Зарождение магнитных полей

Важнейшим вопросом теории кристаллизации является влияние поверхностей, ограничивающих рассматриваемый объем, на скорость зарождения центров кристаллизации. Не менее существенна роль растворимых и нерастворимых примесей, воздействия ультразвуком, механической вибрацией, магнитными полями и т. п. Растворимые примеси меняют величину о если вследствие этого эффекта поверхностное натяжение уменьшается, то скорость зарождения центров увеличивается и структура твердой фазы оказывается более мелкозернистой. Частицы нерастворимых примесей, изоморфные с твердой фазой, служат катализаторами процесса кристаллизации и, следовательно, также влияют на степень дисперсности зернистого строения поликристалла. Количественный анализ влияния примесей на структуру твердой фазы в больших объемах должен помочь развитию теории модифицирования, которая позволит сознательно подбирать нужную примесь (по ее физико-химическим свойствам и концентрации) для получения желательного распределения зерен в поликристаллическом агрегате по размерам и по расположению в пространстве. Физические [c.248]

Наложение постоянного магнитного поля оказывает также ориентирующее действие на молекулы жидкости. Существующие в молекулах токи эквивалентны элементарным магнитикам, соответственно поворачивающимся при действии постоянного магнитного поля. По этой причине постоянное магнитное поле уменьшает скорость образования зародышей и сдвигает кривую их зарождения в область низких температур подобно постоянному электрическому полю [76]. Увеличение напряженности поля вызывает рост сдвига температурной кривой. [c.60]

Вопрос о причинах оптической активности, о связи ее с особенностями строения вещества занимает исследователей буквально с первых дней зарождения стереохимии. Еще Пастер, выступая в 1860 г. с докладом перед членами Парижского химического общества , высказывал в самом общем виде предположение, что атомы винной кислоты быть может расположены по спирали, либо находятся в вершинах неправильного тетраэдра, либо вообще имеют какую-нибудь другую асимметрическую группировку. Видимо, исходя из этих представлений, Пастер пытался позднее получить оптически активные вещества из неактивных, быстро вращая сосуды с этими веществами во время химической реакции чтобы вызвать спиральное закручивание ) или помещая их в сильное магнитное поле. [c.477]

На процесс зарождения кристаллов оказывает воздействие большое число внешних факторов (вибрация, перемешивание, электрические и магнитные поля, радиация др.). [c.97]

Зарождение цепи — первичная реакция образования активных продуктов. Активными промежуточными продуктами (индукторами) являются свободные атомы или радикалы. Свободные радикалы имеют неспаренные валентные электроны (так же, как и свободные атомы ряда элементов) и поэтому не могут существовать длительное время (обычно продолжительность их существования — доли секунды). По этой причине свободные радикалы не являются молекулами, а лишь осколками молекул. Такие частицы отличаются высокой химической активностью, т. е. стремлением использовать свою потенциальную возможность для образования ковалентной связи. При взаимных соударениях в результате образования неспаренными электронами электронных пар (рекомбинация) они будут попарно соединяться в молекулы. Кроме того, они легко реагируют с другими молекулами, отрывая у них атомы или группы атомов. Наконец, взаимодействуя с неспаренными электронами на некоторых участках стенок сосуда образуют поверхностные соединения. Таким образом, свободные радикалы отличаются от молекул своей крайней неустойчивостью (за редким исключением) и повышенной химической активностью. Они отличаются от молекул и своими физическими свойствами, прежде всего магнитными. Магнитное притяжение неспаренного электрона в свободных радикалах значительно, поэтому они всегда парамагнитны, т. е. втягиваются в магнитное поле. Магнитные же силы молекул обычно нейтрализованы, поэтому они, как правило, диамагнитны, т. е. отталкиваются от магнитного поля. На этом свойстве свободных радикалов основан один из способов их обнаружения. [c.420]

Наконец, процесс зарождения кристаллов ускоряется при воздействии таких внешних факторов, как перемешивание, вибрация, ультразвуковые колебания, магнитные и электрические поля, радиация и т. д. [c.685]

Переход при Н = Не имеет некоторые интересные термодинамические свойства. Это переход второго рода. Свободная энергия (на 1 см ) F (Н) имеет непрерывный наклон при Н = Нс- Однако в области перехода наблюдается некоторый гистерезис Например, будем исходить из области больших полей Н > Не) и предположим, что у нас имеется хороший монокристалл нематика между двумя полированными стеклянными стенками, причем оси легкого-ориентирования стенок параллельны Н. Будем постепенно уменьшать магнитное поле. Мы обнаруншм, что при Н = Не ничего не происходит. При Н несколько ниже Яс мы будем наблюдать мета-стабильную нематическую фазу [37, 38]. В несколько более низком поле начнут зарождаться петли дисклинаций и восстановится равновесный шаг спирали. В метастабильном режиме, как видно из равенства (6.50), было бы выгодно ввести в образец некоторое количество 180°-ных стенок, но граничные условия создают барьер препятствующий зарождению стенок. [c.290]

Исследования влияния магнитного поля на процессы зарождения центров кристаллизации в расплавах, проведенные В. В. Кондогури, Р. Я. Берлага, Ф. Г. Горским и другими [14, 15, 33, 84, 121, 194], показали, что магнитное поле изменяет количество центров кристаллизации. Как правило, не влияя на скорость кристаллизации, оно увеличивает вероятность возникновения центров кристаллизации. Аналогичная картина наблюдается при воздействии магнитного поля на растворы. [c.40]

Действию электрических и магнитных полей на процесс зарождения кристаллов посвящено довольно большое число работ. Установлено [81, 84], что под действием постоянного электрического поля максимумы па кривой зависимости скорости зарождения от температуры сдвигаются в сторону низких температур. Причем процесс зарождения зависит от направления электрического поля. Поле, перпендикулярное к плоскости слоя, дает повышение всей кривой, а параллельное плоскости слоя — поншкение кривой [81]. С увеличением электропроводности вещества влияние постоянного электрического поля снижается [83, 84]. [c.60]

Надо полагать, что зарождение вихревых токов в океане на фоне основного — потенциального — поля вызвано вращением основных линий тока вокруг земной оси с циклической частотой со = 7,3 10 сек" . Именно вследствие такого вращения основные токи, являющиеся постоянными для наблюдателя на Земле, приводят к периодическим колебаниям магнитного поля в точке, не вращающейся вместе с нашей планетой эта точка непрерывно ометается движущимися силовыми линиями магнитного диполя, созданного токами в Атлантическом и Тихом океанах [16]. [c.1016]

Обнаруженный и описанный выше эффект изменения кристаллизации гибкоцепных полимеров в результате импульсного магнитного воздействия на их расплавы может быть назван магнитокристаллизационным эффектом (МКЭ). Выводы предложенной ранее качественной модели этого эффекта о характере ИМП-индуцированного изменения нуклеации и кинетики кристаллизации полимеров получили прямое экспериментальное подтверждение. В результате воздействия ИМП на расплав высокомолекулярного гибкоцепного полимера действительно повышается плотность центров зарождения областей кристаллизации, и уменьшается размер этих областей, т.е. происходит ожидавшийся при увеличении длины полимерных цепей переход от зарождения и роста отдельных крупных кристаллитов к равномерному зарождению мелких кристаллитов, образующих в итоге сплошное кристаллическое поле. Это позволяет утверждать, что повышение температуры кристаллизации обусловлено повышением молекулярной массы полимера за счет сшивания его цепей в ИМП, а снижение температуры плавления - увеличением поверхности границ кристаллитов при уменьшении их размеров. [c.186]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология