Анизотропия свойств кристаллов

Приведите возможно больще примеров анизотропии свойств кристаллов. [c.64]

Учитывая анизотропию свойств кристалла графита, а именно, разницу в силах связи между углеродными атомами, находяш,имися в соседних базисных плоскостях (7— [c.141]

Влияние дефектов на анизотропию свойств кристаллов. Не только оси дислокаций располагаются по определенным кристаллографическим направлениям. Очень часто и точечные дефекты выстраиваются в ряды определенного символа. Следствием этого может служить повышенная [c.264]

Анизотропия свойств кристалла учитывается только в стрикционной энергии Hmt, направления х ж у — вполне определенные кристаллографические направления в кристалле. В выражении (4.6) для потенциала Гиббса перейдем к фурье-гармоникам и(к) по формуле (4.7), и ф(к) [c.133]

Анизотропия свойств кристаллов. ............29 [c.5]

АНИЗОТРОПИЯ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ [c.29]

Анизотропия свойств кристаллов обычно исчезает при исследовании поведения поликристаллического тела. Правда, зависимость свойств от направления, характерная для монокристаллов, сохраняется в отдельных кристаллических зернах. У большинства зерен, которые в самом общем случае не имеют преимущественной ориентации, свойства усредняются и образец в целом оказывается изотропным. Поэтому измеренные свойства представляют собой усредненные значения (не в математическом смысле) по всем направлениям. В одном поликристалле отдельные зерна могут приобретать определенную преимущественную ориентацию, например, благодаря доминирующему направлению кристаллизации или вследствие прокатки. В таком случае говорят [c.32]

Как правило, вследствие анизотропии свойств кристаллов явление, выз- [c.188]

Реальные кристаллы иногда существенно отличаются от идеальных тем, что состоят из некоторого числа блоков правильного кристаллического строения, но расположенных не параллельно друг другу [11- При этом анизотропия свойств кристалла в целом может сохраняться. В таких случаях говорят о мозаичности кристалла. Это явление можно рассматривать как следствие нарушений решетки под действием некоторых факторов (например, посторонних примесей). [c.74]

Поверхность реальных твердых тел редко бывает однородной. На смачивание особенно сильное влияние оказывает наличие на твердой поверхности участков с различным поверхностным натяжением. В этом плане реальные поверхности можно классифицировать на две группы — поверхности, неоднородные по химическому составу отдельных участков, и поверхности с участками разной структуры. К первой группе можно, например, отнести поверхности композитных материалов, многофазных сплавов, пористых тел. Неоднородности поверхности второй группы обусловлены зависимостью поверхностного натяжения различных кристаллических граней от их ориентировки. Эти различия могут быть весьма велики, в особенности для веществ, у которых кристаллическая решетка имеет сравнительно малую степень симметрии и поэтому анизотропия свойств кристалла проявляется особенно резко. Неоднородности структуры присущи поверхностям всех поликристаллов. [c.64]

При пользовании десятичной шкалой твердость вещества определяют по его сопротивлению царапанью. Например, стекло царапает минералы 1—4 и в свою очередь царапается минералами 6—10. Следовательно, твердость его лежит около 5. Устанавливая отношение стекла к апатиту, можно уточнить оценку до десятых долей шкалы. Вещества с твердостью ннже 2 царапаются ногтем, с твердостью ниже 5 — обычным ножом, с твердостью ниже 7 — напильником. Ввиду анизотропии свойств кристаллов определение твердости по методу царапанья может даже для одного и того же вещества дать несколько различные результаты в зависимости от избранной грани кристалла и направления черты. Из изложенного следует, что рассматриваемый метод, будучи чрезвычайно простым, является вместе с тем весьма грубым. [c.309]

Силы, связывающие атомы в слое, аналогичны ковалентным связям кристалла алмаза, но отдельные слои, расположенные друг от друга на расстоянии 3,25 А, связаны более слабой, по мнению некоторых авторов, металлической связью. Такая структура приводит к значительной анизотропии свойств кристалла по направлениям. Графит по своим свойствам может быть отнесен к промежуточным твердым телам. Обладая некоторыми свойствами валентных кристаллов, он в то же время имеет теплопроводность и электропроводность металлов. Законы изменения этих характеристик графита аналогичны поведению металлов начиная с высоких температур, теплопроводность графита повышается с понижением температуры. Около 100° К его теплопроводность имеет максимальное значение и затем (до 2° К) снижается более резко, чем у таких металлов, как медь. [c.81]

Ввиду анизотропии свойств кристалла результат взаимодействия и его симметрия будут непременно зависеть от того, в каком исходном направлении кристалла прилагалось воздействие. [c.19]

Явление двупреломления — это типично кристаллический эффект, состоящий в том, что скорость света в кристалле зависит от ориентации плоскости поляризации света. Существенно, что она достигает экстремального максимального и минимального значений для двух взаимно ортогональных ориентаций плоскости поляризации. Разумеется, ориентации поляризации, соответствующие экстремальным значениям скорости свете в кристалле, определяются анизотропией свойств кристалла и однозначно задаются ориентацией кристаллических осей относительно направления распространения света. [c.10]

Грум-Гржимайло [105, 108] предложены приборы для исследования окраски кристаллов корунда и его оптических аномалий и ориентировки. Тем же автором совместно с Классен-Не-клюдовой [106] подведены итоги основным результатам всех лабораторных исследований корунда и обсуждено их использование при решении практических задач в производстве (анизотропия свойств кристаллов, рентгенографический метод при определении поверхности скола и др.). Антипова-Каратаева и Грум-Гржимайло [107] предлагают определять концентрацию хрома в корунде по изменениям относительной интенсивности люминесценции, которая при небольшом содержании хрома пропорциональна его концентрации. [c.299]

На основании данных табл. 5.1, используя приведенные выше рассуждения, можно заключить, что для грани (111) значение у, найденное по уравнению (19), составит 10 > /10 = 10 произвольных единиц. Для граней (110) и (100) величина у оказалась соответственно равной lO VlO = lO i и 10 /10 = 10 . Сосновский [49] иредноложил, что причино изменения у, El ж Е2 в зависимости от кристаллографической ориентации может быть анизотропия свойств кристалла, приводящая к тому, что линии дислокаций пересекаются со свободными поверхностями, имеющими различную ориентацию. В свете данных работ Ливингстона [64] и других авторов [15, 65, 66], показывающих значение стереохимических факторов нри изучении травления дислокаций, это предположение кажется вполне разумным. [c.232]