Автоионный микроскоп

В последнее время разработаны и успешно применяются различные методы прямого наблюдения структурных дефектов в реальных кристаллах избирательное травление, декорирование, рентгеновская топография, электронная и автоионная микроскопия. [c.157]

Для исследования дефектов на атомном уровне м ожно использовать автоионную микроскопию (часто разрешение составляет 0,2—0,3 нм). Наиболее эффективным способом изготовления образца является электрополировка, однако некоторые материалы обрабатываются в кислотах, щелочах и т. д. Окончательное формирование поверхности образца производится в микроскопе путем испарения полем. [c.161]

Нарушенное полное внутреннее отражение Фурье-спектроскопия/Преобразование Фурье Лазерная Раман-спектроскопия (спектроскопия комбинационного рассеяния) Ядерный магнитный резонанс Электронный парамагнитный резонанс Автоионная микроскопия (микроскопия испускаемых ионов [c.157]

В. Автоэлектронная и автоионная микроскопия [c.231]

Хотя автоионная микроскопия позволяет эффективно наблюдать расположение атомов поверхности и отдельных адсорбированных атомов и их перемещение, определять энергетические свойства поверхности этим методом не представляется возможным. В этом отношении автоионная микроскопия уступает автоэлектронной. Основное уравнение автоэлектронной эмиссии, выведенное Фаулером и Нордхеймом [118], описывает влияние приложенного поля на скорость эмиссии электронов. На рис. У-23 приведена упрощенная схема эмиссии электронов поверхностью металла. В отсутствие поля энергетический барьер, соответствующий работе выхода Ф, предотвращает утечку электронов нз зоны Ферми. При наложении поля высота этого барьера уменьшается пропорционально расстоянию и составляет Ф—V, где У=хР (Р — напряженность поля, В/см). Теперь становится возможным квантово-механический процесс туннелирования электронов. Если электрон находится в ящике с конечной высотой потенциального барьера, вероятность туннельного выхода такого электрона из ящика Р составляет [c.234]

Чтобы понять суть процессов, протекающих на поверхностях, необходимо знать не только химический состав поверхности, но и порядок расположения составляющих ее компонентов. Двумерную периодичность кристаллической плоскости можно исследовать, исполь. зуя явление дифракции, в частности дифракцию медленных электронов (ДМЭ). В тех случаях, когда периодичность в плоскости отсутствует, поло —1ие отдельных атомов можно непосредственно "наблюдать" при помощи метода автоионной микроскопии (АИМ), разработанной Мюллером (1951). [c.51]

Автоионная микроскопия (АИМ). Автоионный микроскоп, изобретенный Мюллером, позволяет непосредственно "наблюдать" атомы на поверхности. Принципиальная схема микроскопа показана на рис. 3.15. Анод выполнен в виде флуоресцентного экрана. На поверхности металлического острия плотность электрического поля достигает 5 . 10 В/см. Вся система заполнена "проявительным" газом (гелий или неон при давлений (1-3) 10" мм рт. ст.). На атомы газа, находящиеся вблизи поверхности, действует поле большой силы, приводящее к ионизации атомов газа (электроны за счет туннельного эффекта попадают на поверхность острия). Образующиеся положите ль- [c.54]

Атомная структура кристалла, видимая с помощью автоионного микроскопа Кристалл вольфрама имеет полусферическую форму. Видны выходы граней ool и ill , которые можно узнать по их четверной и тройной симметрии. Мелкие светлые пятнышки — атомы [c.307]

Для обнаружения и исследования сегрегации помимо Оже-спектроскопии можно использовать авторадиографию, рентгенографию, потенциометрию, автоионную микроскопию, химический анализ, измерения микротвердости и внутреннего трения, определение параметров ЭЯ- [c.137]

Теория АЭ полупроводников развита Страттоном, Елинсоном и др. [12]. АЭ эмиттеры используются пока ограниченно — в некоторых специальных электроннолучевых приборах, в приборах для генерирования миллиметровых и субмиллиметровых волн [13]. Наиболее широкое применение явление АЭ нашло в автоэмиссион-ной и автоионной микроскопии [9]. В качестве АЭ эмиттеров чаще всего используются металлические острия из наиболее тугоплавких металлов вольфрама, рения. [c.460]

Автоэпектронная микроскопия (АЭМ). Используя аппаратуру, аналогичную описанной выше для автоионной микроскопии, и прилагая к образцу сильное электрическое поле, можно определить изменение работы выхода электронов, испускаемых вследствие туннельного эф-фектаь Общая схема установки и принцип действия показаны на рис. 3.1 Катодом служит металлическое острие из анализируемого вещества, анодом — флуоресцентный экран, градиент поля на поверхности образца достигает 4 10 В/см. [c.59]

Ионный проектор (автоионный микроскоп) способен разрешать отдельные атомы на острие металлической проволоки. Проволока служит катодом с сильным электрическим полем у его конца. Испускаемые ею ионы дают изображение на флуоресцирующем экране. Увеличение, пропорциональное отношению расстояния до экрана к радиусу кривизны острия, можно, довести до 10 , что дает разрешение порядка 2-10 м, позволяющее легко видеть отдельные атомы ). Однако такое исследование пока возможно только для немногих весьма тугоплавких материалов. Автоионная микроекопия позволяет наблюдать вакансии, междоузлия, примесные атомы и дислокации [88], но ее возможности пока ограничены только исследованиями тугоплавких металлов ). [c.49]

Обстоятельнее с возможностями исследований с помощью ионного проектора читатель может ознакомиться по сб. Автоионная микроскопия (изд-во Мир , 1971) или монографии Э. Мюллера и Т. Цоня того ж названия (изд-во Металлургия , 1972). — Прим. ред. [c.49]

Граница кристалл — пар. Применение методов автоионной микроскопии и дифракции заряженных частиц показало, что основное изменение свойств при переходе от кристалла к пару происходит в области протяженностью в один-два монослоя. При невысоких температурах на границе раздела можно выделить приповерхностный моноатомный (мономолекулярный) однородный слой криста.т1ла [c.62]

Наиболее убедительно это подтверждают данные автоионной микроскопии. При исследовании кристаллов углерода, 20 металлов (вольфрам, молибден, ниобий, тантал платина, родий, иридий, золото, железо, никель, кобальт, лантан и др.), а также их сплавов, карбидов и боридов методом автоионной микроскопии обнаружено, что при температуре, составляющей 1/2—2/3 от температуры плавления, приповерхностный монослой кристаллов имеет упаковку, близкую к нормальной упаковке в их решетке [25—28]. Периодичность плотноунакованного слоя нарушается довольно редко вакансиями и адсорбированными атомами, удерживаемыми в непосредственной близости от этого монослоя и способными перемещаться вдоль поверхности. При изучении микрокристаллов перечисленных металлов были выявлены плоские грани размером —10 см, разделенные четкими ребрами (рис. 4.4), причем концентрации вакансий и адсорбированных нримесей на гранях разных типов не одинаковы [28, 29]. [c.62]

Для изучения свойств твердой фазы используют радиометрию и спектрометрию 110], электронную и оптическую микроскопию [И, 12], рентгеноструктурный и рештенофазовый анализ [13, 14], электронографию и автоионную микроскопию [15, 16], эманационный и дилатометрический методы [17, 18], метод изотопного обмена и осциллометрию [19—21], диэлькометрию и седиментометрию [22, с. 101—150 23], светорассеяние и лазерную голографию [24, 25], локальный рентгеноспектральный и ионнозондовый анализ [26, 27], авторадиографию [28] и метод БЭТ [29]. Каждому из этих методов посвящена специальная литература и они здесь не рассматриваются. [c.238]

Из подобных примеров, близких к аналитическим методам, можно назвать автоионную эмиссию в электрических полях большой напряженности (до 10 в см) и возможность наблюдать отдельные атомы в структуре твердых тел с помощью автоионного микроскопа. Использование резонансного поглощения света органическими соединениями, охлажденными до низких температур (эффект Шпольского), позволило получить квазилинейчатые спектры флуоресценции, что нашло применение в аналитической химии [31. Такие методы, как мёссбауэровская спектроскопия, ядерный магнитый, электронный парамагнитный резонанс отличаются высокой чувствительностью и избирательностью благодаря их резонансным характеристикам. С помощью этих методов может быть исследована структура сложных молекул, определено состояние окисления атомов, изучены процессы комплексообрааования, выявлен характер и определена энергия связи в соединениях. [c.44]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология