Пересыщение растворов скорость роста создания

Выращивание кристаллов из растворов производят путем кристаллизации на заранее полученных зародышах или осколках кристаллов. Кристалл при этом растет медленнее и будет тем совершеннее, чем меньше величина пересыщения. Линейная скорость роста не должна превышать 1—2 мм за сутки (это соответствует построению около 100 плоскостей в секунду). Предпочтительно работать при повышенных температурах, так как при этом меньше вязкость раствора и выше скорость диффузии. При кристаллизации из неподвижного раствора следует позаботиться о создании условий для чрезвычайно медленного охлаждения пересыщенного раствора (хорошая теплоизоляция) или о поддержании постоянной температуры при одновременном медленном испарении растворителя. Процесс можно проводить в сосуде [c.134]

Для получения высокодисперсных систем необходимо создание высокого пересыщения при ограниченной скорости роста образовавшихся частиц. Это может быть осуществлено для труднорастворимых веществ, для которых уже небольшие концентрации отвечают значительному пересыщению. Наиболее высокодисперсные системы образуются при смешении сравнительно высококонцентрированного раствора одного вещества с очень разбавленным раствором другого, с которым первое вещество образует труднорастворимое соединение. Высокая концентрация первого вещества обеспечивает высокое пересыщение и большую скорость возникновения зародышей, тогда как малая концентрация второго ограничивает скорость роста образовавшихся зародышей вследствие медленности диффузии из разбавленного раствора. [c.136]

Рассмотрим процесс непрерывной кристаллизации в аппарате, куда поступает исходный раствор не содержащий затравки. В результате удаления некоторого объема растворителя 1/р и создания постоянного пересыщения т происходит образование N зародышей критического размера г и дальнейший их рост с линейной скоростью, зависящей от со и текущего радиуса кристалла г. [c.149]

Наиболее крупные кристаллы образуются при невысокой скорости циркуляции (VF=0.3 м/сек.) и медленном охлаждении раствора (0 = =0.08 град./мин.), т. е. при низком пересыщении. В этих условиях в начальный момент кристаллизации образуется сравнительно небольшое количество зародышей, которые многократно проходя через область создания пересыщения, значительно увеличивают свои размеры. При той же скорости циркуляции, но резком охлаждении раствора (0 = = 1.33 град./мин.) процесс протекает при значительно более высоком пересыщении 1 ], т. е. в условиях, когда скорость образования центров кристаллизации начинает обгонять скорость их роста. При этом уже в первые периоды кристаллизации возникает огромное количество зародышевых кристаллов, число которых непрерывно увеличивается в ходе процесса, что и приводит к образованию мелкокристаллического продукта (d p= =0.25-0.27 мм). [c.218]

Из полученных данных следует, что, несмотря на разбавление растворов зародышевыми суспензиями и соответствующее уменьшение пересыщения, добавление зародышей в 2—8 раз сокращает время достижения максимальной скорости рекристаллизации. Однако зародыши прежде всего влияют на скорость кристаллизации. Об этом свидетельствует факт увеличения в размере самих затравочных кристаллов в процессе кристаллизации. Кроме того, влияние зародышевой суспензии более резко сказывается, когда пересыщение достигается путем медленного сливания растворов, т. е. когда скорость роста соизл1ернма со скоростью создания пересыщения. При мгновенном сливании растворов скорость нарастания пересыщения превышает скорость роста каждого кристалла и в объеме раствора образуются новые центры и новые [c.34]

Соотношения (14,2,3,4) и (14,2,3,5) не учитывают многих физико-химических явлений, сопутствующих протеканию массовой кристаллизации (в частности, влияния флуктуаций скорости роста кристаллов). Специально прокомментируем роль температуры в процессе массовой кристаллизации. При кристаллизации основными теплообменными факторами, влияющими на процесс, являются тетиюта (положительная) образова-ши решетки, отрицательная теплота сольвататщи и теплота, поступаюшая извне (через теплообменник). Первые два фактора, влияющие на кинетику роста частиц, действуют в противоположных направлениях и могут приводить как к тепловыделению при кристаллизации, так и к поглощению тепла, В промышленной практике часто используют изогидрическую кристаллизацию, при которой для создания необходимого пересыщения исходный насыщенный раствор охлаждают, т, е. влияют на пересыщение через функцию С (7) (см. рис. 14.2.2.2)), Эго особенно эффективно, когда растворимость кристаллов достаточно сильно зависит от тем- [c.336]

Эта теория в качественных выводах достаточно хорошо подтверждается экспериментальными данными. Так, она аглядно объясняет стремление кристаллов покрываться плоскими, а ие кривыми поверхностями сам факт роста кристаллов в виде многогранников свидетельствует о значительном отличии линейных скоростей роста отдельных граней. Кроме того, задолго до создания законченной теории послойного роста опытным путем было обнаружено [169, 170], что кристалл в пересыщенном растворе растет не плавно, а скачками, т. е. после некоторой (иногда продолжительной) остановки наблюдается быстрое отложение вешества на грани в виде прирастающего слоя со строго параллельным расположением частиц, который сразу покрывает всю грань или большую ее часть. Некоторые исследователи [93, 171 — 174] смогли пронаблюдать слоистый рост кристаллов, причем для гетерополярных веществ зарождение каждого нового слоя начиналось из углов грани. [c.89]

Процесс кристаллизации из раствора в общем случае определяется степенью пересыщения и соотношением скоростей создания пересыщения и кристаллизации. В условиях синтеза эмульсий имеет место в начальный период и сильное пересыщение, и большая скорость образования кристаллов,— поэтому подбор нужного сочетания условий проведения процесса представляет особую трудность. В двух крайних случаях кристаллизационный процесс может происходить или за счет созданного при эмульсификации (в результате реакции двойного обмена Ag -f Hal -v AgHal) пересыщения и дальнейшего роста эмульсионных зерен по Оствальду, или за счет постепенного введения в реакционную смесь реагирующих веществ. На практике протекают всегда оба процесса одновременно, один из них может являться лишь преобладающим. [c.282]

Тетрафторид урана осаждается в виде осадка кристаллогидратов. На процесс образования и роста кристаллов тетрафтор1зда урана влияют многие факторы. По современным представлениям, вещество осаждается вследствие образования термодинамически неустойчивых пересыщенных растворов. При этом большинство осадков обладает аморфной или скрытокристаллической структурой. Это объясняется большой скоростью ионных реакций и высокой степенью пересыщения, возникающего в результате значительного превышения исходных концентраций по сравнению с равновесными. Степень пересыщения характеризуется избыточной свободной энергией системы, которая расходуется на создание границы раздела фаз. От степени пересыщения зависит размер зародышей с увеличением пересыщения размеры зародышей уменьшаются. В менее пересыщенных растворах кристаллизация возможна лишь на вносимых извне затравках . [c.283]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология