Диэлектрическое смещение

В обозначениях пьезоэлектрических параметров используют буквенные и цифровые индексы. Верхний буквенный индекс указывает величину, постоянную при его определении Т - механическое напряжение, - деформацию, Е - напряженность электрического поля, О - диэлектрическое смещение. Индексы 5 и Г относятся к электрическим параметрам, Е и О - к механическим. Первый нижний цифровой индекс характеризует направление электрического поля, второй - механического напряжения. [c.121]

Если объемный заряд в этом элементе трубы равен 5, то диэлектрическое смещение на цилиндрической стенке элемента будет [c.163]

Зная объемный заряд 5, можно определить диэлектрическое смещение О на стенке цилиндра радиусом, г, если приравнять [c.171]

В свою очередь, диэлектрическое смещение связано с напряженностью Е электрического поля в воздухе на поверхности струи уравнением [c.171]

Но помимо того, желая свести интересующие нас явления к запаздыванию диэлектрического смещения, мы должны будем допустить, что диэлектрическая постоянная от первоначального значения 2—10 возрастает непрерывно, переходя через 1000, 2000 и более. В то время как первоначальное значение диэлектрической постоянной есть величина действительно постоянная для данного материала, дальнейший ход явления в высокой степени подвержен ряду влияний и варьируется при переходе от одного экземпляра к другому в десятки раз. Естественно поэтому думать, что эти позднейшие явления не могут быть тесно связаны с диэлектрической поляризацией, устанавливающейся со скоростью света. [c.78]

Электромагнитное поле в пустоте описывается четырьмя векторами двумя полярными — вектором электрического поля Е и вектором диэлектрического смещения (или индукции) В — и двумя аксиальными — вектором магнитного поля Н и вектором магнитной индукции В. Они связаны между собой соотнощениями [c.143]

Тензор второго ранга, каким является поляризация кристалла Р электрическим полем Е, связан с диэлектрическим смещением (индукцией) D векторной диаграммой (рис. V.23). Иначе говоря [c.406]

Рис. У.23. Векторная диаграмма зависимости диэлектрического смещения (индукции) О от поляризации Р, вызванной полем Е

Заряд Q (в к) в жидкости равняется интегралу диэлектрического смещения О (в к/м ) по окружающей поверхности А (в м ) [c.204]

Так как диэлектрическое смещение D выражается через величину объемного заряда, то [c.206]

С другой стороны, согласно формальной классической теории, диэлектрическое смещение [c.627]

Диэлектрическое смещение D связано с электрическим полем Е соотношением [c.396]

Смолистые вещества нефтей с точки зрения их электрических свойств являются диэлектриками. Одной из основных количественных характеристик диэлектриков является диэлектрическая проницаемость (диэлектрическая постоянная). Эта величина показывает, во сколько раз уменьшается сила взаимодействия между электрическими зарядами, находящимися в диэлектрике, по сравнению с силой взаимодействия этих зарядов в пустоте. Диэлектрическую проницаемость П. Дебай [7] определяет как отношение диэлектрического смещения — индукции ( )) к напряженности электрического поля е = DIE. Величина диэлектрической проницаемости определяется молекулярной природой данного вещества, характеризует полярность его молекул и является поэтому очень важной физической характеристикой диэлектрика. [c.253]

По Фарадею, смысл подобного явления состоит в том, что разность потенциалов вызывает в веществе поляризацию. Тот факт, что диэлектрическая постоянная всегда больше единицы, означает, что все диэлектрики всегда поляризуются в одном направлении. При той методике, которая СЛУЖИТ для измерения диэлектрических постоянных, действие зарядов конденсатора в пУстоте и их действие на вещество накладываются одно на другое. Эти оба действия определяют возникновение поля внутри диэлектрика. Чтобы сделать более наглядной связь между поляризацией диэлектрика и диэлектрической постоянной, можно воспользоваться следующим мысленным опытом. Чтобы иметь возможность измерить силу, которая воздействует на некоторый пробный заряд внутри диэлектрика, представим в массе диэлектрика пустую полость, в которую внесем этот заряд. Сила, действующая на заряд, будет зависеть от формы этой полости. Для полной характеристики состояния внутри диэлектрика достаточно пока выбрать две формы такой полости. Представим сначала в пластинчатом конденсаторе очень узкое пространство, расположенное параллельно пластинам, т. е. перпендикулярно к направлению поля, и освобожденное от вещества. В это пустое пространство внесем только один пробный заряд, служащий для определения силы поля. Поле, действующее на этот заряд, называется диэлектрическим смещением 2). [c.51]

Различие между диэлектрическим смещением Ф и силой поля 6 зависит от поверхностной плотности электрического заряда на стенках узкого пространства, параллельного пластинам. Это обусловлено тем, что поверхностная плотность заряда на стенках канала равна нулю и не оказывает ПОЭТОМУ никакого влияния при измерении величины . Поэтому [c.52]

В целом теория должна учитывать три эффекта , а именно 1) анизотропию электрического поля, обусловленную формой дипольных молекУЛ, 2) диэлектрические смещения в молекулах растворителя, вызванные дипольными молекулами, и 3) индукционное воздействие дипольных молекул одна на другую, проявляющееся в растворах повышенной концентрации. [c.62]

Если произвольно выбрать любую длину волны, то для данной ДЛИНЫ волны можно вести расчет с постоянной а , следовательно, также с постоянным фактором пропорциональности между диэлектрическим смещением и силой поля, соответствующим диэлектрической постоянной. Соотношение между а и выводится при этом, так же как пораньше для а и г (стр. 53). В таком случае молярная рефракция будет выражаться следующей формулой [c.115]

Во многих физических задачах требуется знать поведение системы под влиянием тех или иных воздействий внешних механических нагрузок, электрических или магнитных нолей и т. п. Общий феноменологический принцип здесь обычно состоит в том, что достаточно слабые внешние воздействия порождают достаточно слабые отклики причем отклик пропорционален воздействию. Закон Ома в теории э.лектропроводности и закон Гука в теории упругости могут служить иллюстрациями таких пропорциональных зависимостей. Аналогия между электрическими и механическими явлениями прослеживается и в более сложных явлениях. Так, колебательный контур и маятник описываются формально тождественными уравнениями. Поведение поляризующихся сред в переменных электромагнитных полях может служить другим примером такой же аналогии достаточно напомнить, что поляризацию иногда связывают с диэлектрическим смещением , очевидно, из желания вызвать ассоциацию с механическим смещением. [c.104]

В осевом приборе [53, стр. 1731 вращающиеся лопасти и неподвижные пластины представляют собой плоские круговые секторы. Поскольку зазор между обтюратором и статором весьма 1 ал и они имеют потенциал земли или весьма близкий к нему, прибор вместе с измерительной головкой можно закрепить заподлицо с крышей резервуара. Он не влияет на напряженность измеряемого поля. Плотность заряда, наведенного на лопасти статора, равна диэлектрическому смещению/), которое и является фактически измеряемой величиной. ОднакЬ прибор калибруется в напряженностях поля Е для использования в воздухе, поскольку оба эти показателя связаны зависимостью О = гъ ,Е, показания прибора, калиброванного для применения в воздухе (е = 1), но фактически погруженного в углеводородную среду (е = 2), необходимо разделить на 2. [c.180]

Иначе обстоит дело в случае реальных диэлектриков. Вследствие отставания ориентации диполей молекул диэлектрика от поля по фазе и существования конечного периода диэлектрической релаксации часть электрической энергии поглощается и рассеивается в виде тепла. Ток, проходящий через такой конденсатор, уже будет состоять из двух частей тока диэлектрического смещения, или емкостного тока, равного = со]/е со и сдвинутого по фазе на 90° относительно приложенного переменного напряжения V, и тока потерь, или активного тока Г = соУе"со, находящегося в одной фазе с напряжением. Полный ток, проходящий через конденсатор, равен [c.32]

При воздействии внешнего электростатического поля в неполярном диэлектрике происходит процесс поляризации и диэлектрического смещения зарядов. В полярном диэлектрике в тех же условиях происходит процесс взаимодействия внещнего и внутрейнего полей, ориентация и поворот диполей и дополнительная поляризация вещества. [c.548]

Исследования Б. М. Гохберга и его сотрудников [67 ] показали, что SFg и SeFg обладают очень высокой прочностью по отношению к электрическому пробою. Учитывая химическую устойчивость И неядовитость SFg, они рекомендовали применение этого вещества в высоковольтных кабелях, конденсаторах, электростатических генераторах. О применении элегаза (условное название SFg) и поведении его в высоковольтном разряде см. также [53, 681. О диэлектрической постоянной и диэлектрическом смещении в элегазе см. [66, 69]. Полузаводское производство его описано [70]. [c.163]

Возрастание градиента потенциала может происходить различными путями. В случае наличия химического потенциала рассмотренное выше уравнение позволяет в качестве основы использовать теорию диффузии [1,2]. В случае, если градиент потенциала имеет электрическую природу, могут быть применены теории электропроводности, диэлектрических смещений, явлений перенапряжения и др. [3], Таким образом указанные выше уравнения могут быть использованы также в случае потери в амплитудах звуковых волн, вызванных кон-центрационны.м градиентом, так же как и в случае возникновения диффузии, возрастающей в связи с увеличением концентрационного градиента. [c.209]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология