Условия непересечения

Анализируя возможнее движение точки зацепления по линии зацепления, заключаем, что условием непересечения линий зацепления, во всех местах, кроме полюса, а также условием непересечения огибающих является расположение линии зацепления профилей в пределах [c.53]

Во избежание недоразумений, связанных с неправильным пониманием правила непересечения, следует подчеркнуть, чго оно относится только к уровням, соответствующим отдельным слагаемым в полной волновой функции, которая имеет вид С1г 1 4- 2 1 2. В дальнейшем мы покажем, что эта форма волновой функции предполагает выполнение некоторых условий, связанных с симметрией функций г )1 и %. Правило непересечения можно применять только к состояниям одинаковой симметрии. Потенциальные кривые состояний, отвечающих различной симметрии, совершенно независимы и могут пересекаться произвольным образом. Кроме того, правило непересечения выполняется только при условии применимости приближения неподвижных ядер (раздел 3.5). Когда это приближение не справедливо, ситуация представляется не вполне ясной Более того, в этом случае теряет смысл сама концепция потенциальных кривых. [c.82]

Условие — требование взаимного непересечения аппаратов при их компоновке [c.93]

Сборка конических зубчатых передач. Технические условия на ремонт и сборку конических зубчатых колес содержат нормы на изготовление колес по точности, нормы предельного биения зубчатого венца, наименьшего бокового зазора, нормы отклонения межосевого угла, непересечения осей и смещения вершины делительного конуса. Эти нормы соответствуют ГОСТ. [c.122]

Поверхность потенциальной энергии дает электронную энергию системы, при этом фиксированное расстояние между ядрами выступает в роли параметра. В гаком решении электронной задачи движение ядер предполагается сколь угодно медленным. При выбранном приближенном гамильтониане для электронов можно вычислить набор поверхностей потенциальной энергии. Когда говорят о пересечении двух таких поверхностей в данной точке или в совокупности точек фазового пространства, подразумевают, что эти поверхности имеют одинаковую энергию в этих точках. В точке или области пересечения обе поверхности не взаимодействуют в данном приближении, так как если бы они взаимодействовали, то отталкивали бы одна другую, а это сделает невозможным их пересечение. Если две поверхности относятся к электронным состояниям с одинаковой симметрией, то взаимодействие становится возможным при условии использования при вычислениях достаточно полного электронного гамильтониана, так что пересечения в более высоком приближении не происходит (правило непересечения [26]). Для кривых потенциальной энергии двухатомных молекул такой случай показан на рис. 3.2, где Ло и Во — пересекающиеся кривые нулевого приближения А и В — непересекающиеся кривые более высокого по- [c.130]

Идея алгоритма ориентированного стебля состоит в понимании того, что ограничения инцидентности и пересечения для ребер типа Ь легко обобщаются на случай, когда элементами являются стебли. Так, например, то, что два стебля не могут быть инцидентными одной й той же верщине, преобразуется в условие того, что два стебля не могут содержать одну и ту же вершину, тогда как условие непересечения двух стеблей означает, что никакое ребро одного из них не может пересекаться ни с одним ребром другого. Иногда это условие непересечения стеблей рассматривается как избежание узлов , означающее, что половина одного стебля не может лежать между половинами другого стебля, что соответствует первичной структуре. Два следующих соотношения полезны при обсуждении стеблей. Говорят, что стебель х включает стебель у, если обе половины стебля у лежат между половинами стебля х, и стебель х исключает стебель у, если никакая из половин стебля у не лежит между половинами стебля х. Преобразовав условие инцидентности в условие перекрывания и условие непересечения в условие узлообразования, мы получаем четыре соотношения, справедливые для стеблей, состоящих из одного или большего числа ребер типа Ь перекрывание, узлообразование, включение и исключение. [c.523]

Возможен также другой подход к проблеме запоминания карты обратных переходов - не запоминать ее всю. Для этого вспомним метод 1-граммного разложения. Пусть штрафы за делецию и за замену равны у =у =2, а премия за совпадение равна у =1. Тогда ясно, что при этих условиях любая гомология начинается не менее чем с трех совпадающих букв. В этом случае можно предложить подход методом 1-граммного разложения находим все совпадающие тройки (назовем их затравками) - с них может начинаться гомология. Начиная с совпадающей тройки пускаем алгоритм динамического программирования. При этом просматривается только часть матрицы гомологии. В процессе построения фунщии сходства и карты обратных переходов запоминаются только ненулевые перспективные клетки, связанные с выбранной 1-граммой. Функция сходства Р и карта обратных переходов строятся до тех пор, пока не получится пустая строка, т.е. строка, не содержащая ни одной ненулевой перспективной клетки, связанной с затравкой. После этого находим наибольшее значение функции сходства и с помощью карты обратных переходов восстанавливаем выравнивания. Полученные выравнивания запоминаем, а карту обратных переходов теперь можно забыть и использовать освободившуюся па1лять для построения другого выравнивания. Применение этого подхода позволяет находить локальные гомологии при ограниченном ресурсе па14яти. Следует, однако, иметь в виду, что описанный алгоритм не гарантирует выполнения всех условий локальной гомологии, а именно может нарушиться условие непересечения путей. Чтобы этого не произошло, следует проверить, не является ли затравка фрагментом уже найденной локальной гомологии. При наличии та- [c.28]

При решении задачи оптимальной компоновки оборудования на. . ЦВМ соблюдаются следующие условия .ззаимное непересечение аппаратов и.-трубопроводов требуемое по санитарным нормам и технике безопасности расстояниа между объектами наличие зон, свободных от оборудования прокладка р утрицеховых трубопроводов с учетом использования строительных конструкций , компоновка оборудования в пространстве, ограниченном объемом цеха.. [c.54]

Для двухатомных молекул, где имеется лишь один геометрический параметр - межъядерное расстояние R, в общем случае система уравнений (3) будет несовместна, откуда следует утверждение о том, что потенциальные кривые двухатомных молекул не пересекаются. Пересечение оказывается возможным, лишь если хотя бы одно из условий (3) выполняется автоматически, например, если функции Ф1 и Ф2 относятся к разным типам симметрии (преобразуются по разным неприводимым представлениям) и тогда - в силу теоремы Вигнера-Эккарта - недиагональный матричный элемент обращается в нуль Я 2 = 0. Поэтому более точная формулировка правила непересечения такова потенциальные кривые двух состояний одного и того же типа симметрии, как правило, не пересекаются, тогда как кривые состояний различных типов симметрии пересекаться могут. Наличие пересечения потенциальных кривых соответствует ситуации, изображенной на рис. 9.1.1а, однаю, как правило, они должны вести себя так, как показано на рис. 9.1.16. Точки Rq, где кривые I и [c.417]

Эти условия-сохранение типа симметрии и непересечение линий одной и той же симметрии - остаются справедливьа1и прп иек-рых дополнит, ограничениях и для орбитальных корреляц, диаграмм. Сохранение симметрии орбиталей важно учитывать при взаимод. молекул, ведущих к хим. р-циям, если отдельные операции симметрии для системы взаимодействующих молекул сохраняются при всех расстояниях между молекулами. В эпгх за,вдч2х соблюдаются т, наз. правила сохранения орбитальной симметрии, налагающие определенные ограничения на возможные механизмы осу- [c.350]

Непересечение потенциальных кривых. Как отмечалось, каждому электронному терму системы атомов соответствует своя собственная поверхность потенциальной энергии. Для исследования механизма элементарной химической реакции и выяснения возможности неадиабатических переходов важно знать, может ли произойти (и при каких условиях) пересечение поверхностей потенциальной энергии, т. е. существует ли такая конфигурация ядер, при которой два различных электронных состояния имеют одно и то же значение энергии (вырождение). [c.185]

Однако параметр X здесь уже не равен 1. Энергии МО нельзя вычислять по простым формулам (4.6) и (4.7), и необходимо решать уравнение второй степени (4.4). С помошью условий а — в в разделе 4.3 (приблизительно одинаковые энергии, максимальное перекрывание и одинаковые свойства симметрии относительно оси связи) легко указать, какие АО грл и грв могут комбинировать между собой. Кроме того, сохраняет прежний смысл классификация МО по тинам симметрии а, тс,, а также степень вырождения МО. Остается справедливым и правило непересечения (стр. 82), согласно которому уровни энергии МО одинаковой симметрии взаимно отталкиваются при помощи его можно коррелировать энергии орбиталей в двух предельных случаях, а именно объединенного атома и разделенных атомов. Соответствующая корреляционная диаграмма, аналогичная диаграмме для двухатомных молекул с одинаковыми ядрами (рис. 4.10), показана на рис. 4.12 (заимствованоиз[255]). Основное отличие последней от диаграммы на рис. 4.10 заключается а) в отсутствии свойств g и и (стр. 107), что связано с потерей центральной симметрии, и б) в различии энергий одинаковых орбиталей у разделенных атомов. Например, в молекуле N0 МО о25 коррелирует с АО кислорода 2з, МО а 2з — с АО 25 азота, причем вследствие большего ядерного заряда уровень кислорода ниже уровня азота. Однако в молекуле Ог как сг25, так и а 2з коррелируют с одной и той же АО кислорода при больших межатомных расстояниях. [c.118]

Если высщ-ий занятый уровень ароматической молекулы расположен выше нижнего вакантного уровня электрофила (необходимое условие возможности образования о-комплекса [425—427]), кривые НС и ПЗ пересекаются. В этом случае, учитывая правило непересечения энергетических уровней, рассматрив,аемые кривые следует заменить двумя другими, изображенными пунктиром, причем нижняя пунктирная кривая характеризует энергетический профиль перехода от невзаимодействующих частиц АгН и Х+ к о-комплексу (а) через переходное состояние (б). При уменьшении межъядерного расстояния С - - X взаимодействие АгН и Х" определяется сначала в основном волновой функцией структуры без связи , а затем преимущественно волновой функцией структуры с переносом заряда конфигурации же переходного состояния соответствует примерно равный вклад обеих структур . [c.154]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология