурные ИПД N1 и Си обладают размером зерен на порядок большим, чем типичные наноматериалы, полученные методом газовой конденсации. В связи с этим обнаруженные изменения тепловых характеристик металлов, подвергнутых ИПД, нельзя объяснить только увеличением амплитуды тепловых колебаний атомов, расположенных в узкой зернограничной области, вследствие их небольшой относительной доли к общему числу атомов. Однако, как было показано выше, наноструктурные материалы, полученные ИПД, обладают неравновесными границами зерен с очень высокой плотностью внесенных зернограничных дислокаций, создающих дальнодействующие поля внутренних упру- [c.113]

Во время термической обработки в N 5 подвергнутом ИПД, было обнаружено уменьшение коэрцитивной силы, обусловленное заметными изменениями структуры (рис. 3.3) [105]. На начальной стадии нагрева в первую очередь имело место исчезновение дислокаций внутри зерен, т. е. происходил возврат. Этот процесс начался уже при комнатной температуре. Так, после одного месяца выдержки плотность дислокаций уменьшилась с 10 м 2 до 10 м 2. Подобный результат достигался также после выдержки при 373 К в [c.123]

Было установлено, что рост зерен в чистой Си (99,98%), подвергнутой ИПД кручению, начинается при 373 К и завершается к 473 К [237]. В Си обычной чистоты, деформированной подобным образом, отжиг в течение 30 мин при 423 К не привел к видимым изменениям в микроструктуре (размере зерен, плотности дислокаций, дифракционном контрасте на границах зерен) [232]. Рост зерен наблюдался при 423 К. Тем не менее, внутренние напряжения и предел текучести существенно уменьшились в интервале температур между 403 и 423 К (рис. 3.5). Авторы предположили, что [c.129]

Сталь 45Г2, близкая по составу к стали группы прочности Д, наиболее равновесное состояние имеет после закалки или (нормализации с длительным высоким отпуском, она проявляет стойкость против сульфидного растрескивания, аналогичную стойкости стали 18Х1Г1МФ. Повышение степени равновесности структурных и фазовых составляющих стали сопровождается повышением перенапряжения ионизации стали, что обычно связывают с изменением плотности дислокаций в стали при ее термической обработке. Плотность дислокаций — один из наи- [c.28]

Влияние условий электролиза и пластической деформации на МО,дуль упругости железных покрытий. Присутствие дефектов может привести к изменению модуля упругости шосредстенно- вследствие изменения плотности межатомных связей и косвенно - через влияние дефектов на движение дисло(саций. Приравняв внешнее напряжение к линейному натяжению дислокаций, можно получить зависимость величины изменения модуля А I от плотности дислокаций и средней длины дислокационных петель L [ЗбО] [c.117]

Примерное значение энергии деформации на один атомный промежуток в ядре дислокации достигает 5,9 10 Дж. В то же время вне ядра дислокации изменение потенциальной энергии вследствие деформационных искажений не превышает 0,4-0,8 кДж/моль или около 0,63 10 Дж/ат., т. е. примерно в тысячу раз меньше. Плотность линий дислокаций в деформированной стали 12Х18П10Т можно оценить примерно как 10 см . Условно принимая диаметр трубки дислокации в 10 межатомных расстояний, а число атомов на поверхности за 5 10 на см , легко определить, что поверхность, занимаемая дислоцированными атомами, может достигать примерно 1 % от обшей площади образца. [c.73]

На рис. 14. О показано изменение профиля линии 211 стали 08Ю после холодной прокатки в зависимости от температуры нагрева. Около каждого профиля дано соответствующее значение р. Видно, что нагрев на 500 °С приводит к разрешению дублета Ка—Ка Р 0 при нагреве на 600°С, а температура начала рекристаллизации для этой стали после прокатки с обжатием 75 % составляет около 650 °С. Отношение Ргп/Рио совпадает (в пределах ошибки эксперимента) с отношением tg 02ll/tg в-цо, т. е. изменение плотности дислокаций при нагреве можно рассчитывать по формуле (14.29). [c.366]

Для второй стадии характерно то, что в процессе дальнейшего тдак-лического нафужения в локальных областях (например, ва фаницах зерен) может возникнуть высокая концентрация напряжений, превышающая напряжение срыва дислокации, в результате чего начнется пластическая деформация. Данный процесс тесно связан с растфостранением полос скольжения и увеличением плотности скользящих дислокаций в объеме образца. Эти структурные изменения приводят к тому, что подвижность доменных фаниц уменьшается. [c.66]

Для изучения изменения плотности дислокаций в процессе рекристаллизации можно использовать электронную микроскопию тонких фольг, методы дифракционной микрорентгенографии (анализсубструктуры), рентгеновской топографии. Если плотность дислокаций не превосходит 10 см-2, 0 возможен анализ их с использованием эффектов экстинкции (см. п. 7.4 и п. 15.2). [c.372]

Р и с. 7. 4. Изменение плотности краевых дислокаций в выращенных из раствора кристаллах полиэтилена в зависимости от времени при различных температурах. Abe К. et all., J. Ma romol. Sei., В 4, 87 (1970) [c.455]

Хорошо известно электролитическое окрашивание щелочногалоидных кристаллов, помещенных в постоянное электрическое поле при повышенной температуре. При этом в кристалле наблюдается изменение концентрации вакансий, обнаруживаемое -по изменению плотности. В работе Андреева и сотрудников [10] йзмёрение плотности окрашенных образцов бромида калия производилось флотационным методом в термоградиентной трубке с точностью 5-10 . Результаты показывают, что образование ионных вакансий (КВг характеризуется беспорядком по Шоттки) происходит не только за счет процессов на, поверхностях жристалла, но и за счет внутренних источников точечных дефектов, видимо, дислокаций. Детали техники эксперимента опи-юаны в 11]. [c.20]

Рпс. 2. Изменение плотности дислокаци в плоскости (111) кристалла фосфида галлия от центра пластинки к краю за начало координат выбран центр пластинки) [c.76]

В [45] сделана попытка установить количественную связь между величиной плотности дислокаций iVp и величиной осевого или радиального температурного градиента в растущем кристалле с учетом механических свойств и диаметра слитка. Анализ экспериментальных данных по зависимости Nд от температурных градиентов в Si [44] и GaAh [О, 22] показывает, что удовлетворительное согласие результатов расчета по формуле Цивинского [45] с экспериментом наблюдается лишь для узкого диапазона плотностей дислокаций. Изменение же тепловых условий выращивания (и соответственно плотности дислокаций) в широких пределах обнаруживает су- [c.83]

Поле деформаций вокруг дислокации приводит к появлению неоднородных изменений плотности кристалла, определяющихся суммой главных напряжений, вызывающих рассеивание света дислокациями [14]. Экспериментальные исследования этого явления не доведены до изучения эффектов от индивидуальных дислокаций, так как они сильно усложняются влиянием точечных дефектов, декорирующих дислокации [15, 16]. Большие градиенты напряжений, а значит, показателя преломления света в направлении, перпендикулярном дислокации, вызывают значительные искривления траектории световых лучей, падающих на кристалл параллельно дислокацион- [c.242]

Наклепом называется упрочнение мет алла под дейсгвием пласги-ческой деформации. Пластическое деформирование ведет к образованию сдвигов в криет аллах, к дроблению блоков мозаичной структуры, а при значительных степенях деформаций наблюдается заметное изменение формы зерен, их расположения в ггространстве, причем между зернами возникают трещины, что приводит к повышению плотности дислокаций. Одновременно этот процесс порождает искажения кристаллической решетки, что создает многочисленные препятствия перемещению дислокаций. Все это вместе приводит к увеличению запаса свободной энергии. [c.87]

Изучение начального (инкубационного) периода усталостного разрушения показывает [73], что уже с первых циклов нагружения рост плотности дислокации сопровождается изменением значений электрофизических параметров. По мере накопления дислокаций и формирования ячеистой структуры происходит дальнейшее изменение этих параметров. Для п = 4000 стадия циклической микротекучести заканчивается. Для стадии циклической текучести характерно лавинообразное нарастание плотности дислокации не только по границам ячеистой структуры, но и в объеме самой ячейки. Для гг = 70 МПа этот участок соответствует 7—10 тысячам циклов нагружения. [c.66]

Считается, что начальная стадия изменения структуры металла и соответствующих электрофизических параметров, которая наблюдается при 30 % усталостной долговечности, обусловлена усталоспшм разупрочнением стали. При этом происходит перераспределение дислокации в конечном итоге с образованием структуры, для которой характерно существование областей с низкой плотностью дислокации, окруженной областями с высокой плотностью дислокации. [c.66]

После испытания на трение скольжения хромистой стали (157о Сг), легированной Мо, Mo+W и Mn-bNi-f u, в поверхностных слоях происходят превращения у- а и а- , измельчение блоков, увеличение плотности дислокаций и др. Степень и характер изменения структурных превращений по глубине слоя зависят от природы легирования аустенита. Для повышения износостойкости сталей такого типа целесообразно легирование аустенитообразующнми элементами (особенно марганцем, понижающим энергию дефекта упаковки), а также сильными карбидообразующими элементами (W, Мо), измельчающими структуру и препятствующими развитию рекристаллизации в наклепанном аустените [10]. Можно считать установленным, что если в процессе работы не происходит превращения остаточного аустенита в высокопрочный мартенсит, то в условиях абразивного износа он значительно легче срезается и уносится абразивными частицами. [c.24]

При Г. р. с участием одного или неск. твердых реагентов часто образуются твердофазные продукты. Такие р-ции, как правило, локализованы на пов-сти раздела фаз или в поверхностном слое и обычно протекают нестационарно. Они характеризуются периодом индукции, в течение к-рого возникают зародыши (ядра) новой фазы. Их образование связано с перестройкой атомной структуры твердого реагента и требует затраты энергии. Поэтому такие Г. р. чувствительны ко всем нарушениям структуры, облегчающим образование зародышей, и м.б. активированы термич., радиац., мех. и др. воздействиями, увеличивающими концентрацию дефектов, в первую очередь плотность дислокаций (см. Дефекты в кристаллах). Кинетич. ур-ние р-ции в этом случае отражает изменение во времени не только концентраций реагирующих в-в, но и пов-сти раздела твердых фаз реагента и продукта по мере роста зародышей пов-сть раздела увеличивается и скорость р-ции сначала возрастает, затем проходит через максимум и снижается вследствие соприкосновения растущих зародышей и образования сплошного слоя твердого продукта (подробнее см. Топохи-мические реакции). [c.537]

Структуры политипов близки, первые координац. сферы у атомов в кристаллах одинаковы. Так, для Si во всех политипах сохраняется тетраэдрич. окружение атомов, изменения наблюдаются в третьей и вьш1е координац сферах. Все политипы имеют одинаковую плотность, они не переходят друг в друга. Образование политипов объясняют наличием примесей, винтовых дислокаций, колебаниями структуры (порядок-беспорядок) [c.27]

Появление в результате ИПД высокой плотности дислокаций и дисклинаций приводит к упругим искажениям кристаллической рещетки и изменениям межатомных расстояний, а, следовательно, можно ожидать и изменения тепловых характеристик наноструктурных материалов. Обнаруженное в работах [81, 135] изменение тепловых характеристик наноструктурных N1 и Си, полученных ИПД (см. 2.1), имеет закономерности, аналогичные тем, что были обнаружены в наноструктурных материалах, полученных методом газовой конденсации [83, 107, 220-225]. Так, например, температура Дебая оказалась уменьшенной на 21 % в Сг (11 нм) [222] и 15% в Аи (10нм) [225]. В этих работах в качестве возможных причин, которые могут вызвать изменения тепловых характеристик наноматерйалов, полученных методом газовой конденсации, указываются специфические тепловые колебания атомов в поверхностном слое порошинок или увеличенная концентрация точечных дефектов в области границ зерен. [c.113]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология