Реакция на полупроводниках

Роль активных центров играют при этом дырки в валентной зоне. Опыт подтверждает, что факторы, способствующие увеличению р-связей в полупроводнике, благоприятствуют катализу этой реакции на полупроводниках. [c.456]

Реакции на полупроводниках разделены на два класса к одному классу относят реакции, ускоряемые электронами это акцепторные реакции второй класс составляют донорные реакции, ускоряемые дырками. Правильнее говорить о донорной или акцепторной стадиях реакции. [c.165]

Зависимость скорости реакции на полупроводниках от положения уровня Ферми рассматривает Ф. Ф. Волькенштейн [159] с точки зрения развиваемых им представлений. Как он отмечает, конкретный механизм и кинетика реакций могут быть обусловлены направлением электронных переходов и направлением изменения уровня Ферми. Выражения скорости реакции рассматриваются Волькенштейном на примере реакций окисления водорода и разложения спирта при малых покрытиях поверхности. В результате получаются выражения, содержащие в экспоненте слагаемое, характеризующее положения уровня Ферми Ф (что эквивалентно аналогичной зависимости от величины ф). Волькенштейн указывает, что эти выражения не вскрывают порядок реакции, поскольку величина Ф—также функция давления и температуры (т. е. они не являются кинетическими уравнениями). [c.270]

При сравнении активности по отношению к одной и той же реакции на полупроводниках разных групп единственная четкая закономерность — это полная неактивность наиболее плохо проводящих образцов. Между интенсивностью и характером сигналов ЭПР не только для всей совокупности испробованных полупроводников, но и в пределах одной группы пока никакой корреляции обнаружить не удалось. Структуры, дающие эти сигналы, никак не влияют на катализ. Отметим еще два наблюдения [c.41]

Электронный механизм гетерогенных реакций на полупроводниках [c.493]

Теоретическому обоснованию сообщаемых далее результатов способствовали обсуждения, проведенные с В. Шоттки эти вопросы освещены автором на конференции в Филадельфии в июне 1956 г., посвященной проблеме Поверхностные реакции на полупроводниках [3]. [c.220]

Механизм каталитических реакций на поверхности полупроводников, по-видимому, всегда связан с присоединением и отнятием электронов. По этой причине считают, что для скорости той или иной каталитической реакции на полупроводнике большое значение имеют состояние граничного слоя и химический потенциал самих электронов, (уровень Ферми). С этой точки зрения, например, дегидратация изопропилового спирта по Хауффе на окиси цинка начинается с того, что атом водорода спирта отдает электрон граничному слою катализатора (К — катализатор) [c.443]

На других металлах (N1, Си) во время окислительной каталитической реакции образуется новая фаза — пленка окислов N 0 и СигО, и поэтому такие процессы следует рассматривать как реакции на полупроводниках. [c.143]

Полупроводниковые электроды использовали главным образом в фундаментальных исследованиях реакций электронного переноса [118]. Такие реакции на полупроводниках значительно отличаются от подобных реакций на металлах. В последнем случае скорость электрохимического процесса определяется тем, насколько высока напряженность электрвдеского поля иа поверхности электрода. На полупроводниках скорость реакции определяется главным образом концентрацией носителей зарядов иа поверхности, поэтому тип носителей (электроны или дырки) в полупроводнике может очень сильно влиять иа скорость реакции. [c.187]

Интересна попытка сопряжения реакции фотоокисления воды ионами переменной валентности [60] с реакцией на полупроводниках, Красновским и Брин [60] установлено, что освещение близким УФ-излучением суспензий 2пО в водном растворе КзРе(СМ)б сопровождается восстановлением ионов Ре(СН)ц и выделением молекулярного кислорода. Квантовый выход этой фотокаталити-ческой реакции был мал и составлял 10 . Б фотопроцессе 2пО выполнял роль сенсибилизатора, поглощающего свет, и катализатора, способствующего выделению молекулярного кислорода. [c.43]

Глава VII Цепные реакции дополнена рассмотрением роли возбужденных молекул в цепных реакциях, толуольного метода определения энергии связи в органических молекулах, количественных зависимостей от концентрации и температуры нижнего и верхнего пределов самовоспламенения написан новый 3 Обрыв цепи . Большим изменениям подверглась глава VIII Фотохимия , которая дополнена кинетическими расчетами квантовых выходов и 4—7. Глава IX Химическое действие излучений большой энергии включает новый дополнительный материал по принципам дозиметрии, радиолизу воды, новый текст 6. Сильно изменена глава X Каталитические реакции . Особенно большие изменения и дополнения сделаны в разделе Гомогенные каталитические реакции , расширен параграф, посвященный разложению перекиси водорода, кислотноосновным реакциям и их классификации. В разделе Гетерогенные каталитические реакции более подробно рассмотрены переходы реакций из кинетических областей протекания в диффузионные области, дополнен 16. В главе XI Теория активных центров в катализе написаны новые 4, 11, расширено изложение электронного механизма адсорбции и химических реакций на полупроводниках. В главе XIV Применение меченых атомов в химической кинетике написан новый 4 Изотопные кинетические эффекты . [c.13]

Большое значение имело 61.1 усиление расчетно-теоретических работ. Если по теории хемосорбции и отдельных простейших каталитических реакций на полупроводниках и на типичных кислотных окисных системах сделано немало, то для хемосорбции и катализа 1ш металлах работы с прямым использованием современной дпшроскопической теории металлов практически отсутствуют. В теоретическом анализе этой большой группы процессов либо ограничиваются грубыми макроскопическими электростатическими моделями, либо хемосорбцию и катализ на поверхности трактуют как результат строго локального взаимодействия М( лекул с единичными атомами (ионами) поверхности с крайне упрощенным использованием эффектов кристаллического поля и псигя лигандов. [c.9]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология