Схема движения дислокаций

Рис. 2-12. Схема движения дислокации в поле точечных стопоров

Схема движения а- и -дислокаций в параллельных плоскостях скольжения в структуре сфалерита [c.333]

Известно, что наличие фазы II в материале приводит к его существенному упрочнению. При прогнозировании прочности КМ необходимо основываться на теории максимальных параметров напряжения, деформации, работы. При достижении максимального значения любого из параметров происходит разрушение. Схемы составляющих разрушений в зависимости от природы КМ различны и включают следующие компоненты разрушения (отрывы) на границе фаз, в матрице или ДФ. По известным классическим представлениям [47, 49, 161] упрочнение КМ реализуется через микрочастицы, препятствующие движению дислокаций в металлической матрице. Матрица несет основную механическую нагрузку, и степень ее упрочнения за- [c.140]

На этот вопрос и отвечает теория дислокаций. Оценка оперировала с совершенным кристаллом. А в кристалле всегда есть дислокации. И в процессе пластической деформации они перемещаются, мигрируют через кристалл. На рис. 27 показана схема движения краевой дислокации она возникает на левом краю кристалла и, дойдя до правого, исчезает. [c.88]

Рнс. 27. Схема движения краевой дислокации через кристалл при пластическом деформировании. [c.89]

Рис. 47. а) Схема образования краевых дислокаций при движении плоского фронта роста. Часть атомных плоскостей оканчивается внутри затвердевшей области монокристалла, благодаря чему среднее расстояние между атомными плоскостями соответствует температуре данного слоя монокристалла б) обш,ее расположение дислокаций [68] [c.68]

Один из главных типов дислокаций — краевая, или линейная, дислокация. Схема образования краевой дислокации показана на рис.У-9. На этом рисунке представлено сечение решетки кристалла с одной избыточной полуплоскостью (перпендикулярной плоскости рисунка). Ниже плоскости скольжения АВ кристалл растянут, а выше ее — сжат. Линия, находящаяся в плоскости скольжения и проходящая через точку С (перпендикулярно плоскости рисунка), называется линией дислокации. Дислокация выходит на поверхность в виде ступеньки. Сила, действующая на поверхность выше АВ, приводит к скольжению одной части решетки относительно другой, что отражается на виде поверхности кристалла. При непрерывном движении С влево линия дислокации выйдет на поверхность и решетка верхней части тела примет нормальный вид. Этот процесс весьма напоминает движение сложенного пледа, который тянут за нижние складки. [c.216]

Схема формирования фигур травления на последовательных этапах (I—V) движения краевой дислокации Вид сбоку (а) и сверху (б) [c.351]

Рассмотрим в качестве примера движение в кристаллическом теле дислокации через случайную сетку одинаковых точечных препятствий [55, рис. 188]. Под действием внешних сил дислокация перемещается в направлении препятствий и зависает на них (рис. 2-12, кривая ), выгибаясь до равновесного радиуса кривизны, определяемого силой линейного натяжения дислокации. Угол огибания скользящей дислокацией препятствий будет различным в зависимости от расстояния между ними. Вследствие линейного натяжения дислокации последняя воздействует на препятствие с определенной силой F. При F>Fo Fo — минимальная сила, необходимая для преодоления препятствия) дислокация пересекает энергетический барьер и движется дальше, пока не образуется конфигурация с углами а>акр для всех касающихся дислокации препятствий и ее движение становится невозможным (рис. 2-12, кривая 2). Увеличение сдвигового напряжения снова вызывает новое перемещение дислокации (кривая 3), конечным результатом которого является деформация сдвига тела. Изложенная схема позволяет понять механизм дисперсного упрочнения кристаллических систем ионного типа. [c.59]

Угол й. отвечаттий пеЛопмипованит ппи 25 и 100 °С. составлял соответственно 43,5 и 35,5". Отсюда согласно Уаукелису выходило, что при скольжении но плоскостям (010) значения т составляют соответственно 2 и 3. Для объяснения механизма скольжения он рассмотрел возможные схемы движения дислокаций. [c.280]

Рис. 4.11. Схема движения дислокаций по Оровану через сетку из частиц (темные точки) I — расстояние между ДФ круги вокруг частиц — дислокационные петли

Для силикатных пород нет точной информации о снижении о под действием воды. Обзор сведений по кварцу содержится в книге [257] и в работе [258], из которых видно, насколько велик разброс литературных данных. Однако можно считать, что свободная энергия негидратированной силоксановой поверхности кварца, обнажающейся при образовании ступеньки, вряд ли успевает сильно снизиться при физической адсорбции воды или при смачивании, а термоактивируемая химическая модификация поверхности с образованием силанольных связей требует большего времени. В то же время известно, что движение дислокаций в кварце может значительно облегчаться под действием воды. По схеме, разработанной Григгсом [259], в результате диффузии воды вдоль дислокаций образуются силанольные мостики =51—ОН. .. НО—51 =, которые легко рвутся в самом слабом месте (по водородной связи). Сопротивление движению дислокаций уменьшается, и поэтому диффузия ОН-групп (или, возможно, ионов Н+ или НзО+) контролирует подвижность дислокаций и, следовательно, скорость деформации. По сути, здесь мы имеем дело с явлением, близким к адсорбционному пластифицированию, только облегчение разрыва межатомных связей происходит в другом координационном окружении — не на поверхности, а в объеме. По-видимому, такой механизм возможен и в случае многих других силикатных минералов (оливин [260] и др.). [c.89]

Возникновение пластической деформации при движении дислокации ясно иллюстрируется схемой на рис. 92. Краевая дислокация проходит через кристаллический образец слева направо, в результате чего часть кристалла над плоскостью скольжения сдвигаетс на один период решетки. Так как в любой точке внутри образца решетка оказывается правильной после прохождения дислокации, то кристалл остается ненапряженным. В противоположность упругой деформации, однозначно связанной с термодинамическим состоянием тела, пластическая деформация является функцией процесса. (При рассмотрении неподвижных дислокаций вопрос о разделении упругой и пластической деформации не возникает нас интересуют при этом лишь напряжения, не зависящие от предыдущей истории кристалла). [c.285]

Согласно второму механизму, возможными местами зарождения новой фазы являются дислокации и микротрещины при этом применимы схемы движения катионов, предложенные Моттом [142] и Бергом [143]. Ориентировка зародышей объясняется преимущественной тенденцией дислокаций и микротре- [c.193]

Рассмотренные выше теоретические схемы не дают объяснения наличию силы трения дислокации при Т > Т - По-видимому, в этом случае она обусловлена возрастанием вклада перегибов, выбрасываемых дислокацией в направлении, противопо-ложном ее движению. Поэтому представлялось инте ресным сопоставить наши экспериментальные данные с теорией термоактивационного движения щспокаций, в рамках которой имелась бы возможность объяснить участок (7) при Т > Т с единой точки зрения. Такой теорией является теория [217]. Обработка экспериментальных данных с помощью соотношений работы [217], в которой в рамках феноменологического рассмотрения проводится учет обратных перегибов, дает по порядку величины те же значения основных характеристик движения двойникующих дислокаций (для энтальпии активации Н 0,03 эВ, для <у = Я/оп Ю" см ). [c.101]

Не исключено, что во многих случаях рост зерен происходит и без образования новых центров кристаллизации. Ими служат уже существующие зерна. Действительно, одна из задач управления кристаллизацией посредством деформационного отжига заключается в предотвращении роста во многих местах потенциального зародышеобразования. Однако при определенных условиях отжига наблюдается зарождение новых зерен и именно такие зерна растут впоследствии за счет поглощения соседних. Один способ анализа такой ситуации состоит в том, чтобы рассмотреть те участки в решетке, которые в конечном итоге могут стать твердофазными аналогами зародышей. Для этого локальный участок (дозародыш) должен становиться больше и достигнуть таких размеров, когда он уже станет играть роль зародыша. Движущая сила подобного процесса роста зерен обычных размеров создается разной их ориентацией и неодинаковыми размерами. В деформированной кристаллической матрице у границ зерен, где обычно происходит зародышеобразование, дополнительным важным источником движущей силы служит разность внутренних энергий, обусловленная неодинаковой плотностью дислокаций. Поэтому участки, относительно свободные от дислокационных сеток, будут расти за счет областей с высокой плотностью дислокаций. В полигонизованных ) образцах существуют бездислокационные участки, отличающиеся от соседних по ориентации, которые способны стать быстрорастущими зародышами. Принято думать, что инкубационным периодом зародышеобразования в некоторых системах слул<ит время, требующееся для генерирования дислокаций в деформированной области, которые нужны при последующей полигонизации. На фиг. 4.7 изображена схема образования нового зерна на межзеренной границе. На фиг. 4.8 показаны способные к росту участки, порождающие полигонизацию. Как известно, примеси задерживают движение границ зерен и тем самым препятствуют [c.143]

Анализ гидродинамических схем, проведенный Л. П. Шваем, показывает, что основной областью питания водоносных горизонтов палеозоя Днепровского грабена является южный склон Воронежского массива. Движение вод в грабене направлено с севера на юг. Областью разгрузки служит южная зона ступенчатых дислокаций. Прослеживается переток вод из Припятского бассейна в Днепровско-Донецкий через Черниговско-Брагинский выступ фундамента. На существование перетока указывает и В. А. Терещенко (1966 г.), который считает, что областью питания пластовой системы региона кроме Воронежского массива служит северо-западный склон Украинского щита северо-западнее г. Канева. Движение вод направлено от склонов массивов к центральным частям впадины, а в самой впадине — на юго- [c.179]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология