Системы, образующие при кристаллизации химические соединения

Неизоморфные смеси, образующие устойчивое химическое соединение. Диаграмму температура—состав (рис. 43) для устойчивого химического соединения можно считать состоящей как бы из двух диаграмм обычного типа первая диаграмма отвечает системе компонент А — химическое соединение, вторая — системе то же самое химическое соединение — компонент Б. В первой системе образуется эвтектика Эи во второй — несходная с З1 эвтектика З2. Левее вертикали Э1 — вх и правее вертикали Э2 — ва происходят процессы, аналогичные уже рассмотренным выше, т. е. кристаллизация начинается с выделения компонента А или соответственно компонента Б с последующим выпадением химического соединения (в точках Э1 или Э2). Правее вертикали Э1 — в1 и левее вертикали Э2 — вг охлаждение расплавов приводит к кристаллизации химического соединения с последующим выделением компонента А (или Б) в точках Э, (или Эг). [c.127]

Диаграммы, показывающие зависимость температуры начала кристаллизации или плавления от состава, называются диаграммами плавкости. Возможны три типа сплавов, когда вещества а) не образуют химического соединения, б) образуют твердые растворы, в) образуют устойчивое химическое соединение. Мы здесь рассмотрим только системы типа а . [c.52]

На рис. 9.14 изображена диаграмма плавкости трех не вступающих в химическое соединение взаимно нерастворимых в твердом состоянии компонентов. В жидком состоянии эти компоненты неограниченно растворимы друг в друге. Диаграмма построена следующим образом. Б основании диаграммы лежит треугольник концентраций, а перпендикулярно его плоскости откладывают температуры начала и конца кристаллизации расплавленных смесей различного состава. В результате такого построения на диаграмме образуется сложная, состоящая из нескольких частей поверхность ликвидуса и проходящая через точку Е перпендикулярно оси температур плоскость солидуса (на рисунке не показана). Из рис. 9.14 видно, что на стороны треугольника концентраций опираются плоские диаграммы плавкости бинарных систем с простой эвтектикой. Движение фигуративной точки от сторон внутрь треугольника концентраций означает, что к бинарной системе добавляется третий компонент. Температура начала кристаллизации при этом понижается. Это аналогично понижению температуры начала кристаллизации при добавлении к одному из веществ бинарной системы второго компонента. [c.174]

Первая диаграмма отвечает системе вещество А — химическое соединение, вторая — системе химическое соединение — вещество В. В первой системе образуется эвтектика (А + АВ), во второй системе образуется эвтектика F (АВ + В). Левее вертикали EL и правее вертикали FN происходят процессы, аналогичные уже рассмотренным, т. е. кристаллизация начинается с выделения вещества А или соответственно вещества В с последующим выпадением эвтектических смесей Е н F, Правее вертикали EL и левее вертикали FN охлаждение рас- [c.231]

Ра с плав обогащен по сравнению с химическим соединением компонентом А (точка 3). После израсходования всех кристаллов В при температуре Iq останется некоторое количество жидкости состава С, система станет двухфазной (расплав С + тв. А В, ) и моновариантной. Поэтому при дальнейшем охлаждении из жидкости выделяются кристаллы А Вт, а состав ее меняется вдоль кривой СЕ, пока не будет достигнута эвтектическая точка Е. Так как при эвтектической температуре жидкость насыщена н химическим соединением, и компонентом А, процесс заканчивается образованием эвтектики (тв. А + тв. А Вт). Таким образом, в процессе кристаллизации химического соединения точкам на прямой DF отвечает система, состоящая из трех фаз расплава, кристаллов В и кристаллов химического соединения АдВ . [c.175]

СИСТЕМЫ, ОБРАЗУЮЩИЕ ПРИ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ХИМИЧЕСКИЕ СОЕДИНЕНИЯ [c.25]

Исходя из этих положений, М. А. Клочко [13] установил девять типов изотерм удельной электропроводности в двойных системах расплавов (рис. 59). Типы / и /У относятся к тем самым случаям, когда оба компонента и образующееся при кристаллизации химическое соединение не проводят ток. В случаях простых систем, не образующих при кристаллизации химических соединений, электро- [c.117]

Следует отметить, что в сложных трехкомпонентных системах, характеризующихся наличием нескольких химических соединений и имеющих значительное количество полей кристаллизации, нанесение полей твердых растворов представляет больщие трудности. Поэтому для удобства фазы, образующие между собой твердые растворы, соединяются только прямой линией, частично или полностью заштрихованной в зависимости от того, является ли ряд твердых растворов ограниченным или непрерывным. [c.90]

Диаграмма состояния рассматриваемой системы дает возможность теоретически определять составы образующихся кристаллических фаз в стекле и намечать пути устранения пороков стекла, вызываемых кристаллизацией. Так, известно, что наибольшей скоростью кристаллизации отличаются расплавы, отвечающие составам химических соединений, и, наоборот, наименее склонны к кристаллизации эвтектические составы и составы, точки которых лежат на пограничных кривых. [c.122]

Если компоненты системы образуют непрочное химическое соединение, разлагающееся ниже температуры плавления, т. е. инко-груэнтно плавящееся соединение, то отвечающий ему максимум М попадает в область под кривой ликвидуса одного из компонентов, например компонента В, как это показано пунктиром на рис. 1-10, а. В таких системах при температуре выше Ьр соединение А Вп распадается на жидкую фазу состава, соответствующего точке Р, и твердую фазу В. Кривая ликвидуса состоит из трех ветвей, из коих 1аЕ соответствует температурам начала кристаллизации компонента А, ЕР — температурам начала кристаллизации соединения АтВп и Р1в — температурам начала кристаллизации компонента В. [c.30]

Во втором случае (расплав И) при кристаллизации химического соединения полностью используются как расплав, так и кристаллы a- aSiOg, и система образует одну фазу—кристаллическое химическое соединение, состав которого не изменяется при дальнейшем отнятии теплоты. [c.387]

Таким образом, в процессе кристаллизации химического соединения точкам на прямой d во всех трех случаях отвечает система, состоящая из трех фаз расплава, кристаллов a- aSiOg и кристаллов химического соединения. [c.387]

Точки ь Ег и 3 соответствуют составам двойных эвтектик, а точка Е — составу тройной эвтектики. Направление падения температур на пограничных кривых показывают стрелками. Температуры плавления эвтектических и других инвариантных смесей системы, а также химических соединений указывают цифрами против определенных точек. Область АЕ1ЕЕ2 образуется при проектировании на основание призмы участка поверхности ликвидуса, по которой идет кристаллизация компонента А. Такая область носит [c.72]

Системы с образованием химических соединений, плавящихся конгруэнтно. Плавление называется конгруэнтным (от латинского слова сопйгиёп11з — совпадающий), если состав жидкости совпадает с составом твердого химического соединения, из которого жидкость образовалась. Диаграмма плавкости двух компонентов, образующих одно химическое соединение, плавящееся конгруэнтно, приведена на рис. 142. Эта диаграмма является как бы сочетанием двух диаграмм плавкости с одной эвтектикой. Так как в рассматриваемой системе М —РЬ образуется одно химическое соединение, то из расплава могут кристаллизоваться три твердые фазы компонент А(Мр), компонент В(РЬ) и химическое соединение PbMg2. Прибавление магния или свинца к химическому соединению приводит к понижению температуры начала кристаллизации из расплава химического соединения. В связи с этим линия ликвидуса Е СЕ химического соединения, плавящегося конгруэнтно, имеет максимум (фигуративная точка С), отвечающий температуре плавления химического соединения. Температурный максимум на кривой плавкости называется дистектикой (от греч. слова с1151ек11к — трудно плавящийся). Положение этого максимума строго соответствует составу образующегося соединения. Система, изображенная на диаграмме точкой С, инвариантна (С = 1—2 -Ь 1 = [c.405]

АЕСВ представляет собой линию ликвидуса. Ветвь АЕ — линия кристаллизации компонента М ветвь ЕС — линия кристаллизации химического соединения плавящегося инконгру-знтно ветвь ВС — линия кристаллизации компонента N. Прямые GEL и D — линии солидуса (от латинского solidus — твердьи ). Фазовые превращения, протекающие по линиям АЕ и ВС, аналогичны превращениям в системе d — Bi (см. рис. 8, а). Превращения, происходящие на линии D, требуют пояснения. Если охлаждать жидкость, обозначенную точкой г, то в точке р начнется кристаллизация компонента N. При дальнейшем охлаждении кристаллизация N продол>кается по кривой ВС до пересечения с кривой ЕС. В точке С находятся в равновесии три фазы жидкая, твердые фазы M N , и N. Число степеней свободы в этой точке равно нулю. Если отнимать далее от этой системы теплоту, то будет происходить кристаллизация соединения M N , которое образуется за счет взаимодействия жидкой фазы, отвечающей точке С, и кристаллов N, на которые распалась система при нагревании в точке С. Процесс образования и кристаллизации происходит при постоянной температуре до полного исчезновения твердой фазы N. Далее, если охлаждать систему, происходит кристаллизация M N по кривой СЕ. В точке Е кристаллизуется эвтектика M,N, + М. [c.120]

Диаграммы 2-го типа получаются, если при сплавлении двух компонентов образуется химическое соединение, тогда на диаграмме плавкости появляется максимум, отвечающий составу химического соединения. Такие. дпапраммы можно рассматривать как сочетание двух диаграмм с одной эвтектикой. Первая диаграмма отвечает системе вещество А — химическое соединение, вторая — системе химическое соединение — веп ество В (рис. 14, в). На диаграмме плавкости образуются две эвтектики (точки Е и Е). Точками Ь я N показа,ны составы двух эвтектических смесей, а точка М соответствует составу химического соединения АщВп, которое кристаллизуется при постоянной температуре. Линии СЕ и СР соответствуют температурам начала кристаллизации химического соединения АтВп. Слева от прямой СМ химическое соединение находится в смеси с компонентом А, а оправа — с компонентом В. [c.63]

Физико-химические свойства фосфидов индия и галлия. Диаграммы состояния систем 1п—Р и Са—Р приведены на рис. 39, 40. В рассматриваемых системах образуется по одному соединению эквиатомного состава. Эвтектики с обеих сторон вырождены. Оба соединения обладают значительным давлением пара при температуре плавления вследствие диссоциации. Так, для фосфида индия при 1055°С давление достигает 25 атм, а для фосфида галлия при М67°С — 45 атм. Оба соединения относятся к алмазоподобным полупроводникам, кристаллизуются а структуре сфалерита. При спонтанной кристаллизации из избытка металлического компонента или из индифферентного растворителя соединения выделяются в виде пластинчатых и нитевидных кристаллов серого (1пР) или оранжево-красного (СаР) цвета. [c.72]

Если два компонента трехкомпонентной системы образуют химическое соединение состава АтВп, плавящееся конгруэнтно, то на диаграмме состояния появляется дополнительное поле кристаллизации этого соединения и возникают две тройные эвтектики (рис. 30). Существование одной тройной эвтектики в такой системе невозможно, поскольку тогда бы к одной точке примыкали все четыре поля кристаллизации и в равновесии должны были бы находиться четыре твердые и одна жидкая фазы, что противоречит правилу фаз (в изобарной тройной системе число фаз в инвариантной точке не может быть больше 4). Появляется также новая пограничная кривая Е]Е2, разделяющая поля кристаллизации твердых фаз АтВп и С. [c.76]

На этой диаграмме точке отвечает температура плавления индивидуального химического соединения АтВп. Расплавы, отклоняющиеся от этого состава, т. е. содержащие избыток компонента А или компонента В и представляющие собой растворы, кристаллизуются при более низких температурах по сравнению с Т . Кристаллизация химического соединения описывается двумя линиями ликвидуса ТсЕх и Т Е , а кристаллизация чистых компонентов — линиями ТаЕ и В системе образу- [c.89]

Следует подчеркнуть, что система N1—Мп — графит при соотношении металлических компонентов, близком к эвтектическому, обладает высокой вопроизводимостью результатов спонтанной кристаллизации алмаза по сравнению с системами на основе других переходных металлов. Поэтому данную систему целесообразно было использовать при изучении влияния добавок различных элементов к металлу-растворителю на процесс спонтанной кристаллизации. Элементы, воздействие которых изучалось, можно разделить на три основные группы. К первой относятся бор, азот, алюминий, способные в различной степени входить в решетку алмаза, образуя структурную, электрически активную для алмаза примесь. Вторая группа представлена металлами, образующими прочные химические соединения с углеродом и хорошо смачивающими поверхность алмаза — титан и цирконий. В третью группу входят металлы, взаимодействие с углеродом которых носит преимущественно физический характер и которые обладают низкой адгезией к алмазу и графиту (разжижающие добавки), — индий, галлий, медь, олово, сурьма. [c.379]

Слово дистектика по-гречески означает трудно плавящийся . На рис. 48 дистектика М отвечает составу 50 молярных процентов АШГд и 50 молярных процентов С НйСОС , т. е. составу химического соединения бромистого алюминия и хлористого бензоила. В точке М касательная к кривой ликвидуса резко меняет свое направление. Мы увидим дальше, что далеко не все дистектические точки обладают этим свойством. Те дистектики, в которых подобно М на рис. 48 кривая ликвидуса резко меняет свое направление, но предложению Н. С. Курнакова, называют сингулярными или особенными точками на диаграммах плавкости. Нередко встречаются такие системы, в которых кривые кристаллизации химического соединения 71/ 1 и МЕ плавно переходят друг в друга, иначе говоря, сингулярная точка отсутствует. Примером могут служить системы а-тринитротолуол — а-нитронаф-талин 25], диаграмма плавкости которой изображена на рис. 49, системы хлористый калий — хлористый кальций, камфора — резорцин, дифенилметан — хлористая сурьма, магний—медь и др. Надо подчеркнуть, что сингулярные точки (например, точка М на рис. 48) коренным образом отличаются от точек пересечения кривых на диаграмме плавкости. Сингулярная точка нредстав.чяет собой точку прекращения различных ветвей кривой ликвидуса или солидуса. [c.215]

Система А — В в области состава химического соединения относится к типу с неограниченной растворимостью в жидком и твердом состояниях. Поэтому взаимное расположение ликвидуса и солидуса на диаграмме в области кристаллизации химического соединения (твердого раствора на его основе) аналогично системам с неограниченной растворимостью без химических соединений. Отсюда следует, что, как и в системах без химических соединений, в системах с химическим соединением ликвидус должен в экстремальной точке касаться солидуса. В точках перегиба кривые ликвидуса и солидуса могут взаимно касаться друг друга, а могут проходить на диаграмме и разобщенно. В результате этих рассуждений приходим к выводу, что существованию химических соединений в реальных двойных системах отвечают четыре формы ликвидуса и солидуса с максимумом, минимумом и точками перегиба. Кривые с экстремальными точками взаимно касаются в этих точках. Ликвидус и солидус в точках перегиба либо касаются друг друга, либо проходят на диаграмме разобщенно. Точки экстремума и перегиба на кривых ликвидуса и солидуса являются геометрическими образами на диаграмме плавкости, отвечающими существованию химического соединения. Они же — курнаковские точки. При отсутствии касания точки нерегиба на кривых ликвидуса и солидуса лежат на одной горизонтальной прямой, т. е. положение их на диаграмме отвечает одной и той же температуре — самой высокой температуре плавления соединения в системе. Равенство температур ликвидуса и солидуса в точках перегиба разобщенных кривых еще не получило теоретического обоснования, в случае касания ликвидуса и солидуса оно — прямое следствие касания. Для разобщенных кривых с точками перегиба на ликвидусе и солидусе равенство температур точек перегиба является экспериментальным фактом. [c.263]

Если два компонента системы образуют химическое соединение, разлагающееся при нагревании в твердом виде, то при добавлении к нему третьего компонента температура плавления смесей может понизиться настолько, что станет ниже температуры разложения вещества. Тогда на диаграмме состояния трехкомпонентной системы появляется поле кристаллизации двойного соединения, расположенное внутри диаграммы (рис. 34). Оно ограничивается тройной эвтектикой Е, точкой двойного подъема О и новой тройной инвариантной точкой О, которая носит название точки двойного [c.81]

Четверные химические соединения в системе MgO—СаО— AI2O3—Si02 также не образуются. Поэтому в общем виде границы областей первичной кристаллизации некоторых фаз в этой четверной системе могут быть представлены так, как показано на рис. 85. [c.146]

Смотреть страницы где упоминается термин Системы, образующие при кристаллизации химические соединения: [c.86] [c.63] [c.385] [c.405] [c.107] [c.118] [c.60] [c.302] [c.110] [c.367] [c.367] [c.324] [c.324] [c.74] [c.300] [c.107] [c.73] [c.125]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология