Решётки металлов

I) Так как в общем металл не заряжен, то наряду со свободными электронами в металле находятся положительные ноны —те атомы, от которых электроны оторвались. Их тепловое движение сводится к колебаниям около определённого положения равновесия в узлах кристаллической решётки металла. [c.78]

Что касается механизма вторичной эмиссии иод действием положительных ионов, то он долл5еп существенно отличаться от механизма вторичной электронной эмиссии под действием электронов. Ироникновения медленных положительных ионов внутрь металла не происходит. Имеющиеся данные о распределении скоростей электронов, эмиттируемых различными металлами при бомбардировке их положительными ионами калия, позволяют вывести заключение, что выход электронов из металла обусловливается передачей положительными ионами их кинетической энергии кристаллической решётке металла с последующей передаче11 этой энергии в немногих наиболее благоприятных случаях одному из электронов проводимости металла. [c.92]

Объяснение термоэлектронной эмиссии оксидных катодов на основе зональной теории полупроводников. Электронная теория металлов Зоммерфельда, хорошо объясняющая количественно термоэлектронную эмиссию из металлов, не учитывает наличия кристаллической решётки металла, а также наличия иных электронов, кроме электронов проводимости. [c.45]

Наличие активных участков , как правило, не влияет на рентгенограмму металла. Это может объясняться тем, что толщина этих участков слишком мала, чтобы они могли дать собственную диффракционную картину таким образом это не служит доказательством тождественности структуры этих участков с нормальной пространственной решёткой металла. Электронограммы, обнаруживающие структуру гораздо более тонких слоёв, чем в случае рентгеновского анализа, указывают на возможное различие в структуре каталитически активной и неактивной платины , Диффракция электронов показывает также, что структура металлов на подкладках из других металлов, или других материалов может отличаться от структуры этих же металлов без подкладки таким образом, как промоторы, [c.317]

Большую ясность в вопросе о том, какие же электроны могут быть вырваны светом из металла без нарушений закона сохранения импульса благодаря их связи с кристаллической решёткой металла, внесла теория Тамма [392]. Тамм отдельно рассматривает действие света на электроны, находящиеся в очень тонком слое у самой поверхности металла, где сосредоточено поле, вызывающее наличие потенциального барьера, и на электроны во внутренних областях металла, где электроны находятся в периодическом (в пространстве) поле ионов пространственной решётки. Эмиссию первых под действием света Тамм называет поверхностным фотоэффектом, эмиссию последних — внутренним фотоэффектом ). Данное Таммом решение задачи возмущения электронной волны светом приводит, к ещё более сложному выражению для СИЛЫ фототока с единицы поверхности металла, чем (137) и (138). Кривая спектральной характеристики обладает по Тамму селективным максимумом, и имеет место векториальный эффект. [c.159]

При решении задачи о внутреннем фотоэффекте Тамм принимает кристаллическую решётку металла за кубическую решётку простейшего типа и для собственной функции электронов Ч в поле такой решётки пишет [c.159]

При малых скорсютях падающих на поверхность металла электронов вычисленные согласно соотношению (23) направления, на которые приходятся максимумы отражённых пучков электронов, не совпадают с наблюдёнными. Это происходит потому, что при диффракции электронов отражение электронных волн происходит не от одного внешнего ряда узлов пространственной решётки металла, а и от внутренних слоев этой решётки. Чтобы получить согласие теории с опытом, в (23) вместо v надо вставить скорость электронов не вне, а внутри металла, т. е. их скорость после проникновения через поверхность металла. Таким образом, определяя X из опытов диффракции, мы можем найти разницу в скорости электрона вне и внутри металла, а следовательно и пройденную электроном при проникновении внутрь металла разность потенциалов, т. е. высоту потенциального барьера. Высота потенциального барьера на границе металла называется внешней работой выхода W . [c.86]

Задолго до тсго, как Юм-Розери сформулировал своё правило, в основной работе Бриллюэна [52] (1931, стр. 312 и след.) было обращено внимание на вопрос, при каких предельных электронных концентрациях в решётке металлов С к, С с и др.) возможна диффракция электронов при данных значениях Е (см. 98). [c.215]

Другой вариант теории вторичной электронной эмиссии предложен советским физиком А. Е. Кадышевнчем. Исходные положения теории Кадышевича электронный газ в металле является вырожденным газом с распределением энергии по Ферми упругие столкновения с ионами решётки металла изменяют направление движения первичного электрона проникающий в металл первичный электрон и созданные им вторичные электроны тормозятся благодаря взаимодействию с электронами проводимости. Взаимодействие электронов с ионами решётки учитывается путём рассмотрения упругих соударений электрона с решёткой. Кадышевич учитывает суммарно как рассеяние, обусловленное наличием решётки и её периодического поля, так и рассеяние, вызванное тепловыми колебаниями решётки. Кадышевичу удаётся объяснить ряд типичных особенностей вторичной эмиссии, в том числе возрастание коэффициента о нри увеличении угла падения первичных электронов (возрастание тем более быстрое, чем больше скорость первичных электронов) и малые значения о для щелочных металлов. В последнем случае концентрация свободных электронов бо,пьше, чем у другах металлов следовательно, торможение, обусловленное кулоновым взаимодействием между электронами, тон е больше, а соответствующий полный пробег как первичных, так и вторичных электронов меньше. [c.85]

Согласно всей современной литературе, структуры внедрения образуются примесями атомов Н, М, Г) и т. п. вследствие малых размеров этих атомов, могущих проникнуть в междуузлия, нанример, решётки металла. [c.222]

Очень важен вопрос о том, сохраняются ли в решётке ZrH молекулы водорода ( пары атомов ), т. е. структурные узлы р = Hj, как это принимает Хэгг и воспроизводят другие авторы, и каково распределение зарядов в решётке. Нам кажется, что образование ZrH связей за счёт s-электронов с разрывом пар атомов Н более вероятно, поскольку эффект значительного расширения решётки металла при внедрении водорода вряд ли может быть компенсирован с энергетической стороны силами, которые могут возникнуть между молекулами Hj и кристаллом Zr. [c.384]

При внедрении в решётку металла атомов некоторых элементов (С, N. Р, Аз) в исходной структуре металла иногда возникают комплексы атомов, соединённых в группы (координационные сферы). [c.696]

Большую ясность в вопросе о том, какие же электроны мог т быть вырваны светом из металла без нарушений закона сохранения импульса благодаря пх связи с кристаллической решётко [ металла, внесла теория советского физика И. Е. Тамма. Тамм отдельно рассматривает действие света на электроны, находящиеся в очень тонком слое у самой поверхности металла, где сосредоточено поле, вызывающее наличие потенциального барьера, и на электроны во внутренних областях металла, где электроны находятся в периодическом (в пространстве) поле ионов пространственной решётки. Эмиссию первых под действием света Тамм называет товерхностным фотоэффектом, эмиссию последних— внутренним фотоэффектом ). Данное Таммом решение задачи возмущения [c.69]

В настоящее время наиболее правдоподобной является теория катодного распьшения, представляющая собой синтез теории ионного удара и теории испарения. По этой теории энергия иона передаётся не одному атому, а некоторому их числу, другими словами, предполагается, что при ударе положительного иона о пространственную решётку металла происходит сильное местное нагревание на очень небольшом участке поверхности металла. За короткий промежуток временп вследствие теплопроводности металла температура нагретого элемента поверхности быстро падает за счёт увеличения нагретой площади, но за это короткое время успевает произойти отрыв отдельных атомов металла. [c.273]

При температзфах при(1лизительно от 1500 до 2000° С (в зависимости от состояния поверхности) вольфрам легко испускает электроны, но его положительные ионы, образующие пространственную решётку металла, не испаряются в сколько-нибудь значительных количествах. [c.391]

Другой вариант теории вторичной электронной эмиссии предложен Кадышевичем [519]. Исходные положеиия теории Кады-шевича электронный газ в металле является вырожденным газом с распределением энергии по Ферми упругие столкновения с ионами решётки металла изменяют направление движения первичного электрона проникающий в металл первичный электрон и созданные им непосредственно или ступенчатым путём вторичные электроны тормозятся благодаря взаимодействию с электронами проводимости. Взаимодействие электронов с ионами решётки учитывается путём рассмотрения упругих соударений электрона с решёткой. Вводя полный пробег >) упругого рассея- [c.183]

Работа > выхода изменяется, следовательно, пропорцион <й1ЬНО. корню квадратному из напряжённости приложенного извне Кроме температуры и внешнего поля, работа выхода с в хности металла зависит также и от ориентации этой пс - кости цо отношению к кристаллической решётке металла, факт наблюдался вначале при электронно-микроскопичео сДедо)эаниях мелкокристаллич их поверхностей металлов, тирующих электроны, когда было обнаружено, что о дв [c.42]

Транснассивация - это равномерное активное растворение металла, следующее за областью пассивного состояния, т.е. выход металла из пассивного состояния с ростом анодной ноляризации. С позиций фазовой теории транснассивное состояние связывается с тем, что пассивирующая пленка нерастворимого оксида ири низкой степени окисления металла (СггОз) с ростом Е и увеличением степени окисления металла (СггОу ) растворяется. По адсорбционной теории, с ростом Е усиливается хемосорбция кислорода, растёт число 0-атомов, координирующих с ионом металла, ослабляются связи в решётке металла и образуются хорошо растворимые комплексы с в более высокой степени окисления. [c.32]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология