Корунд монокристаллический

Принцип устройства технохимических и аналитических весов заключается в использовании равноплечего (или неравноплечего, в случае одночашечных весов) рычага — коромысла с тремя призмами. Призмы и опоры технохимических весов изготовлены из специальной стали, аналитических весов — из монокристаллического корунда. Одна из при расположена на середине коромысла весов. Опираясь на центральную колонку весов, она является точкой опоры. Боковые призмы служат для подвешивания чашек весов в случае весов одночашечной конструкции одна из боковых призм нагружается встроенным разновесом. Коромысло снабжено длинной стрелкой, указывающей на шкале его отклонения от горизонтального положения. Величина этого отклонения для одночашечных весов служит для считывания значения массы образца по проекции стрелки на шкале-экране. [c.19]

Для измельчения чистых твердых веществ используют истиратели из агата, синтетического поликристаллического корунда и сплавов на основе карбида вольфрама, например, сплава ВК-6 [115]. В ступках из молибдена измельчают элементарный кремний, в котором определяют бор [518 (стр. 16)]. При измельчении в ступках из монокристаллических образцов корунда, карбида и нитрида бора пробы загрязняются меньше всего, но эти истиратели мало доступны. Даже поверхности твердых истирателей подвергаются износу, величина которого зависит от материала ступки и возрастает с увеличением твердости истираемого вещества (табл. 42). Иногда измельчение успешно проходит в истирателе из того же материала, что и проба, если чистота истирателя не [c.341]

Рис. З.П. Сверхтонкие расщепления Ре в корунде при 78 К. Верхняя кривая для монокристаллического поглотителя, ориентированного так, чтобы ось с была параллельна направлению пучка у-квантов. Нижняя — для поликристаллического поглотителя. Теоретические сверхтонкие структуры для 3 состояний приведены внизу рисунка. Они получены в предположении, что все три спектра имеют общий центр тяжести и общее квадрупольное расщепление. Линии с поляризацией е подчеркнуты [49].

Монокристаллические материалы составляют основу современной полупроводниковой и вычислительной техники, оптических квантовых генераторов, методов голографии. Искусственные монокристаллы получают различными способами из расплавов, рас-,1 . парообразной или твердой фазы. В первом твердотельном х /ооре, построенном в 1960 г., в качестве рабочего элемента использован монокристалл рубина. Рубин — это кристалл корунда (а-АЬОз), содержащий примеси ионов хрома, Сг+ . Присутствие ионов хрома придает кристаллам корунда красную окраску. В оптических квантовых генераторах (ОКГ) чаще всего применяют бледно-розовый рубин с содержанием хрома около 0,05%. При повышении количества хрома окраска становится уже ярко-красной, а в дальнейшем переходит в зеленую. Кристаллы рубина по своим физико-химическим свойствам в определенной степени уникальны и отвечают всем требованиям, предъявляемым к материалам для ОКГ. Они обладают высокой теплопроводностью, что позволяет избежать их саморазогрева во время работы, имеют высокую оптическую и механическую однородность, исключающую паразитное поглощение и рассеяние энергии, обладают высокой термической, механической и химической стойкостью. Монокристалл рубина для ОКГ должен быть длиной от 50 до 300 мм и диаметром 5—25 мм. Кристаллы такого размера получают синтетическим путем. Одним из наиболее распространенных методов синтеза монокристаллов рубина остается способ, предложенный в 1891 г. Вернейлем. Ультрадисперсный порошкообразный оксид алюминия, легированный оксидом хрома (1П), попадает в пламя кислородно-водородной горелки, где температура достигает 2000 °С, плавится и опускаете) на расплавленную верхнюю часть [c.158]

Недавно получены экспериментальные доказательства того, что процесс разрушения в хрупком состоянии имеет кинетический характер [5.23]. Для таких абсолютно хрупких тел, как монокристаллический кремний, корунд и карбид кремния, анализ влияния релаксационных явлений на зависимость разрывного напряжения от скорости нагружения га показал, что аномальный характер этой зависимости (при малых скоростях нагружения Ор возрастает, затем проходит через максимум и при больших скоростях уменьшается с увеличением скорости на-гружения) обусловлен взаимодействием двух кинетических процессов разрушения и локальной неупругой деформации (рис. 5.16,а). При малых о) стр возрастает с увеличением скорости нагружения (как возрастает прочность с уменьшением времени нагружения), при больших w—снижается, так как локальная неупругая деформация проявляется все меньше, а коэффициент концентрации напряжения возрастает. Большие скорости нагружения эквивалентны низким температурам. Поэтому температурная зависимость СТхр (рис. 5.16,6) имеет ана- [c.128]

Получены пленки на подложках из кремния (без и со слоем окисла), фарфора, корунда, молибдена и графита [221J. Если коэффициенты термического расширения пленки и подложки значительно различаются, то могут быть получены пленки толщиной лишь 10—80 мкм. При использовании в качестве подложек корунда и фарфора в пленках всегда наблюдалось определенное количество легирующей примеси р-типа за счет диффузии алюминия из подложки. Содержание углерода в микрокристаллическом кремнии не влияет на окисление, однако травление пленки происходит более или менее трудно в зависимости от количества углерода в форме карбида. При высоком содержании углерода для этой цели может быть успешно использован расплав солей, например смесь КОН—KNO i—KF. Легирование растущего кремния добавлением летучих соединений мышьяка или бора к газовой смеси не приводило к получению пленок с воспроизводимыми электрическими свойствами. Концентрация носителей в получаемых образцах была много меньше, чем в монокристаллических слоях, полученных в сравнимых условиях. Однако если эти пленки отжигать в азоте или кислороде, то концентрация носителей соответствует приблизительно ожидаемой из-за равномерного распределения по объему в процессе диффузионного отжига. Скорость диффузии бора из источника В203—Si02 значительно уменьшается с увеличением содержания карбида бора. Подвижность носителей в отожженных пленках была равна 10—50 см"1в-сек. В табл. 7-9 показаны типичные результаты для пленок толщиной 150 мкм, которые были легированы из паровой фазы с молярным отношением треххлористого фосфора к соединению кремния, равным 10 5. [c.233]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология