Ненасыщенные олигоэфиры облучением

З. Ненасыщенные олигоэфиры, отверждаемые УФ-и радиационным облучением [c.124]

Под действием ультрафиолетового излучения отверждение покрытий на основе различных полиэфирных лаков происходило в течение 10-15 мин при малой величине внутренних напряжений в покрытиях (десятые доли мегапаскаля), т.е. меньших, чем при конвективном способе. Особенно эффективным этот метод оказался для лаков холодного отверждения, характеризующихся сравнительно низкой адгезионной прочностью. При отверждении под действием ультрафиолетового облучения наблюдается улучшение адгезионных и других физико-механических свойств покрытий. Методом ИКС установлено, что при таком способе отверждения покрытий продолжительность расходования двойных связей стирола и ненасыщенного олигоэфира сокращается до 10-15 мин. Причина этого явления обусловлена, вероятно, селективным распределением энергии и дополнительны.м инициированием полимеризации ультрафиолетовым излучением, приводящим к увеличению числа свободных радикалов. Полиэфирные покрытия характеризуются высокой степенью проницаемости к ультрафиолетовому излучению-до 8 мм [114, 158]. Способ отверждения полиэфирных покрытий оказывает значительное влияние на надмолекулярную структуру покрытий и однородность ее по толщине пленки (рис. 5.2). При конвективном способе отверждения покрытий в них возникает неоднородная по толщине пленки структура. В результате адсорбционного взаимодействия ассоциированных макромолекул с поверхностью подложки в этих слоях наблюдается резкое торможение релаксационных нроцессов при формировании покрытий. В связи с этим в слоях, граничащих с подложкой, фиксируются в процессе отверждения структурные элементы, характерные для исходных ассоциированных полиэфирных композиций. По мере удаления от подложки наблюдаются агрегация структурных элементов и формирование более сложных надмолекулярных образований, неравномерно распределенных в системе. Особенно неоднородная структура образуется в поверхностных слоях. [c.136]

В последнее время промышленное значение начинают приобретать новые способы отверждения лаковых композиций на основе ненасыщенных олигоэфиров отверждение под действием УФ- и радиационного облучения. Для этой цели обычно используют лаковые композиции, отверждение которых не ингибируется кислородом воздуха. [c.124]

Использование фотохимических инициаторов связано с рядом трудностей, которые обусловлены комплексо.м применяемых к ним требований. Наряду с высокой активностью, они должны быть термостойкими, мало чувствительными к загрязнениям, не окрашиваться при облучении и не изменять цвет материала, хорошо растворяться в композиции и обеспечивать стабильность ее свойств при хранении [ПО]. Концентрация фотоинициатора выбирается с учетом влияния его на технологические свойства ненасыщенных олигоэфиров. Обычно она составляет 1-1,5" . [c.108]

При отверждении быстрыми электронами в зоне облучения образуется значительное количество озона. Так, при применении источника с мощностью дозы 1 Мрад/с содержание озона превышает 300 мт/м . Константа скорости реакции озона с непредельными соединениями сравнима с константами скорости взаимодействия радикалов с кислородом и имеет порядок 110 " лДмоль с). Образуюгциеся в результате реакции озониды представляют собой вязкие, маслянистые жидкости, раз-.тагающиеся при температурах 70 "С и выше, которые ухудшают свойства поверхностных слоев покрытий. Несоизмеримость скорости инициирования полимеризации при действии быстрых электронов со скоростью раскрытия двойных связей приводит к резкому снижению эффективности использования для предотвращения неполного отверждения поверхностных слоев целого ряда модифицирующих добавок, которые эффективны при обычных методах отверждения. Это ограничивает и круг мономеров, которые могут быть использованы в реакциях сополимеризации с ненасыщенными олигоэфирами и диктует необходимость синтеза специальных олигоэфиров и. модификаторов при инициировании реакций ускоренными электронами [123]. [c.113]

Способы устранения поверхностной липкости, особенно при отверждении быстрыми электронами, широко описаны в патентной литературе и специальных обзорах [122-127]. В самом обшем виде эти методы сводятся к следующим удалению поверхностного слоя растворителя.ми или ш.лифованием удалению воздуха из зоны реакции путем создания инертной среды или применения защитных п.ленок из различных веществ повышению мощности дозы облучения,. модифицированию олигоэфиров и мономеров и регулированию их соотнощения в композиции применению различных инициаторов и ускорите.лей полимеризации в сочетании с. методом ускоренных электронов. Наибольший интерес представляют методы исключения процесса ингибирования, основанные на подборе состава композиций и применении различных сочетаний модификаторов, инициирующих сополимеризацию ненасыщенных олигоэфиров с мономером, участвующих в окислительной полимеризации и ускоряющих отверждение поверхностных слоев [92], загущающих систему с образованием тиксотропной структуры [26. 121]. [c.114]