Распределение по скоростям эмиссии

По хозяйственно-территориальным признакам источники суперэкотоксикантов удобно подразделять на локальные и диффузные (пространственно распределенные), а по скорости эмиссии в окружающую среду и объекты живой природы - на регулярные и экстремально-залповые [16 . [c.57]

Предположение о том, что электроны в металле свободно перемещаются и в отсутствие электрического поля, подтверждается рядом экспериментальных фактов. Так, обнаруживается универсальная связь между электропроводностью и теплопроводностью металлов. Теплопроводность металлов значительно выше, чем теплопроводность изоляторов найдено, что отношение электропроводности и теплопроводности, по крайней мере при средних температурах, является универсальной функцией температуры и не зависит от природы металла (закон Видемана — Франца). Это указывает на общность механизма обоих процессов перенос тепла, как и перенос электричества, осуществляется за счет движения свободных электронов следовательно, свободные электроны в металле имеются и в отсутствие электрического поля. Факт существования в металлах свободно перемещающихся электронов подтверждается также явлением термоэлектронной эмиссии (испускание электронов нагретыми металлами). Следует отметить, что распределение скоростей электронов в металле, как показывает опыт, является максвелловым. Таким образом, наличие в металлах электронного газа можно считать экспериментально подтвержденным. Предположив, что электронный газ в металле обладает свойствами классического идеального газа, Друде дал теоретическое истолкование наблюдаемой на опыте зависимости между теплопроводностью и электропроводностью. Был объяснен ряд термоэлектрических явлений. Правда, возникли расхождения между теоретическими и экспериментальными значениями теплоемкости металлов. Согласно классическому закону равнораспределения энергии электронный газ должен давать вклад в теплоемкость металла, равный 3/2 Я а а 1 моль свободных электронов (если металл одновалентный, это вклад на 1 моль вещества). Однако экспериментально установлено, что вклад электронов в теплоемкость практически равен нулю. Это противоречие нашло объяснение наос- [c.183]

Спектральное распределение излучения абсолютно черного тела для трех температур показано на рис. 12.2. Ординатой является интенсивность излучения 1 , которая определяется так, чтобы скорость эмиссии энергии в области длин волн от X до Х+аХ на единицу площади поверхности составляла / с1Х. [c.366]

Закон распределения энергии можно применить и к электронам в нагретом металле. Предположим, что электроны, обладающие некоторой энергией Ё , могут покинуть металл. Если скорость эмиссии таких электронов не настолько велика, чтобы сделать неприменимым уравнение Больцмана, относящееся только к состояниям равновесия, то можно найти число электронов, испускаемых металлом. Опо должно быть пропорциональным Эта [c.38]

Кроме Nj и О2 близкое к барометрическому распределение по Z характерно для относительно стабильных веществ атмосферы Oj, СН4, Н . Постоянство их относительных концентраций в различных регионах (3 10 10 5 10 ppb) определяется тем, что характерное время их жизни в атмосфере намного больше времени переноса воздушных масс из индустриального региона в морской, из Северного полушария в Южное. Это время жизни (х) определяется соотношением между скоростью эмиссии веществ в атмосферу (М ) и их атмосферной концентрацией [X] [c.255]

При определении распределения скоростей среди вторичных электронов методом задерживающего поля источником первичных электронов служит электронная пушка , схема которой представлена на рис. 24. Мишень—электрод, вторичная эмиссия из которого изучается,—помещается согласно схеме рис. 11 в центре сферического коллектора. Обычно таким коллектором служит покрытая металлом внутренняя поверхность стеклянного баллона. Задерживающее поле накладывается между мишенью и коллектором. [c.82]

Распределение скоростей в потоке электронов вне металла при термоэлектронной эмиссии. Так как плотность электронного газа вне металла при термоэлектронной эмиссии такова, что к электронному газу приложимы выводы классической кинетической теории, то скорости эмиттированных электронов должны быть распределены по максвелловскому закону. Из работ по экспериментальной проверке этого факта мы остановимся здесь только на опытах Джермера [191]. [c.105]

Таким образом максвелловское распределение скоростей дл г электронов, эмиттированных металлом, можно считать экспериментально твёрдо установленным. Средняя (наиболее вероятная) скорость эмиттируемых электронов при температуре нити 2500° К эквивалентна 0,2 в. О распределении электронов по энергии при автоэлектронной эмиссии смотрите [268]. [c.107]

Вид вольтамперной характеристики фотоэффекта, то-есть ход кривой, воспроизводящей зависимость фототока с катода от разницы потенциалов между катодом и улавливающим электроны анодом, определяется в случае чистых металлических поверхностей, кроме геометрической конфигурации электродов, распределением скоростей среди эмиттированных фотоэлектронов и контактной разницей потенциалов между электродами. Вследствие малой плотности фототока ограничивающее ток действие пространственных зарядов весьма незначительно и ток достигает насыщения уже при очень малой величине истинной разницы потенциалов между катодом и анодом (сумма наложенной извне и контактной разницы потенциалов). В случае сложных катодов внешнее поле влияет на эмиссию, и вольтамперная характеристика сложнее. Насыщение тока наступает и для чистых металлов лишь при сравнительно большой разности потенциалов между катодом и анодом в тех случаях, когда вследствие формы катода и анода напряжённость поля у поверхности катода настолько различна в различных точках, что при малой разнице потенциалов между анодом и катодом пространственные заряды не рассеиваются в местах наименьшей напряжённости поля у катода и ограничивают здесь плотность тока. [c.132]

Распределение скоростей среди вторичных электронов наиболее удобно определять методом задерживающего поля, описанным в главе о фотоэффекте (см. также [564]). Источником первичных электронов служит электронная пушка, схема которой представлена на рисунке 81. Мишень — электрод, вторичная эмиссия из которого изучается, помещается согласно схеме рисунка 59 в центре сферического коллектора. Обычно таким кол- [c.179]

Предположение о том, что электроны в металле свободно перемещаются и в отсутствие электрического поля, подтверждается рядом экспериментальных фактов. Так, обнаруживается универсальная связь между электропроводностью и теплопроводностью металлов. Теплопроводность металлов значительно выше, чем теплопроводность изоляторов найдено, что отношение электропроводности и теплопроводности, по крайней мере при средних температурах, является универсальной функцией температуры и не зависит от природы металла (закон Видемана — Франца). Это указывает на общность механизма обоих процессов перенос тепла, как и перенос электричества, осуществляется за счет движения свободных электронов следовательно, свободные электроны в металле имеются и в отсутствие электрического поля. Факт существования в металлах свободно перемещающихся электронов подтверждается также явлением термоэлектронной эмиссии (испускание электронов нагретыми металлами). Следует отметить, что распределение скоростей электронов в металле, как показывает опыт, является максвелловым. Таким образом, наличие в металлах электронного газа можно считать экспериментально подтвержденным. Предположив, что электронный газ в металле обладает свойствами классического идеального газа, Друде дал теоретическое истолкование [c.206]

Один из механизмов связан с различной скоростью перехода разноименно заряженных частиц.из одной фазы в другую. Простейший случай образования двойного электрического слоя по такому механизму — испускание электронов поверхностью нагретых металлов (электронная эмиссия). В этом случае сам металл в сколько-нибудь значительном количестве не испаряется, эмиссия же электронов происходит легко, и поверхность металла заряжается положительно. Между поверхностью металла и окружающим ее внешним пространством возникает разность потенциалов. По достижении равновесного состояния распределение частиц в обеих фазах неравномерное положительно заряженный металл притягивает электроны из внешней среды, а они отталкивают электроны металла от его поверхности внутрь. В результате в поверхностном слое металла образуется избыток положительно заряженных ионов, а на поверхности внешнего пространства— избыток электронов. Такое распределение разноименно заряженных частиц и создает двойной электрический слой. [c.165]

Найдено, что тонкая летучая зола может быть осаждена при скоростях газа до 15 м/сек в устройстве из двухступенчатых ионизирующих и осадительных труб, но только тогда, когда повторное увлечение и обратная эмиссия Могут быть исключены за счет уменьшения толщины слоя осажденной пыли до минимума (<0,75 мм). Это обеспечивается периодической очисткой секции осадительных элементов посредством высокоскоростного (25—35 м/сек) продувочного газового потока в то время как другие секции фильтра находятся в работе. Продувочный газ выносит пыль во вторичный уловитель — циклон. Совместная эффективность фильтра и вторичного уловителя составляет 95% для летучей золы со следующим распределением частиц по размерам [c.323]

Вывод формулы термоэлектронной эмиссии на основе распределения по скоростям Ферми и волновой механики. В современной электронной теории металлов очень существенным является представление о потенциальном барьере на границе металла. Так как для выхода электрона из металла необходимо затратить некоторую работу, то это равносильно тому, что электрон, выходя из металла, переходит из области с более высоким потенциалом в область с более низким потенциалом. Потенциал внутри металла не равен внешнему потенциалу около его поверхности, и на границе металла имеет место скачок или более или менее быстрое изменение потенциала. [c.85]

Проблема распределения напряжения на делителе в ФЭУ является в самом деле довольно сложной, поскольку необходимо учитывать достаточно противоположные требования, имеющие различный вес в зависимости от области применения метода [38—40]. Так, например, равномерное деление напряжения дает максимальное значение М большее напряжение на первых динодах приводит к низким статистическим флуктуациям М и времени пролета большее напряжение на последних дииодах дает лучшую линейность и т. д. В канальных электронных умножителях (КЭУ) и микроканальных пластинах (МКП) делители напряжения представляют собой слой внутреннего сопротивления, который и дает вторичную эмиссию. Усиление можно преднамеренно довести до насыщения [40, 43], чтобы уменьшить его флуктуации. В канальных электронных умножителях это можно использовать при работе в режиме счета фотонов, в котором информация об амплитуде оказывается ненужной. С другой стороны, в микроканальных пластинах амплитудная информация может сохраняться до тех пор, пока вероятность наличия более чем одного фотоэлектрона на канал за время пролета будет незначительной. Очевидно, это ограничивает максимальное среднее значение мгновенной скорости фотонов, которое может быть обработано линейно. [c.523]

Рекомбинация возбужденных носителей тока происходит главным образом через локальные уровни внутри запрещенной зоны. При этом скорость рекомбинации определяется поперечным сечением захвата электронов и дырок, которое имеют создающие эти уровни центры. Поэтому изучение рекомбинации дает сведения об этих центрах. Следует ожидать (в целом это подтверждается экспериментальными данными), что положительно заряженные дефекты имеют малое сечение захвата для дырок и большое для электронов, и наоборот. Таким образом, определение поперечного сечения захвата отдельных центров для электронов и дырок дает представление о заряде этих центров. Однако для определения поперечного сечения захвата индивидуальных центров требуется довольно сложный анализ процессов затухания. В качестве примера может служить изучение рекомбинации на центрах Ni в германии [53]. Аналогичные вопросы для случая фотопроводящих соединений рассмотрены в работе [54]. Рекомбинация свободных носителей тока с ионизированными дефектами, а также возвращение неионизированных возбужденных центров в основное состояние может сопровождаться эмиссией излучения (люминесценция) [55]. В этих случаях как из спектрального распределения возбуждения люминесценции, так и из характера самой люминесценции можно получить данные по энергетическим уровням системы. Поляризационное изучение люминесценции, как и в случае поглощения, может дать дополнительную информацию о симметрии дефектов [561. [c.176]

Что касается механизма вторичной эмиссии иод действием положительных ионов, то он долл5еп существенно отличаться от механизма вторичной электронной эмиссии под действием электронов. Ироникновения медленных положительных ионов внутрь металла не происходит. Имеющиеся данные о распределении скоростей электронов, эмиттируемых различными металлами при бомбардировке их положительными ионами калия, позволяют вывести заключение, что выход электронов из металла обусловливается передачей положительными ионами их кинетической энергии кристаллической решётке металла с последующей передаче11 этой энергии в немногих наиболее благоприятных случаях одному из электронов проводимости металла. [c.92]

Первая формула Ричардсона хорошо оправдывается на опыте при измерении зависимости силы тока термоэлектронной эмиссии I от температуры катода Т. Вывод второй формулы, данной Ричардсоном, более строг, чем вывод первой, так как в нём не делается предположения о максвелловском распределении скоростей среди электронов внутри металла. Этот вывод основан на законах термодинамики и на некоторых экспериментальных данных, относящихся к движению электронов в металле [216]. Теоретическое обоснование второй формулы Ричардсона на базе термодинамики и квантовой теории дал в 1923 г. Дёшмэн [161]. Формулу эту обычно называют формулой Ричардсона-Дёшмэна. [c.83]

Перед тем как переходить к описанию действия ионного проектора и дать сведения о его применении, следует выяснить, какое разрешение имеет электронный проектор. На первый взгляд кажется, что разрешение связано с дебройлевской длиной волны электронов, создающих изображение. Однако при внимательном рассмотрении этого вопроса становится ясно, что нужно учитывать длину волны электронов, ударяющихся об экран, которая соответствует конечному напряжению и потому очень мала. В большинстве случаев (за исключением, вероятно, получения изображений молекул) фактором, ограничивающим разрешение, является статистическое распределение скоростей электронов перпендикулярно направлению эмиссии [1, 10]. Можно показать, что при величине В кинетической энергии электронов, движущихся в поперечном направлении, разрешение с1 равно [c.114]

Характер временной зависимости локального смешения е и его скорости Ле/(11 при образовании микро- или макротрещины схематически представлен на рис. 2.1. Уменьшение скорости от максимального значения до его половины происходит за время 11,2- Если за начало отсчета времени принять момент достижения максимальной скорости и считать, что кривая, изображенная на рис. 2.1, симметрична, то полуширина кривой распределения скорости в таком элементарном акте составляет 21ц2. Фурье-преобразование этого распределения дает спектральное распределение интенсивности акустической вспышки. Эта интенсивность максимальна при нулевой частоте и падает до половины своего максимального значения при частоте Ю1/2, равной 2пуц2. В первом приближении произведение полуширины кривой распределения скорости на полуширину частотного распределения акустической эмиссии (211/2 /2) равно 0,8825. Для того чтобы было возможно накопление достаточной энергии в частотном диапазоне порядка 1 МГц (что равно VI,2), распределение скорости во времени должно иметь полуширину порядка 0,5 мкс, т. е. большая часть локального смещения должна происходить за 0,5 мкс. Произведение квадрата максимальной скорости на массу деформируемого объема образца определяет порядок энергии, высвобождаемой в элементарной акустической вспышке в процессе образования микро- или макротрещины. При одной и той [c.25]

Прямое изучение реакций 02( Дг) показывает, что он является промежуточным соединением в сенсибилизированном фотоокислении. Возбужденные частицы синглетного кислорода могут быть получены различными путями например, в реакции гипохлорита натрия с пероксидом водорода (см. разд. 4.7) или при воздействии микроволнового разряда на молекулы кислорода в газовой фазе. Со множеством акцепторов, дающих несколько продуктов окисления, в реакции с Ог А ) и при фотоокислении получаются одни и те же продукты, не различающиеся по стереоспецифичности. Если при фотоокислении в переходном состоянии образуется объемный комплекс сенсибилизатора с Ог, то можно ожидать совершенно разные стереоселективность и распределение продуктов. Далее, как для ОгСАй), так и для интермедиата при фотоокислении отношения констант скоростей распада и реакции с акцептором идентичны. Также было четко показано, что Ог( Аг) может получаться в реакции (6.40) при облучении смесей кислорода с подходящими триплетными донорами (например, бензальдеги-дом) наблюдается полоса эмиссии при 1270 нм, относящаяся к переходу 02 Ag- Lg ). Это является дополнительным доказательством существования ОгСА ) в качестве промежуточного продукта в сенсибилизированном фотоокислении. [c.175]

Наиболее важной проблемой, с точки зрения аналитического применения метода, является природа процессов релаксации в жидкостях. При рассмотрении возможности передачи энергии путем спонтанной эмиссии, теплового излучения, электрических взаимодействий показано, что найденные экспериментально времена релаксации Т, и Та, например, протонов воды могут быть объяснены лишь при учете магнитных взаимодействий между частицами через локальные магнитные поля. Локальные поля будут флуктуировать, поскольку молекулы в растворах совершают трансляционные, вращательные и колебательные движения. Компонента создаваемого таким образом переменного поля с частотой, равной частоте резонанса, вызывает переходы между энергетическими уровнями изучаемого ядра совершенно так же, как и внешнее радиочастотное поле. Скорость процесса, приводящего к выравниванию энергии в спиновой системе и между спиновой системой и решеткой , будет зависеть от распределения частот и интенсивностей соответствующих молекулярных движений. При эюм следует учитывать следующие виды взаимодействий магнитное диполь-дипольное, переменное электронное экранирование внешнего магнитного поля, эле.ктрпческое квад-рупольное взаимодействие (эффективное для ядер с / > /2), спин-вращательное, спин-спиновое скалярное между ядрами с разными значениями I. [c.739]

Даже из этого единственного частного примера ясно, что электронный проектор и флэш-десорбция существенным образом дополняют друг друга. Электронный проектор при соответствующем проведении опытов может дать подробные сведения о распределении адсорбированного вещества по поверхности и о скорости процессов на атомарном уровне, происходящих в самом адсорбированном слое. Необходимые для этих наблюдений поля таковы, что, по-видимому, не могут создать серьезных ирепятствий. С другой стороны, флэш-десорбция дает прямые сведения о кинетике молекулярного переноса между газовой фазой и поверхностью. Эти данные не только чрезвычайно важны для понимания кинетики гетерогенных реакций, но и позволяют легко сделать подробные выводы об энергетике связывания газа поверхностью. Без данных по автоэлектронной эмиссии трудно связать эту информацию со структурой и свойствами поверхностного слоя. И наоборот, без сведений, получаемых из макроскопических измерений, трудно однозначно установить природу кинетических процессов, ответственных за изменения, которые наблюдаются в эмиссионном микроскопе. [c.200]

Исследование синтетических алюмосиликатных катализаторов разного состава показало, что при одинаковой удельной поверхности и одинаковом распределении пор по радиусам, каталитическая активность проходит через максимум при том же самом соотношении окиси алюминия и окиси кремния в катализаторе. Максимальная эмиссия ионов и максимальные значения констант скоростей реакций превращения углеводородов наблюдаются для катализаторов, содержащих 30% A1A 70% SiOg, что в молярных отношениях соответствует lAl Og 4Si02. На рис. 3 показана зависимость йодного числа бензина, пропущенного через алюмоси- [c.381]

Метод электронного проектора, в котором изображение получают с помощью электронов, не может дать атомного разрешения поверхности эмиттера. Вследствие принципа неопределенности электрон, вылетающий с точки поверхности, положение которой известно с точностью АХ, имеет неопределенность Х-компоненты своего момента количества движения в пределах h 2nAX) и, следовательно, неопределенность поперечной скорости в пределах /г/(2лМАХ). Поэтому электроны эмиттируются не с одними только радиально направленными скоростями, и изображение размывается из-за того, что они имеют и поперечную скорость. Вторым фактором, тесно связанным с только что упомянутым, ведущим к размыванию изображения, является то, что электроны в металле вблизи уровня Ферми (а только эти электроны дают значительный вклад в эмиссию в поле) имеют кинетические энергии порядка Г) эВ при О К с неупорядоченными направлениями движения. Однако для туннельного эффекта важны только компоненты скорости, перпендику.тярные поверхности, а эмиттированные электроны сохраняют и другие компоненты (поперечные). Один только принцип неопределенности ограничивает разрешение в методе электронной эмиссионной микроскопии 8 А, а из-за статистического распределения поперечных скоростей фактическое разрешение составляет около 20 А. [c.203]

Сущность метода заключается в том, что полупроводник подвергают воздействию соответствующего возбуждения при низкой температуре, часто при температуре жидкого азота, а затем медленно нагревают в темноте с постоянной скоростью, наблюдая происходящую при этом эмиссию света и изменения проводимости. Освещение при низкой температуре приводит к образованию электронов и дырок соответственно в зоне проводимости и в валентной зоне, причем заселенность примесных уровней зависит от сечения захвата уровня и кинетики рекомбинации во время процесса освещения. При выключении освещения свободные электроны и дырки либо рекомбинируют, либо захватываются, что приводит к замораживанию неравновесного распределения захваченных электронов. При медленном и равномернолг повышении температуры электроны термически освобождаются, так что наблюдается скачкообразное увеличение электропроводности, определяемое числом захваченных носителей тока [c.306]

Соосаждение по типу 1.2.2 может происходить при пересыщении материнской фазы относительно нескольких кристаллизантов, но при облегченном образовании центров выделения одного из нр1х. Фаза этого кристаллизанта выделяется первой и становится основной (матрицей). Остальные фазы выделяются в объеме или на поверхности матрицы. Каждая из них может захватывать примесь, как описано в разделе 2.1. Однако характер распределения примеси в системе определится, в основном, взаимным расположением выделяющихся фаз. В зависимостп от расположения фаз захват примеси по типу 1.2.2 можно разделить на два вида захват при образовании новых фаз иа поверхности матрицы и захват при образовании новых фаз в объеме матрицы. Первый вид захвата возможен при значительных различиях в скоростях осаждения основной и остальных фаз, когда второй и последующие кристаллизанты осаждаются после завершения выделения первого. Второй вид захвата должен наблюдаться при меньших различиях в скоростях осаждения крпсталлп-зантов за счет формирования кристаллов новых фаз на поверхности матрицы с последующим замуровыванием этих фаз в ее объеме, а также за счет образования и роста новых фаз непосредственно в объеме матрицы. Первый вид можно распознать по изменению адсорбционных свойств и экзоэлектронной эмиссии матрицы в процессе соосаждения, а также по преимущественному растворению кристаллов новой фазы под действием растворителей. Второй вид можно характеризовать постепенным переходом новой фазы нз осадка в раствор по мере растворения матрицы. [c.34]

Другой вариант теории вторичной электронной эмиссии предложен советским физиком А. Е. Кадышевнчем. Исходные положения теории Кадышевича электронный газ в металле является вырожденным газом с распределением энергии по Ферми упругие столкновения с ионами решётки металла изменяют направление движения первичного электрона проникающий в металл первичный электрон и созданные им вторичные электроны тормозятся благодаря взаимодействию с электронами проводимости. Взаимодействие электронов с ионами решётки учитывается путём рассмотрения упругих соударений электрона с решёткой. Кадышевич учитывает суммарно как рассеяние, обусловленное наличием решётки и её периодического поля, так и рассеяние, вызванное тепловыми колебаниями решётки. Кадышевичу удаётся объяснить ряд типичных особенностей вторичной эмиссии, в том числе возрастание коэффициента о нри увеличении угла падения первичных электронов (возрастание тем более быстрое, чем больше скорость первичных электронов) и малые значения о для щелочных металлов. В последнем случае концентрация свободных электронов бо,пьше, чем у другах металлов следовательно, торможение, обусловленное кулоновым взаимодействием между электронами, тон е больше, а соответствующий полный пробег как первичных, так и вторичных электронов меньше. [c.85]

Как и следовало ожидать, скорости нанесения пленок различных материалов, распыляемых при одинаковых условиях (плотность тока, геометрия системы и т. п.), близко связаны с коэффициентами распыления этих материалов. Однако вычисление скоростей нанесения прямо иэ коэффициентов распыления крайне сложно из-за отсутствия надежных данных по коэффициентам вторичной эмиссии, коэффициентам повторного распылення, распределению плотности катодного тока и т. д. Поэтому результаты, пр1шеденные в табл. 2, следует рассматривать при оценке скорости нанесения только как ориентировочные. Многие опубликованные результаты не скорректированы на вторичную электронную э.миссию и, кроме того, значения, приведенные в таблице, брались, как правило, из кривых для коэф-ф1щиентов распыления. Таким образом, ошибки, содержащиеся в указываемых величинах, могут достигать 20%. Приведены результаты только для бомбардировки мишеней ионами аргона, поскольку этот газ наиболее широко используется при нанесении пленок ионным распылением. Коэффициенты распыления для других нонов приведены в работе [3]. Если в таблице не указана ориентация мии еней, следует считать их поликристаллическими или аморфными. [c.454]

Для исследования ХПЭ используют три типа экспериментальных методов. Наиболее проста обычная техника стационарного наблюдения сигнала ЭПР радикалов, рождаюш,ихся в термических, фото- или радиационно-химических реакциях. Сигнал ЭПР является интегральной величиной от всех радикалов, как несущих поляризацию, так и потерявших ее. Обычно в условиях стационарного наблюдення большой вклад в сигнал ЭПР дают радикалы, потерявшие поляризацию, поэтому эффекты ХПЭ выражены слабо и обнаруживаются ча це всего по искажению спектра ЭПР (иапример, по отклонению распределения интенсивностей компонент сверхтонкой структуры от интенсивностей в нормальном, равновесном спектре). Лишь иногда, при наиболее благоприятных условиях, некоторые линии проявляются в эмиссии. Обычно это случается при больших скоростях образования радикалов. [c.264]

Эти исследования привели к нескольким выводам, имеющим большое значение с теоретической точки зрения. Если отдельные молекулы продуктов реакции различным образом могут возбуждаться, то можно говорить о тонкой структуре скорости реакции [56] и разложить суммарную скорость реакции (а также и константу скорости) на парциальные скорости (или на парциальные константы скорости) соответственно скорости перехода на отдельные энергетические уровни. Исследованием эмиссии реакции Н + СЦНС1 + С1, точнее, анализом основной частоты и первого обертона, Кешиен и Дж. Поляни [61] показали, что распределение колебательной энергии молекул НС1 незначительно отличается от больцмановского распределения, соответствующего 2700° К. С ростом колебательного уровня парциальные константы скорости постепенно уменьшаются. [c.52]

Из рекомендуемых методов определения энергии связи кислорода на поверхности измерение скорости гомомолекулярного обмена позволяет охарактеризовать энергию наименее прочно связанного кислорода. Остальные методы (гетерообмен, температурная зависимость давления кислорода, калориметрия хемосорбции и снятия кислорода) позволяют определять функцию распределения энергии кислорода. Для каталитических реакций наиболее важен наименее прочно связанный кислород, находящийся на поверхности при давлении кислорода реакционной смеси. При определении энергии связи кислорода по температурной зависимости равновесного давления мы использовали омеготрон для измерения давления кислорода. Метод вторичной ионной эмиссии мы не применяли. [c.386]

Однако эти рассуждения нельзя переносить, как это дедае Де Бур, на термоэлектронную эмиссию подобных же к Термоэлектронная эмиссия вызывается не возбуждением из а тепловой энергией всей кристаллической решётки. Этот цесс может быть правильно представлен лишь путём рассм ния всей кристаллической решётки со всеми её электрона как это было произведено для металлов в 5. При этом внутренность этой решётки и перенос в ней электронов не будут уже иметь второстепенного значения. Механизм эмиссии ою ного катода может быть поэтому представлен лишь по анало с представлением о механизме эмиссии металлов, с учётом, нечно, особенностей оксидного <уюя как химического соедийс-ния. Правильность этих соображений подтверждается тем, то скорость термоэлектронов, эмиттированных оксидным катод не однородна, как в случае фотоэлектронной эмиссии, а дает, как показали Демский [155], а также Гейнце и Гасс [21 максвелловским распределением. [c.329]