Галогеииды

Рис. 8. Цепочки цетилтриметиламмоний-галогеиида между слоями монтмориллонита

В кислый раствор, содерл<ащий смесь солей КС1, КВг и KJ добавлено достаточное количество KNO2. Записать редокси-цепи, выражающие взаимодействие НОг-иона с каждым по отдельности галогенид-ионом (один из электродов N02 - -2H+/N0 + Н-НгО). Сопоставлением электродных потенциалов установить, какой из галогенид-ионов будет окисляться до свободного состояния и какие не будут. Для окисляющегося галогеиид-иоиа написать молекулярное уравнение реакции. [c.181]

Так как взаимодействие спиртов с галогеноводородом проходит не количественно, почти всегда получается смесь галогеиида со спиртом, которая пе может быть полностью разделена фракционной перегонкой из-за того, что спирты часто образуют азеотропные смеси с соответствующими галогенидами. Спирты отделяют от продукта реакции встряхиванием с к он центрированной серной или, лучше, с концентрированной соляной кислотой. [c.203]

Растворение металла, идущее одновременно с образованием Нг из ионов Н в растворе, представляет собой случай, в котором анодный и катодный процессы протекают на одном и том же электроде. (Эти процессы называются полиэлектродными.) При этом как диффузия, так и химические процессы могут стать лимитирующими. Ранние работы по растворению амальгам натрия [7-6] в кислотах и основаниях указывают на то, что скорость реакции имеет первый порядок по Н" и приблизительно порядок /2 по концентрации натрия. Для кислых растворов эти факты объяснялись тем, что процесс лимитируется диффузией. Однако, как показали более поздние исследования [77—80], скорость растворения металлов в различных кислотах и растворителях пропорциональна концентрации недиссоциированной формы кислоты и относительные константы скорости в различных кислотах хорошо ложатся на прямую Бренстеда. По-видимому, в этом случае лимитирующей стадией является перенос протона от молекулы недиссоциированной кислоты к поверхности металла , причем реакция подвергается специфическому катализу кислотами. При растворении солей, таких, как Na l, в системах с перемешивающим устройством предполагается, что скорость реакции лимитируется диффузией, причем диффузия происходит через пограничный слой насыщенного раствора соли на поверхности кристаллов соли. Хотя подобная картина, по-видимому, является правильной для простых солей, таких, как галогеииды щелочных металлов, в случае солей металлов переменной валентности картина может быть другой. Так, например, безводный СгС1з очень медленно растворяется в воде, при этом скорость реакции не зависит от перемешивания. Было обнаружено, что небольшое количество Сг " в растворе оказывает огромное влияние на скорость реакции. Вероятно, в этом случае осуществляется перенос заряда между частицами Сг - в растворе и Сг в твердой фазе. Эти системы, по-видимому, заслуживают дальнейшего изучения. [c.557]

В зависимости от взаимной растворимости реагентов и продуктов реакции химические п физические реакции в твердых телах (или между твердыми телами) могут сопровождаться фазовыми переходами. Для большинства реакций твердых тел процесс диффузии является достаточно медленным и он становится лимитирующим. Процесс же образования центров зарождения не является в этих случаях существенным, как было показано на примере реакции СоО -Ь ZnO, ведущей к образованию смешанных окислов [91], и реакции KG1 + sBr [92]. О диффузии твердых галогеиидов щелочных металлов см. [93]. [c.560]

Устранение мешающего влияния гексацианоферратов при проведении реакций обнаружения анионов и катионов. При обнаружении галогеиидов осаждают мешающие гексациаяоферраты из нейтрализованной содовой вытяжки, [c.65]

Процесс образования тиосолей при взаимодействии сульфид-ионов с кислотными сульфидами аналогичен образованию галогенидных комплексов при взаимодействии галогенидов тяжелых металлов с галогеиид-ионами, например [c.309]

Известны соединения алюминия, в которых он проявляет степень окисления +1. Это галогеииды A1F и A1 I, оксид AUO, существующие только при высокой температуре. [c.352]

Летучесть галогеиидов ЭГ растет при увеличении числа я, что обусловливает способность к диспропорционированию низших галогенидов при нагревании. Это объясняет и тот ф хт, что некоторые высшие галогениды более стойки не в твердом, а газообразном состоянии. [c.481]

Известно много соединений элементов подфуппы УБ переменного состава (соедииения внедрения - гидриды, нитриды, карбиды, силицклы. бориды). Многие галогеииды ниобия и тантала с ш-2, 3, 4 кластерного типа. Например, NbбIll содержит кластерный ион НЬб1 . [c.499]

Можно продолжить сопоставление свойств РЗЭ и кальция, обсуждая комплексообразующую способность РЗЭ(III) [10]. Так же как Са(П), с обычными лигандами, такими как аммиак, цианид-, нитрат-, сульфат-, тиосульфат-, галогеиид-ионы, РЗЭ(III) дают лишь очень неустойчивые комплексы. В разбавленных растворах эти комплексы полностью диссоциированы, хотя при концентрировании растворов все же образуются ионные ассоциаты с последующей кристаллизацией двойных солей. [c.75]

Иногда обмен галогена на водород лучше всего протекает под действием безводного хлорида хрома (II). Б случае некоторых бромкетостероидов восстановление цинковой пылью в уксусной кислоте дает неудовлетворительные результаты, Между тем при длительном взаимодействии галогеиида с раствором хлорида хрома (II) в ацетоне в атмосфере двуокиси углерода и 25—30° С продукты дегалогенирования получаются большей частью с хорошим выходом [359]. а-Бромкетоны тоже могут быть восстановлены по втой методике [360]. [c.71]

Реакция Меервейна (взаимодействие галогеиидов диазоиия с соединениями, содержащими, С С- и С=С связи) [c.123]

Классическим и общепринятым методом получения алифатических роданидов (эфиров тишгиановой кислоты) является взаимодействие галогеиидов с роданидами металлов [c.201]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология