Термоэлектрический коэффициент

Абсолютные чувствительности термоэлементов и болометров к пульсирующему сигналу обсуждены Вильямсом [84]. Грубо говоря, чувствительность термоэлемента обратно пропорциональна площади приемника и его теплоемкости. Другие факторы, влияющие на чувствительность, включают также термоэлектрический коэффициент и полное рассеяние тепла. Болометры также обладают большей чувствительностью при меньшем размере приемника и меньшей теплоемкости. Следовательно, целесообразно иметь рабочий элемент по во зможности меньших размеров и с минимальной теплоемкостью. Кроме того, элемент с низкой теплоемкостью быстрее реагирует на периодический или прерывающийся сигнал, и, как будет показано в дальнейшем, желательно, чтобы детектор имел малое время ответа. Для повышения чувствительности и уменьшения шумов болометр и термоэлементы обычно работают в вакууме. Иначе говоря, чувствительность подобных термоэлементов может меняться в широких пределах из-за различий в термоэлектрических коэффициентах. Из доступных термоэлементов целесообразно использовать наиболее чувствительные. Мощность излучения, попадающего на приемник спектрофотометра, имеет порядок 10 Вт и вызывает изменение температуры элемента в несколько тысячных долей градуса. В результате возникает сигнал, равный долям микровольта. [c.21]

Подставляя значения ДЯе (г) из (Х.104) и V ( ) из (Х.103) в уравнение тепла переноса (Х.99), получим для термоэлектрического коэффициента 23 == з2 следующее выражение [c.334]

Тепловое расширение Термическое напряжение Термоэлектрические коэффициенты Пельтье [c.195]

Томсон не только открыл третий термоэлектрический эффект, но и создал термодинамическую теорию термоэлектрических явлений, в соответствии с которой установил взаимосвязь между термоэлектрическими коэффициентами 5, П и ц [c.603]

Разность температур между двумя спаями металла с полупроводником вызывает появление разности потенциалов V на выходных клеммах, причем холодный спай отрицателен у -полупроводников и положителен у р-полу-проводников. Это явление называется термоэлектрическим эффектом (или эффектом Зеебека). Он характеризуется термоэлектрическим коэффициентом Q и может быть выражен в микровольтах, отнесенных к разности температур между спаями в градусах. [c.703]

Величину I можно назвать термоэлектрическим коэффициентом (задача 2). Уравнение (88-8) используется для того, чтобы определить изменение электрического состояния внутри раствора. [c.293]

S —термоэлектрический коэффициент, В/град р — плотность, г/см [c.297]

Для стальных образцов наиболее удачным материалом покрытия оказался никель, так как его термоэлектрический коэффициент (33 мкв/град) сравнительно велик никель легко осаждается на стальную поверхность и достаточно прочно удерживается на ней. Сталь и никель имеют близкие по величине коэффициенты теплопроводности. [c.232]

При создании градиента температуры 6Т/дх в плазме возникает электрическое поле с напряженностью Е аАТ/Ах. Величину а называют термоэлектрическим коэффициентом. Показать, что величина а порядка е , где е — заряд электрона. [c.70]

В этой части мы ограничились вопросами, связанными с вычислением коэффициентов электропроводности (сопротивления), теплопроводности и термоэлектрических коэффициентов металла в отсутствие магнитного поля и в магнитном поле. При этом вначале мы не учитываем эффектов, обусловленных квантованием энергии в магнитном поле. Этим вопросам посвящен 31. [c.190]

Как мы уже говорили, основное содержание этой части — вычисление тензоров электропроводности, теплопроводности и термоэлектрических коэффициентов. Поэтому естественно рассмотреть те случаи, когда выведение системы из состояния равновесия обусловлено электрическим полем Е и градиентом температуры vr, которые, по предположению, являются столь малыми, что обеспечивают законность линеаризации ). [c.195]

Здесь р1 1 — тензор сопротивлений, ха — тензор теплопроводности, а аг й —тензор, характеризующий термоэлектрические свойства металла. Через компоненты тензора могут быть выражены коэффициенты Томсона, Пельтье и термоэлектродвижущая сила [1]. Заметим, что соотношения Онсагера (принцип симметрии кинетических коэффициентов), требующие симметрии тензоров р,й и Х й, допускают существование проводников с несимметричным тензором термоэлектрических коэффициентов ( й ф акг)- [c.212]

Перейдем теперь к вычислению тензоров теплопроводности и термоэлектрических коэффициентов. Для дальнейшего удобно сформулированное выше кинетическое уравнение переписать, выписав непосредственно уравнение для функции распределения фононов X- [c.212]

Так как явный вид оператора столкновений не влияет на асимптотическое (в больших магнитных полях) поведение решения, анализ, проведенный в 27, 28, применим и в рассматриваемом случае. При выяснении зависимости от большого магнитного поля компонент тензоров теплопроводности %ih и термоэлектрических коэффициентов можно, кроме того, воспользоваться формулами (25.21), учтя, конечно, что %ik —diu (см. формулы (25.23)). [c.262]

Подразумевается, что каждое из соотношений (14.2.49) и (14.2.50) справедливо для параллельных, перпендикулярных и поперечных компонент по отдельности.] Переход от вектора к напряженности электрического поля и пояснить тем самым интерпретацию формулы (14.2.48) как закона Ома для ионизованного газа. Коэффициенты называются парциальными электропроводностями, а — парциальными электротермическими (обратными термоэлектрическими) коэффициентами. Элементы полных тензоров электропроводности и электротермической проводимости можно найти путем суммирования парциальных коэффициентов (14.2.50) по индексам, т. е. [c.430]

В рассматриваемом случае коэффициенты диффузии, электропроводности и термоэлектрические коэффициенты являются тензорами это следствие природы силы Лоренца. Используя системы координат, определяемые формулами (14.2.44), мы привели эти тензоры к главным осям, т. е. выбрали такие системы координат, в которых тензоры ди- [c.430]

Уменьшоние проводимости и термоэлектрического коэффициента в направлении поперек магнитного поля отвечает термоизоляции плазмы магнитными полями. [c.168]

Здесь (Зюп — скорость ионизации газа а. (/3)-частицами и оп — частота ионизации электронами плазмы (Зег — скорость электрон-ионной рекомбинации Пе(г), /ге(г), т(г) концентрация, ПОДВИЖНОСТЬ И коэффициент диффузии электронов (ионов), соответственно ( е) — средняя энергия электронов С — коэффициент диффузии энергии электронов — термоэлектрический коэффициент еь — г] — I — вехе П — энергетическая цена образования элек-трон-ионной пары, которая в первом приближении равна удвоенному потенциалу ионизации / ехс — энергия вторичного электрона, идущая на прямое возбуждение атомов, которая может доходить до 30% от полных потерь энергии а (/3)-частиц, — скорость потерь энергии тепловых электронов в упругих и неупругих столкновениях. [c.287]

В 11 на основании анализа диаграммы п —Т показано, что в плазме могут реализоваться условия, при которь[х электронная компонента ведет себя как идеальный газ. Тогда ее электронные свойства Д10ЖН0 описать с п()мош,ью аппарата теории хгдеальных газов. Применительно к кинетическим электронным свойствам становится возмояшым исиользование методов кинетической теории газов, опирающейся на понятия эффективных сечений взаимодействий и длины свободного пробега. К свойствам плазмы, описываемым таким образом, относятся, например, время релаксации электронов, электропроводность, электронная теплопроводность, электронная диффузия, термоэлектрический коэффициент и др. [c.279]

Итак, электронная часть теплопроводности металла и термоэлектрические коэффициенты определяются через величины bih, с1ц1 И Сгк. Как мы видели в 24, электропроводность выражается в виде интеграла по поверхности Ферми (см. формулы (24.6) И дальше). Аналогичный вид можно придать и формулам [c.216]

Зависимость теплопроводности и термоэлектрических коэффициентов от магнитного поля часто называют термомагнитными явлениями. Их, как и гальваномагнитные, можно разделить на поперечные и продольные, на четные и нечетные. Последние аналогичны эффекту Холла. Исходя из соображений симметрии, можно построить зависимость термомагнитных коэффициентов от слабого магнитного поля в виде разложения их по степеням магнитного поля. Число независимых компонент у возникающих при этом тензоров (коэффициентов пропорциональности) определяется классом симметрии кристалла. Традиционрю (правда, в большинстве случаев на полупроводниках) термомагнитные исследования используются для выяснения механизмов рассеяния носителей заряда. По-видимому, еще нет работ, использующих обсуждаемые свойства металлов для определения параметров электронного энергетического спектра. [c.261]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология