мети л хи типы

Рис. 5. Защитный бокс на одно рабочее место типа

Ионы кальция в силикатах обычно связаны с шестью или семью ионами кислорода, удаленными от них примерно на 2,4 А и образующими правильный или искаженный октаэдр. В дегидратированном шабазите такую октаэдрическую координацию можно получить, если поместить Са в центр гексагональной призмы (место 1), где он притягивает по три кислорода от каждого 6-членного кольца. В элементарной ячейке имеется только одно такое место. Места 2 расположены вблизи 6-членных колец и имеют почти плоскую координацию в ячейке два места такого типа. Все остальные места (тип 3), расположенные на стенках больших полостей, координированы значительно хуже. Мало вероятно, чтобы катионы одновременно занимали места 1 и 2 в гексагональной призме ввиду сильного электростатического отталкивания. Следовательно, / (1)+0,5р(2)<1, где /7(1) и /7(2) — заполнение соответствующих мест. Рентгеноструктурный анализ дегидратированного Са-шабазита указывает на следующее распределение 0,6 Са(1), 0,7 Са(2) и, по-видимому, 0,7 Са(3). Таким образом, около % гексагональных призм занято Са(1), а на остальных Уз расположено по два Са(2). Отметим, что приведенное выше условие выполняется. Возможно, локализация ионов Са зависит от распределения А1 и 81 в каркасе. [c.50]

Основываясь на описанных выше моделях, мы приходим к заключению, что для чужеродных элементарных частиц, по степени их взаимодействия с поверхностью кристалла, будут иметь место подобные же энергетические различия, зависящие от числа соседей, которые способны образовать связь с этими чужеродными частицами. Конечно, иной тип связи, возникающей между поверхностными я чужеродной частицами, и другие геометрические размеры последней накладывают специфический отпечаток на описываемое здесь явление хемосорбции. Тем не менее кристаллохимическая характеристика активного места на кристалле является первичной и основной как в процессах конденсации, так и для хемосорбции и фазовых переходов, начинающихся с хемосорбции. Во всех этих явлениях наиболее активную роль должны играть места типа 3, хотя и другие места 1, 2 во многих случаях могут явиться ареной химического взаимодействия, особенно в случае большой свободной энергии процесса, способного развиться в системе твердое тело — реагент. [c.146]

Первый порядок реакции, наблюдаемый при температурах 700—1600°, относится к местам типа 1. Из фигуры видно, что скорость реакции на этих местах [c.173]

Для п произвольно выбирается значение 2, число мест типа 1, которые образуются, когда окисел типа 2 покидает поверхность. Расчеты совершенно нечувствительны к значению, выбранному для п. Однако было найдено, что для того, чтобы дать удовлетворительное толкование полученным данным, значение для п должно быть выбрано равным 1. Это значит, что, когда место типа 1 сгорает, появляется новое место типа 1. Так как этот тип 1 реакции обычно должен быть первого порядка, из уравнения (2) можно видеть, что k-i kip и, следовательно, 5i = kip/k-i — число, гораздо меньшее 1. Аналогично, поскольку тип 2 реакции должен быть нулевого порядка, k-2 k2P и уравнение (3) дает 8г = = 1. Это приводит к выражению для скорости реакции [c.175]

Из уравнения (5) следует, что максимум аррениусовской кривой достигается уменьшением значения f. Значение / уменьшается, так как число мест типа I превращается в тип 2 в процессах 5 и 6. Процессы 5 и 6 представляют собой два конкурирующих процесса, и, таким образом, или один, или другой из них будет доминировать. Для того чтобы получить значение I для установившегося состояния, необходимо иметь обратный процесс, когда места типа 2 уступают типу 1. Конкурирующими путями для этого являются процессы 4 и 7. Снова можно ожидать, что один процесс будет доминировать над другим. Тот факт, что / не должно зависеть от давления, определяет направления, по которым идут процессы 4—7. Из уравнения (5) следует, что, если / не зависит от давления, возможны два случая. Случай 1 [c.176]

На каждую ячейку, цеолитов типа X и Y приходится 16 мест типа Sy 32 места типа S и 48 мест типа 5 Заполнение этих мест зависит от концентрации компенсирующих катионов. Концентрация катионов определяется отношением Si/Al и зарядом ка- [c.338]

ШКАФ вытяжной НА ОДНО РАБОЧЕЕ МЕСТО ТИПА 1Ш [c.32]

Рис. 23. Шкаф вытяжной на одно рабочее место типа 1Ш.

ШКАФ ВЫТЯЖНОЙ НА ДВА РАБОЧИХ МЕСТА ТИПА 2Ш [c.34]

Рис. 24. Шкаф вытяжной на два рабочих места типа 2Ш.

ШКАФ ВЫТЯЖНОЙ НА ТРИ РАБОЧИХ МЕСТА ТИПА ЗШ [c.36]

Рис. 25. Шкаф вытяжной на три рабочих места типа ЗМ.

КАМЕРА НА ОДНО РАБОЧЕЕ МЕСТО ТИПА 6К-СТ [c.42]

Рис. 28. Камера на одно рабочее место типа 3-КНЖ.

Рис. 30. Камера на два рабочих места типа

КАМЕРА НА ДВА РАБОЧИХ МЕСТА ТИПА 5К-СТ [c.52]

Универсальная камера состоит из двух секций, соединенных форкамерой. Левая секция представляет собой камеру с перчатками на одно рабочее место типа 1-КНЖ, правая — камеру типа КШ. [c.54]

Из этих рассуждений следует, что кристалл должен расти закономерно, за счет присоединения ионов в тех местах, где это сопровождается наибольшим выигрышем энергии, т. е. где больше вероятность восстановления. Однако нет никакого принципиального запрета очередному иону занять положение 2 или 1. Меньшая вероятность такого акта означает не запрет, а только то, что случается это реже. Если бы такие случаи, как присоединение иона в положение 1, не имели места вовсе, то двухмерный зародыш не мог бы развиться в объемный кристалл. Достаточно иону занять положение 1, как около него образуются места типа 3 и начинается рост второй плоскости решетки. Так образуется объемный кристалл. [c.504]

Эхо-импульсный метод возможен только для контроля тонких изделий. Однако разрешаюш,ая способность в осевом и боковом направлениях ухудшается из-за необходимости применения низких частот. Поэтому обычно можио применить только прозвучивание (теневой метод) либо с двумя искателями с разных сторон изделия, либо с одной стороны при У-образном прозвучивании или только и 1 основе эхо-импульса от задней стенки или от одного отражателя, расположенного сзади за контролируемым изделием. Поскольку направленное движение в контакте со сложными геометрическими формами затруднено, используется акустический контакт через свободные водяные струи (squirter — струйное устройство). На рис. 29.11 показано такое устройство в установке фирмы Кандет (Торонто). На этой установке при помощи трех пар таких сопел контролируются детали самолетов из композиционных материалов или сотовых конструкций размерами в несколько метров в вертикальном положении. В струе воды применено специальное успокоение, что делает возможным даже контроль в эхо-импульсном режиме. При скорости 0,3 м/с можно обнаруживать дефектные места типа непровара начиная с размера около 30 мм . Результаты изображаются в виде развертки типа С шириной около 0,9 м. [c.567]

На рис. 5 показано наиболее активное место (типа 3) на грани куба гранецептрированного кубического металла (например, платины), представляющее собой входящий трехгранный угол, ограниченный центрами атомов платины, показанных на чертеже в виде штрихованных кружков. Незаштрихованными пунктирными кружками обозначены центры вакантных мест, не занятых во время образования катализатора. На этих вакантных местах и удерживаются три пары углеродных атомов (черные кружки), составляющие адсорбированное бензольное кольцо, Приведен- [c.147]

Рассмотрим теперь следующие процессы, которые происходят на поверхности 1) образуется поверхностный окисел типа 1 2) образуется поверхностный окисел типа 2 3) поверхностный окисел типа 1 покидает поверхность 4) поверхностный окисел типа 2 покидает поверхность 5) свободные места типа 1 превращаются в места типа 2 с константой скорости первого порядка кз 6) поверхностный окисел типа 1 становится на место окисла типа 2 константа скорости для этого процесса первого порядка 4 7) места типа 2 превращаются в места типа 1 со скоростью, которая пропорциональна числу мест типа 2 и скорости, с которой окисел типа 1 покидает поверхность. Скорость этого процесса дается выражением (1/а) e i6i (1—/) Л , где 1/а — коэффициент пропорциональности. Возможность процесса 7 будет показана, когда будет обсуждаться физическая интерпретация кинетики. Эти процессы влияют на N(dfldt) следующим образом [c.174]

В смеси имеется Мхха мест типа а и Л (1—гх ) мест типа Ь. При беспорядочном распределении число ионов С , находящихся в положениях типа а, равно ЫгххХс. Количество ионов С , находящихся в положениях типа а, в случае, если смесь не является совершенно беспорядочной, обозначим N гхАХс +гу), где у — отклонение от беспорядочного распределения. Аналогично число ионов О и С в положениях Ь и число ионов О" в положениях а равно соответственно Л [(1—гхА)хп + гу ЛГ[(1—гхр х а — гу и N[гхАХв — гу). Подставляя эти величины в уравнение (63), получим [c.216]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология