Покрытия резистивные

Как мы уже отмечали, напряжения, возникающие в эмалевом покрытии, зависят от коэффициентов термического расширения применяемых материалов и обусловливают способность покрытия противостоять резким изменениям температуры. При несоответствии коэффициентов термического расширения резистивной про- [c.7]

Детектирование ионов посредством электронного умножителя основано на эмиссии вторичных электронов в результате столкновения частицы, обладающей определенной энергией, с соответствующей поверхностью. Количество вторичных электронов можно увеличить при бомбардировке ими нескольких последовательных поверхностей. Существуют непрерывные динодные умножители и системы дискретного типа. Дискретный динодпый умножитель состоит из 12-20 бериллиево-медных динодов, связанных посредством резистивной цепи. Непрерывные системы или канальные умножители состоят из покрытой свинцом изогнутой воронкообразной трубки. Напряжение, прикладываемое между концами трубки, создает непрерывное поле по всей ее длине. Вторичные электроны ускоряются в трубке, постоянно сталкиваясь с внутренней Степкой. Типичный коэффициент усиления электронного умножителя составляет 10 . Ток, протекающий через электронный умножитель, усиливается и оцифровывается для последующей обработки системой обработки данных. [c.264]

Для высокоомных резисторов, у которых резистивная проволока имеет диаметр 0.05 мм, достаточно 2—3 слоев покрытия для полного закрытия проволоки и соответственно 1—2 термообработки. На низкоомные резисторы с диаметром резистивной проволоки 0.4—0.5 мм покрытие наносится многократно и изделия проходят 5—6 термообработок. [c.158]

Тип Резистивное покрытие Проявитель Характеристики электронного луча Отличительные особенности резиста, используемого в качестве маскирующего покрытия при травлении СС 3 X О. [c.640]

В последние годы расширились области применения тонкопленочных металлических покрытий на неметаллах — стекле, слюде, керамике, пластмассах, ситаллах и т. п. [35]. Следует подчеркнуть, что поведение электронов в тонких пленках качественно отличается от поведения в массивах благодаря возникновению новых, так называемых квантовых, размерных эффектов. Это явление используют, в частности, в тонкопленочных микросхемах, составляющих основу современной микроэлектроники. Микросхемы включают в себя как один из элементов проводящие металлические пленки на диэлектриках. Проводящие пленки разделяются на низкоомные (Au, Ag, u, Al, Мп, Сг, Ti), резистивные (Та, Re, Mo, W) и магнитные (Fe, Со, Ni) [142]. [c.98]

Как показали исследования, для получения электропроводящих полимерных материалов с повышенной проводимостью могут быть использованы порошки меди, никеля,, алюминия, однако при воздействии повышенной влажности для материалов на основе указанных проводящих компонентов характерно значительное изменение электрической проводимости, при этом растут контактные сопротивления (например, у резистивных элементов) и имеет место значительное изменение сопротивления. В связи с вышеизложенным новым прогрессивным решением в области получения электропроводящих полимерных материалов с повышенной электрической проводимостью и приемлемой влагостойкостью является использование проводящего компонента, поверхность которого покрыта серебром. Это позволяет 4 - 3338 49 [c.49]

При использовании резистивного нагревателя на основе стеклоуглерода для нагрева жидких сред важным является выбор защитного покрытия для резистивного элемента. Основным требованием, предъявляемым Для защитного покрытия, является соответствие температурного коэффициента расширения защитного покрытия температурному коэффициенту расширения резистивного материала — стеклоуглерода во всем рабочем интервале температур. Резистивные нагреватели на основе стеклоуглерода разработаны авторами на кафедре электротехнических материалов МЭИ, [c.168]

На основе уравнений полного сопротивления границы металл — раствор электролита в условиях диффузионных ограничений и наличия сопротивления электрохимической реакции (В.75) получено выражение в виде ряда для полного сопротивления резистивного электрода ЭУР, , представляющего собой микропроволоку, покрытую медью. Эквивалентная схема границы была представлена в виде параллельных сопротивлений диффузии и емкости С5.= Сд4-Сд,с [/ д и С пересчитывались из последовательной схемы соединения, верной для уравнении (В.75), в параллельную]. [c.61]

В пленочных и полупроводниковых микросхемах широко используются различные металлы и сплавы, у которых стабильность электрических характеристик сочетается со стойкостью их к химической и электрохимической коррозии. Для проводников и контактов используются металлы с высокой электрической проводимостью золото, серебро, медь и алюминий, причем последний чаще всего для внутрисхемных соединений. В качестве материалов для резистивных пленок преимущественное применение нашли тантал, нихром, хромосилицидные и другие сплавы на основе хрома и тантала. Одни из названных металлов являются коррозионно-стойкими вследствие их высоких окислительно-восстановительных потенциалов (Аи, Ад), другие — из-за самопроизвольного образования пассивирующих оксидных пленок на их поверхности (А1, N1, Сг, Та). Однако при контакте резисторов из этих металлов и алюминия невозможно избежать образования гальванопар Сг—А], Ы —А1 и др., которые чрезвычайно чувствительны к любого рода загрязнениям. Этими загрязнениями могут оказаться остаточная влага, следы кислорода и некоторые химические вещества, выделяющиеся из стенок корпуса и защитного покрытия при технологических операциях герметизации и защиты микросхем. В результате электрохимической коррозии алюминий в месте контакта разрушается, что в итоге приводит к разрыву электрической цепи. [c.281]

Обработка П. чаще всего сводится к вакуумному отжигу для обезгажи-вания, гомогенизации и снятия внутренних напряжений, отжигу в газовых средах (напр., отжиг карбонильных металлов). Применение П. дало возможность расширить круг материалов, используемых в новой технике, а также повысить эффективность некоторых традиционных материалов, изделий и приборов. Так, разработка пром. способа получения фторидного вольфрама позволила в процессе осаждения изготовлять крупногабаритные изделия, которые невозможно получить методами обычной и порошковой металлургии. Нанесение, напр., покрытия из карбида титана (5—10 мкм) увеличило срок службы резцов из твердого сплава в три — пять раз. Получение окислов титана и кремния методом окисления соответствующих летучих галогенидов решило задачу пром. произ-ва высокодисперсных пигментов и на-полпителей. Применение тонкопленочной технологии нанесения П. в электронике позволило решить вопросы миниатюризации элементов схем (эпитаксиальная кристаллизация полупроводниковых материалов, получение диффузионных масок, изготовление проводящих и резистивных элементов и магнитных пленок). Использование покрытий из тугоплавких металлов и соединений в значительной степени способствовало прогрессу в космической и атомной технике. [c.178]

Резистивные аттенюаторы. Почти все выпускаемые промышленностью широкодиапазонные аттенюаторы являются аттенюаторами резистивного типа. Простейший тип коаксиального аттенюатора с нерегулируемым ослаблением представляет собой коаксиальный кабель, внутренний проводник которого изготовлен из материала с высоким сопротивлением или является аквадаго-вым покрытием па изоляторе. Теоретически постоянная ослабления а коаксиального кабеля имеет вид [c.94]

Для обеспечения надежности работы защитного покрытия необходимо иметь подслой, непосредственно прилегающий к резистивному элементу, с коэффициентом теплопроводности, приближающимся к 1 ккал/(м -ч -°С). Подслой из алюмосилинатфосфатного [c.150]

Керамические каркасы с намоткой резистивной проволоки перед покрытием обезжиривают в горячем трихлорэтилене. Затем готовят алюмосиликатфосфатный цемент АСФ-3 с вязкостью по вискозиметру ВЗ-4 20—30 с в зависимости от диаметра резистивной проволоки. Метод нанесения — окунание или пульверизация. Цемент наносят в несколько слоев до выравнивания поверхности резистора (до полного закрытия намотки). При этом производят сушку слоя цемента в терморадиационной печи в течение [c.157]

В литературе последних лет обсуждается множество проблем, решить которые пытаются с помощью получения пленок методом ионного распыления. При этом исследуются различные пленки и разнообразные области их использования от сверхпроводящих пленок до керметов (одновременное распыление металлической и диэлектрической мишеней) от сегнето- и пьезоэлектрических пленок до ферромагнитных от резистивных, проводящих и диэлектрических пленок для пассивных элементов микросхем до защитных и пассивирующих в активных устройствах от покрытий для лучщего предохранения от коррозии, истирания и износа до пленок твердой смазки от покрытий пластмассы дли электрических схем на гибких подложках или гибких соединителей до покрытий лезвий бритв от фотоэмиссионных пленок до оптических покрытий от попыток создания новых пленочных метастабильных сплавов до изготовленил сплошных хромовых. масок для фототравления. Перечисленные вопросы сбсуждаются в других главах данной книги. [c.363]

Электропроводящие полимерные материалы — новый класс материалов, находящий все более широкое применение в электротехнике и электроникЛггВ последние годы по технологии производства электропроводящих полимерных материалов как в нашей стране, так и за рубежом проведены важные научные исследования, промышленностью освоен выпуск ряда новых электропроводящих полимерных материалов, которые успешно используются для создания резистивных и контактных покрытий в различных устройствах, приборах и аппаратах электротехники и электроники. [c.3]

Получение электропроводящих полимерных пленок на плоских заготовках в технологии производства резистивных элементов осуществляется также методом разлива суспензии на поверхности подложки (зеркального гетинакса, стеклотекстолита). При указанном методе суспензию помещают в контейнер, дно которого имеет тонкую щель необходимой ширины. При движении подложки под контейнером на поверхности подложки образуется полоса разлитой композиции, толщина которой зависит от размеров щели и скорости движения подложки (рис. 2.20,в). Нанесение суспензии описанным способом производится не только на плоские, но и на цилиндрические основания при этом основанию придается вращательное и поступательное движения. Этот метод обычно применяется для цилиндрических оснований больших размеров. Суспензия может наноситься на цилиндрические заготовки через промежуточный ролик, погруженный в ванну и вращающийся при вращении основания, в ряде случаев суспензия передается из сосуда через систему валиков на печатающий валик, который прокатывается по, поверхности, покрытой трафаретом. При этом на места, не защищенные трафаре- том, наносится суспензия. [c.89]

На основе пластин с проводящими полимерными покрытиями авторами разработаны резистивные нагреватели с мощностью рассеяния 0,5 и I кВт. Для электротехнических нагревателей с мощностью рассеяния 0,5 и 1 кВт перспективны композиционные проводящие пленки, состоящие из проводящего компонента — графита и технического углерода, связующего компонента — эпоксидной и фенолоформальде-гидной смолы и наполнителя — корундовых микропорощков различных марок. [c.118]

Конструктивно электротехнический резистивный нагреватель состоит из совокупности параллельно соединенных дискретных резистивных пластин с мощностью рассеяния 25—30 Вт. Пластина выполнена из стеклотекстолита марки СТЭФ и покрыта проводящей композицией. Полимерный материал выбирается с положительным коэффициентом старения ЛГст, чтобы при эксплуатации имело. место повышение сопротивления-пластины на-3—5%, при этом снижается мощность, выделяемая в нагревателе, уменьщается превыщение температуры пластины. При отрицательном /Сет, когда сопротивление пластин при эксплуатации уменьшается, растет выделяемая мощность и температура нагревателя может превысить допустимую. В связи с этим необходим положительный /Сет ДЛЯ используемого проводящего полимерного материала. Резистивные полимерные нагреватели обеспечивают эффективное регулирование температуры в помещении при использовании терморегулятора, обеспечивающего включение и выключение нагревателя при превышении температуры свыше заданного значения. [c.118]

В камере 5, где происходит нанесение резистивных покрытий, после откачки до давления (6—4)-10" Па с помощью натекателя 20 создается давление аргона порядка 6—4 Па. В камерах 5 и 7, где происходит нанесение других покрытий, вновь понижается давлениедо (6—4). 10- Па. [c.290]

Сопротивление резистивного электрода, покрытого слоем серебра, увеличивается при протекании через него анодного тока за счет превращения серебра в трудно проводящую соль Ag l. Катодный же ток через резистивный электрод восстанавливает Ag l до серебра и уменьшает сопротивление ЭУР, В связи с тем, что в области более высоких значений сопротивления поверхность резистивного электрода покрыта Ag l, шунтирование электролитом происходит в значительно меньшей степени, чем в металлических системах. Это связано с тем, что утечка тока с поверхности резистивного электрода в электролит идет через слой плохо проводящей соли. Поэтому частотная зависимость таких ЭУР выражена значительно меньше по сравнению с приборами на основе металлической обратимости. [c.67]

Таким образом, получено палладиевое покрытие при термораспаде (allPd l)2 из паровой фазы определена оптимальная температура термораспада для получения чистого палладия (220—240 "С) пленки палладия могут применяться в качестве поглощающих элементов СВЧ-излучения, резистивных и защитных покрытий. [c.98]

Влияние галогенсодержащих примесей на ск орость газофазного пиролиза МОС имеет большое практическое значение при получении чистых металлов, резистивных и защитных покрытий. Соединения, присутствующие в продуктах синтеза бнсареновых я-комплексов мв таллов и обладающие катализирующим деГствием, заметно влияют на условия термического разложения, что позволяет получать покрытия с различным содержанием углерода. Было установлено, что при разложении очищенного от ВАУ МОС хрома образуются хромовые [c.87]

Ряд зарубежных фирм вьшускает резистивные проволочные испарители из титан-никелевых и титан-молибденовых сш1авов. По сравнению с биметаллическими испарителями, имеющими тугоплавкий керн и титановое покрытие либо навитую титановую проволоку, такие испарители более однородны и поэтому меньше подвержены перегреву и оплавлению коэффициент использования титана достигает 0,7. Их включение возможно при давлении до 10 Па. [c.88]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология