Галогениды типа

Ионы карбония образуются в реакциях, катализируемых так называемыми кислотными катализаторами, к которым относятся протонные кислоты (например, серная, фосфорная и фтористо-водородная) галогениды типа катализаторов Фриделя-Крафтса (например, хлористый алюминий, хлористый цирконий и фтористый бор) и окиси (нанример, алюмосиликаты). Ионы карбония, образующиеся в реакционных условиях прежде чем превратиться в конечные продукты могут претерпевать одно или несколько изменений в соответствии со следующими правилами [c.213]

Из других производных Т1, 2г и НГ наибольшее значение имеют галогениды типа ЭГ4. Получают их обычно накаливанием смеси двуокиси с углем в атмосфере галоида. Реакция идет по схеме [c.645]

Наконец, необходимо подчеркнуть, что значения тепловых эффектов реакций образования химических соединений, как и другие их свойства, находятся в периодической зависимости от атомных номеров элементов, образующих эти химические соединения. Используя данные таблицы 14, проследите за периодической зависимостью значений 298 от атомных номеров щелочных металлов Ме и галогенов X, образующих галогениды типа МеХ. [c.50]

С галогенами эти металлы образуют галогениды типа ЭГц. Цинк и кадмий реагируют с водой по схеме [c.441]

Существует большое число комплексных галогенидов типа [c.56]

Г алогенид ы фосфора образуются путем взаимодействия элементов, протекающего, как правило, весьма энергично. Галогениды типов РГз и РГ5 известны для всех галогенов, однако практическое значение из них имеют почти исключительно производные хлора. [c.277]

Галогениды одновалентного таллия Т1Г — типичные соли, не подвергающиеся гидролизу в водных растворах. По растворимости они ведут себя противоположно галогенидам типа ЭГз. TIF растворим лучше по сравнению с другими галогенидами. [c.210]

Галогениды. Все лантаниды образуют галогениды типа ЭГз — твердые кристаллические вещества с высокими температурами плавления, растворимые (кроме фторидов) в воде и спиртах. [c.436]

Для N(1, 8т, Тт и УЬ известны малоустойчивые при обычных условиях галогениды типа ЭГг. [c.436]

Исследованы все четыре галогенида типа б, но, поскольку различия в длинах связи В—Ы, измеренных в кристалле и газовой фазе, достигают 0,05 А, детальное обсуждение этих величин, по-видимому, преждевременно. [c.184]

Другой путь получения титановой кислоты — гидролиз соединений Ti(IV), таких, как тетрагалогепиды (Т1Г4), комплексные галогениды типа Н2[Т1С1б], а также соли титанила (см. ниже). [c.99]

Галоидные соединения фосфора образуются путем взаимодействия элементов, протекающего, как Рис. IX-34. Раствори- правило, весьма энергично. Галогениды типов РГз мость фосфатов натрия и РГ5 (кроме PI5) известны для всех галоидов, од-(моль1л Н2О). практическое значение из них имеют почти [c.440]

Галоидные соединения Аз, 5Ь и В легко образуются при прямом взаимодействии элементов. Галогениды типа ЭГз известны для всех рассматриваемых элементов и галоидов, тогда как из представителе типа ЭГ5 более или менее устойчивы лишь производные фтора и 8ЬС15. [c.466]

Такими типами соединений могут быть, например, окислы типа МеО, МегОз, МеОг, галогениды типа МеХ, МеХг и т. д. Константы А н В для различных типов соединений приводятся в таблицах. [c.379]

I группе элементы главной подгруппы почти не обладают способностью к комплексообразованию в отличие от подгруппы меди, то в IV группе, несмотря на значительное различие в химических свойствах между главной и побочной подгруппами, различие в комплексных соединениях этих элементов сравнительно невелико и в большинстве случаев они дают однотипные соединения. К ним в первую очередь следует отнести многочисленные комплексные галогениды типа Мег[ЭлРб]. Наиболее прочны фториды. С увеличением атомной массы, т. е. в ряду Ме2[Т1Рб] — Ме2[ТНРб], устойчивость фторидных комплексов падает. [c.394]

Из галогенидов элементов этой подгруппы наибольшее значение имеют тетрахлориды ЭСЦ—жидкие вещества, легко гидролизующиеся (кроме I4), склонные к комплексообразованию и дающие при этом кислоты типа НгЭС . Галогениды типа ЭГз солеобразны. [c.318]

IV. Первой работой, в которой было теоретически учтено влияние кристаллического поля на величины ионных рефракций, по-видимому, является исследование Дикка и Оверхаузера [119]. Эти авторы рассмотрели взаимодействие ионов в решетке щелочных галогенидов (типа МаС ) и показали, что взаимная поляризация ионов сводится к некоторому перераспределению внешнего электронного облака аниона в пользу катиона, в результате чего общая поляризуемость кристалла оказывается меньше суммы поляризуемостей свободных ионов. Соответствующий такому переносу электрических зарядов фактор О (имеющий отрицательную величину) зависит от значения межатомного расстояния и собственной поляризуемости взаимодействующих ионов. [c.68]

Ввиду слабости основных свойств дигидроксдов Ge, Sn и Pb их производные с катионами Э + подвергаются в растворах сильному гидролизу. Наибольшее значение имеют галогениды типа ЭГ4, которые известны для всех рассматриваемых элементов и галогенов (кроме РЬВгд и РЫ ). [c.338]

Многие соли титана и циркония являются производными именно этих радикалов, а не ионов Э +. Таковы (ТЮ) 504-2И2О, (2г0)С12-8И20 и т. д. Дальнейший их гидролиз идет в меньшей, новее же сильной степени (особенно для производных титана). Из других производных Т , 2г и Н наибольшее значение имеют галогениды типа ЭГ4. Получают их обычно накаливанием смеси диоксида с углем в атмосфере галогена. Реакция идет по схеме [c.344]

Элементы подгруппы цинка образуют галогениды типа ЭНаЬ. Важнейшие из них хлориды цинка и ртути. Hg l2 называется сулемой и является сильнейшим ядом в медицине используется как антисептик. [c.454]

Димернмй галогенид Тип плотнейшей упаковки атомов X Литература [c.109]

Ge-, Sn- li Pb -. Соединения двухвалентного германия хорошо известны. Доказательства того, что фаза GeO стабильна при температурах < 1000 К (ср. с SiO), отсутствуют однако при обычных те.мпературах стабильны такие соединения, как GeS, все четыре дигалогеиида, а также ко.мплексиые галогениды типа МСеС1з. [c.289]

В случае еще менее реакциопноспособного галогенида или галогенида, склонного к отщеплению галогенводорода, следует для ускорения реакции добавлять реакционноспособный галогенид типа 1-бромиафталина или н-бутилбромида. Например, при взан- юдeй твии 0,05 моля циклогексилхлорида и 0,05 моля 1-бромнафталина с 0,33 г-атом М. и изопропанолом (0,3 моля) в 50+20 мл декалина получают смесь 83% циклогексана и 10% циклогексена (удаляемого серной кислотой). По этой методике циклогексилфторид дает циклогексан (33%), а бензотрифторид — толуол (10%). Фтор-бензол в реакцию не вступает. В этой работе использован порошок [c.207]

Галогениды типа ЗХ . Структурная информация об уголковых молекулах ЗСЬ и ТеВгг приведена в табл. 16.2. [c.448]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология