Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Подложки для пленок

    Однако в настоящее время практическая реализация уникальных возможностей алмаза в широкозонном фотопреобразователе затруднена в связи с тем, что большинство синтезируемых алмазных плёнок являются поликри-сталлическими, т. е. состоят из микрокристаллитов с типичным размером от долей микрона до десятков микрон (в зависимости от толщины и качества плёнки). Наличие границ между кристаллитами резко ухудшает характеристики алмаза, в частности, подвижность основных носителей, кроме того, границы выступают как центры рекомбинации и ловушки, а также являются центрами рассеяния фононов. Рост монокристаллических плёнок оказался возможным либо на алмазной подложке, либо на подложке из кубического ВН, но обе они очень дороги и практически недоступны для размеров более 1 мм. Именно эти проблемы привели к тому, что, несмотря на более чем 30-летнюю историю активного исследования алмазных плёнок, они не получили широкого применения ни в одной массовой технологии. [c.282]


    В работе исследуется структура ГЦК-углерода - новой формы углерода, полученной ещё в 1984 году в нащей лаборатории [1] и затем ещё многими исследователями [2-4]. Недавно нами эта форма углерода была получена вновь [5] в виде плёнки на кремниевой подложке. Это позволило получить новые данные и провести более подробные исследования полученной формы углерода. [c.198]

Рис. 1 УНТ, полученные методом пиролиза. а,б,в — получены на катапизаторах группы железа г — пленка из УНТ отслоившаяся от железной подложки д,е — фрагменты плёнки, указанной на рисунке г ж — ориентированные в одном направлении УНТ, полученные на медной подложке. Рис. 1 УНТ, <a href="/info/1850026">полученные методом пиролиза</a>. а,б,в — получены на катапизаторах <a href="/info/66706">группы железа</a> г — пленка из УНТ отслоившаяся от железной подложки д,е — фрагменты плёнки, указанной на рисунке г ж — ориентированные в одном направлении УНТ, полученные на медной подложке.
    Приготовление препаратов. Точное определение всех поправок представляет весьма сложную задачу и для повышения точности стараются уменьшить их число. При этом многое зависит от приготовления препаратов для радиометрических измерений. Наиболее простой способ приготовления препаратов заключается в нанесении точного объёма раствора на металлическую или стеклянную мишень с последующим выпариванием раствора. Этот метод имеет существенные недостатки пятно после выпаривания часто не находится в центре и площади пятен на параллельных мишенях различаются при значительном содержании солей толщина препарата становится значительной при выпаривании органических растворов часто наблюдается вылезание раствора на стенки мишени. Однако простота метода обеспечила ему широкую популярность. При выполнении некоторых предосторожностей удаётся получить хорошо воспроизводимые результаты и уменьшить количество вводимых поправок. Так, в проточных 4тг-счётчиках препарат наносится на тонкую плёнку и помещается внутри счётчика. В этом случае необходимо учитывать только поправку на схему распада Если наносить раствор на стеклянную или металлическую мишень, то можно использовать 2тг-геометрию, но при этом надо вводить поправку на отражение от подложки qi. [c.104]

    Алмазные плёнки с преимущественной ориентацией микрокристаллитов, которые называют ориентированными или текстурированными , были получены на монокристаллических подложках из кремния, никеля, кобальта, 51С, кубического ВН, иридия и платины (см. [59]), однако гетероэпитаксиальные монокристаллические алмазные плёнки с диаметром более 1 мм не были получены вплоть до последнего времени. Прорыв в этой области наметился в последние годы благодаря развитию технологии гетероэпитаксиального роста алмаза на монокристаллической плёнке иридия, гетероэпитаксиально осаждённого на подложку из MgO (100) [61-64] или сапфира [65-66]. Монокристаллические 1г и Рс1 являются одними из наиболее перспективных материалов, которые рассматриваются как подложки для гетероэпитаксиального роста монокристаллических алмазных плёнок. Действительно, они имеют близкое значение периода кристаллографической решётки (а = 0,3839 нм и а = 0,389 нм, соответственно), что соответствует менее чем 9% рассогласованию с решёткой алмаза а = 0,3567 нм). Кроме того, оба вещества не образуют карбидов и достаточно слабо растворяют углерод. Получены гетероэпитаксиальные плёнки размером до 5 мм. [c.283]


    При получении электропроводящих лаковых пленок суспензии наносят на подложки. В зависимости от вида получаемого изделия применяют различные методы нанесения лаковых плёнок. Наиболее распространенным методом нанесения проводящих пленок является метод окунания. Подложки, закрепленные в держатели, погружают в ванну с суспензией и извлекают из нее с постоянной скоростью. Толщина наносимой пленки определяется вязкостью суспензии и скоростью извлечения заготовок из ванны. Вязкость суспензии в ванне периодически корректируют добавлением растворителя, так как происходит постепенное испарение последнего. Отметим, что окунание отдельных оснований — малопроизводительная технологическая операция. Для оснований небольших размеров нанесение электропроводящих лаковых пленок указанным способом затруднено вследствие необходимости их индивидуального крепления. [c.88]

    Приготовление окислов в виде тонких плёнок производится путём нанесения очень тонкого слоя чистого мета лла с помощью катодного или термического распыления на стеклянную или кварцевую подложку н последующим окислением полученного слоя в воздухе при нагревании, до 600 С [280]. [c.350]

    Исследована структура фуллеритовых и металл-фуллереновых плёнок с разными массовыми долями компонентов. Плёнки осаждались в вакууме при остаточном давлении воздуха не более 10" Па на подложки из стекла, кремния и Na I. Для получения металл-фуллереновых плёнок использовались два испарителя (отдельно для металла и фуллерена См)- В качестве металлов были выбраны медь, олово и алюминий. Технологическими параметрами являлись 1) температура подложки 2) температура испарителя фуллеренов 3) температура испарителя металла (для металл-фуллереновых плёнок) 4) расстояние между подложкой и испарителем фуллеренов 5) расстояние между подложкой и испар1ггелем металла (для металл-фуллереновых плёнок). [c.209]

    Адгезия двух тел определяется близостью их по. мрностей, то есть интенсивностью молекулярных взаимодействий в этих телах и их совместимостью, то есть взаимной растворимостью, а также способностью к взаимному диффузионному проникновению частиц. При образовании полимерных покрытий вследствие усадки в плёнке возникают касательные напряжения, возрастающие с повышением толщины-нокрытия. Причиной нарушения адгезии часто являются не только эти внутренние напряжения, но и термические напряжения вследствие разности коэффициентов теплового расширения плёнки и подложки. Если плёнкообриующее вещество или клей в текучем состоянии яроникает в гл> бокие неровности поверхности или поры подложки, то после отверждения [c.54]

    Определение влагопоглощаемости плёнки на подложке [c.26]

    Bes hi htung / I. нанесение покрытия 2. кэширование (при нанесении готовой плёнки на. подложку) 3. дублирование ткани слоем пенопласта [c.94]

    В результате в кристалликах окиси бария появляются избыточные атомы свободного Ва. Появление этих атомов приводит, как увидим ниже, к активировке оксидного катода, т. е. к приданию ему необходимых эмиссионных свойств. Органическая связка при прокалке разлагается. Выделяющийся из неё углерод принимает участие в восстановлении окиси бария и в активировке катода. Так же действуют некоторые металлические примеси, вводимые в никелевую подложку. При прохождении тока через слой оксида частично происходит электролиз последнего, сопровождаемый выделением металлического бария на границе между подложкой и слоем оксида и выделением кислорода на внешней поверхности оксидного слоя. Накопляющийся на границе подложки свободный барий диффундирует на внешнюю поверхность оксидного слоя и образует здесь плёнку металлического бария. Этой плёнке раньше приписывали основное значение при объяснении большой эмиссионной способности оксидного катода, рассматривая этот катод как аналогичный торированному или бариевому, т. е. как плёночный. Поэтому активировку оксидного катода производили, отбирая эмиссионный ток от катода. [c.43]

    В первую очередь, структура краски должна разрушаться и краска должна стать низковязкой для облегчения переноса с помощью (или через) приспособления для нанесения. Из-за высоких скоростей сдвига и коротких промежутков времени, характерных для процессов переноса краски на поверхность, как эластичность, так и вязкое течение,- могут изменить характер поверхностных дефектов плёнки . Последние, как можно ожидать, воз растают из-за нестабильного гидродинамического течения, что связано с когезионным разрушением потока краски на выходе сопла распылителя или на поверхности раздела между пленкой, прилегающей к субстрату и выступающей кромкой, например валика, движущегося вдоль окрашиваемой подложки. [c.377]

    Развитие плёночной тематики привело к разработке вакуумно-дуговых методов нанесения металлических покрытий на диэлектрические и металлические изделия. Вакуумно-дуговая металлизация отличается высокой производительностью, возможностью наносить любые металлы и сплавы при сохранении их состава, широким диапазоном толщин наносимых плёнок большой прочностью сцепления плёнки с подложкой, малой энергоёмкостью, возможностью наносить покрытия на изделия любой формы и любых размеров. На базе плазменнодуговых источников создано оборудование для плазменно-дугового нанесения покрытий. Созданные технологии и оборудование позволяют кардинально решить важнейшую проблему замены в различных производствах экологически вредных мокрых процессов электрохимической гальваники на абсолютно экологически чистые процессы. Были разработаны и внедрены в производство экологически чистые процессы плазменно-дугового нанесения покрытий в производстве миниатюрных бесколпачковых и прецизионных резисторов, пьезокерамических элементов для систем гидроакустики без традиционного применения серебра, выводных рамок ИС с металлизацией алюминием вместо золота и др. изделий. [c.11]



Смотреть страницы где упоминается термин Подложки для пленок: [c.191]    [c.25]    [c.51]    [c.605]    [c.50]    [c.225]    [c.72]    [c.35]    [c.78]    [c.189]    [c.38]    [c.155]    [c.640]    [c.86]    [c.640]    [c.640]    [c.160]    [c.183]    [c.225]    [c.106]    [c.233]   
Инфракрасная спектроскопия полимеров (1976) -- [ c.57 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Адгезионное взаимодействие на границе пленка подложка и полимер наполнитель

Анизотропия магнитных пленок, влияние подложки

Вариант 2. Определение высоты шагрени лакокрасочного покрыПолучение лакокрасочных пленок, снятых с подложки (свободных пленок)

Вариант 3. Получение свободной пленки на стеклянной подложке

Влияние прочности взаимодействия на границе пленка — подложка на внутренние напряжения в покрытиях

Влияние размеров и природы полимерных пленок и подложек на

Граница пленки подложка

Магнитные пленки подложки пригодные

Майларовая пленка как подложка при анализе

Методы испытаний лакокрасочных покрытий (пленок) на подложках

Определение влагопогпощения пленкой, снятой с подложки

Пленка нанесение на подложки

Пленки-подложки, получение

Подготовка образцов лакокрасочных покрытий (пленок) на подложках к испытаниям

Подложка для цветных пленок

Подложки взаимодействие на границе пленка-подложка

Подложки влияние на свойства пленок, наносимых

Подложки влияние на свойства тонких пленок

Подложки для пленок ферритов

Подложки для эпитаксиальных пленок ферритов

Подложки общие требования к тонким пленкам

Подложки при нанесении пленок ионным распылением

Препарирование полимеров для дифракционных исследований, методы получение пленок-подложек

Приготовление пленок-подложек

Присоединение проводников к тонким пленкам, влияние подложки

Прочностные и адгезионные свойства пленок полимеров, деформированных совместно с подложками

Расширение между подложками и пленками

Реактивное испарение пленок влияние температуры подложки

Серебро, использование в качестве подложки при определении толщины пленок железа

Термическое расширение материалов под подложек и пленок

Тонкие пленки на подложках

Химические элементы на подложках (металл-пленка)

Цирконий как подложка при определении толщины пленки желез



© 2025 chem21.info Реклама на сайте