Диссоциация молекул на поверхностях

Иногда диссоциация молекул на поверхности является типичным гетерогенным процессом и вызвана тем, что, как легко показать, энергия диссоциации молекул, адсорбированных на поверхности, ниже, чем энергия диссоциации тех же молекул, находящихся в объеме. [c.83]

Таким образом, теплота диссоциации адсорбированной молекулы гораздо ниже, чем теплота диссоциации молекулы, находящейся в объеме. Если считать, что энергия активации процесса диссоциации близка к энергии диссоциации, то скорость диссоциации молекул на поверхностях будет выше, чем скорость диссоциации в объеме. Поверхность будет играть роль катализатора. Но катализатор не смещает положения равновесия, следовательно, концентрация атомов в объеме, независимо от того, имеется поверхность или нет, будет одной и той же. Если же в объеме возможен процесс, связанный с потреблением атомов, то при наличии поверхности этот процесс будет идти быстрее, чем чисто объемный процесс. [c.83]

Растворение водорода и других двухатомных газов в металлах сопровождается диссоциацией молекулы на поверхности. Равновесие системы в этом случае определяется равенством нулю химического сродства 2v/p-, = 0 (где v,- и (г — стехио.мет- [c.116]

Уравнение (III.6) применимо для адсорбции без диссоциации молекул на поверхности. Адсорбция газов на поверхности сопровождается диссоциацией их молекул на атомы. Тогда адсорбцию можно рассматривать как реакцию молекулы газа с двумя участками поверхности, скорость которой определяется уравнением [c.40]

Во второй главе рассмотрены общие закономерности распада и образования молекул. Всякая химическая реакция слагается из ряда одностадийных реакций (элементарных химических процессов), в которых участвуют активные частицы (атомы, радикалы, ионы, возбужденные молекулы), обладающие избыточной энергией по сравнению со средней энергией реагирующих молекул. В этой главе рассмотрены основные процессы распада молекул на атомы и радикалы (фотодиссоциация, диссоциация под действием удара электронов, атомов и ионов, диссоциация молекул на поверхностях, термическая диссоциация), а также основные процессы, приводящие к образованию молекул (образование молекул, сопровождающееся излучением, тройной удар). Здесь же рассмотрены переходы энергии поступательного движения в энергии колебательную, вращательную и электронного возбуждения, имеющие большое значение в процессах активации. [c.9]

Диссоциация молекул на поверхностях [c.114]

Теплота диссоциации D газообразной двухатомной молекулы обычно имеет значение, равное приблизительно 400 кДж моль , теплота адсорбции молекулы л 40 кДж-моль , а теплота адсорбции атома Q 140 кДж-моль . С помощью закона Гесса можно найти интересующую нас )s—-теплоту диссоциации молекулы на поверхности. Реакцию образования молекулы в объеме можно записать [c.115]

Теплота диссоциации О двухатомной молекулы, находящейся в газе, обычно равна приблизительно 100 ккал моль, теплота адсорбции молекулы 9 10 ккал моль, а теплота адсорбции Q атома приблизительно равна 35 ккал г-атом. Пользуясь законом Гесса, можно скомбинировать эти три величины так, чтобы получить интересующую нас величину Оа — теплоту диссоциации молекулы на поверхности. Реакцию образования молекулы в объеме можно записать так [c.78]

Таким образом, изученная реакция имеет первый порядок по цианиду и протекает в кинетической области, что подтверждается независимостью скорости от интенсивности перемешивания и зависимостью ее от давления кислорода в степени 1/2 (диссоциация молекул на поверхности твердой фазы, обычно сопровождаемая кинетическими осложнениями). [c.159]

Окись титана проявляла небольшую активность в реакции Нз—Оз-обмена при 100—300° С СГаОз > УаОз > Т1зОз [70, 71]. Кинетика На—Оз-обмена и о-п-конверсии водорода изучалась на анатазе [72] при 93—733° К. Наблюдались три температурные области протекания процесса низкотемпературная область (Т < 200° К), высокотемпературная Т > 473° К) и промежуточная. В низкотемпературной области реакция протекала по физическому механизму, скорость конверсии была больше скорости обмена. В высокотемпературной области скорости конверсии и обмена примерно равны, что указывает на химический механизм реакции в обоих случаях. Реакция протекала по механизму Бонгоффера—Фаркаса с диссоциацией молекул на поверхности контакта и последующей рекомбинацией атомов. Порядок реакции Нз—Оа-обмена — первый, орто-пара-превращения — дробный, близкий к единице. [c.55]

Следует отметить важную роль поверхности подложки в процессе формирования тонкой пленки под воздействием электронного луча. Теплота диссоциации молекул, адсорбированных в виде пленки на подложке, ниже, чем молекул, находящихся в объеме, а потому скорость диссоциации молекулы на поверхности будет выше, чем в объеме. Полыпоо значение в этом процессе имеет также передача энергии молекулам от поверхности твердого [c.203]

Адсорбция углерода на поверхности металлов платиновой группы тормозит реакцию термической диссоциации молекул щелочно-галоидных солей на поверхности, в результате чего снижается поток десорбируемых при этом атомных ионов щелочного металла [7]. На рис. 7 приведен график зависимости коэффициента поверхностной ионизации атомов цезия, образующихся из молекул хлористого цезия, на поверхности иридия, первоначально покрытого толстым слоем углерода. С ростом температуры происходит испарение углерода с поверхности, и величина Р изменяется от значения, соответствующего графиту Т < 1300° К), до значения, соответствующего иридию с чистой поверхностью Т 2000° К). Наименьшее значение 3 и соответственно степени диссоциации молекул на поверхности иридия получаются при монослойпом покрытии иридия углеродом Т 1800° К). [c.141]