Катализ роль дефектов

Свойства одного атома или иона в твердом теле зависят не только от его электронной структуры, но и от характера взаимодействия с другими атомами. Твердое тело — это единое здание, а один атом — только кирпич, из большого числа которых оно построено. На основании электронных представлений, рассматривающих твердое тело как единое целое, установлена роль дефектов в катализе. Именно на [c.29]

РОЛЬ ДЕФЕКТОВ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ В ГЕТЕРОГЕННОМ КАТАЛИЗЕ [c.212]

Оценить роль дефектов в катализе можно нри условии, что мы дадим ясное определение термина дефект . [c.212]

Роль дефектов кристаллов в катализе [c.453]

Все рассмотренные типы дефектов играют определенную роль в катализе. Однако строгое экспериментальное доказательство роли какого-либо конкретного типа дефектов в протекании каталитической реакции очень затруднительно. Исходя из некоторых общих закономерностей протекания каталитических реакций, можно предполагать, что дефекты играют значительную роль. Опытным путем было обнаружено увеличение скорости гидрирования этилена и разложения муравьиной кислоты и уменьшение энергии активации после холодной прокатки никелевого катализатора. Большая роль дефектов видна в увеличении активности катализаторов после предварительного воздействия на них излучений высоких энергий. [c.457]

Несколько слов следует сказать о дефектах и их связи с катализом. Главная задача настоящей работы состояла в изучении влияния грани кристалла, однако образование углублений, зародышей окислов, металлических порошков и углеродных нитей явилось доказательством того, что дефекты играют существенную роль в контактном катализе. Как дефекты, обычно присутствующие в кристалле, так и дефекты, образующиеся в ходе реакции, могут иметь важное значение в определении свойств катализатора. Границы зерен, дислокации, вакантные места и посторонние атомы, обычно присутствующие в решетке,, являются такими элементами структуры, где расположение атомов и возможные электронные уровни отличаются от расположения в остальной поверхности. Поэтому эти области будут иметь и необычные каталитические свойства. Дислокации из-за своего значения в росте кристаллов, вероятно, также играют важную роль в процессах перестройки поверхности. [c.115]

Применение изотопной и адсорбционной техники в изучении каталитических реакций приобретает все большее значение. Метод меченых атомов дает возможность уточнить механизм каталитических реакций. Метод адсорбции, не говоря уже о том, что адсорбция является существенно необходимой стадией самой каталитической реакции, может дать сведения относительно величины поверхности и пор катализатора. Весьма обещающим является, наконец, применение в катализе новейшей хроматографической техники, которая позволяет проводить быстрое сравнительное исследование активности нескольких катализаторов (в том числе в опытах по детальному исследованию свойств последних с использованием изотопов). Хроматография дает возможность измерить то быстрое изменение активности катализатора, которое наблюдается в первые минуты после введения реагирующих веществ, что в свою очередь может оказаться весьма полезным для оценки роли дефектов решетки в действии различных катализаторов, в особенности полупроводникового типа. [c.723]

Различные другие сплавы с медью- позволили установить, что активность во всех случаях нарастает с уменьшением содержания меди и со степенью упорядоченности структур. Эти наблюдения позволяют сделать вывод о роли геометрического фактора в катализе (стр. 137). Однако к такому выводу надо относиться с осторожностью, так как в ряде случаев активность, наоборот, растет с увеличением числа дефектов и деформаций решетки, т. е. с увеличением неупорядоченности структуры. Это указывает на сложность вопроса о специфичности геометрического фактора для разных катализаторов и их типов. [c.154]

Законченной теории гетерогенного катализа в настоящее время еще нет. Несомненно, что большую роль играют неоднородность поверхности катализатора, существование на ней активных центров (ребер, граней, дефектов), обладающих ненасыщенными валентностями. Различные центры катализируют протекание разных реакций. [c.250]

Вообще ионные соединения переходных металлов, по всем данным, были теми каталитическими стимуляторами, которые направили ход эволюции в определенное русло и способствовали синтезу предбиологических соединений. Ионные соединения действуют в этом смысле более активно, если в их кристаллических решетках имеются различные дефекты , функционирующие как активные центры катализа. Другая роль ионов сводилась к активации органических катализаторов. На нынешнем этапе развития биологических систем ионы натрия, калия, кальция, магния действуют в ферментных системах как активаторы, иногда проявляя способность к взаимозаменяемости. [c.145]

Приведение выше данные представляют собой средние показатели из нескольких опытов. Отсюда видно, что вызываемые облучением дефекты структуры не способны изменить каталитические свойства алюмосиликата или платинированной окиси алюминия в реакциях, проводимых при высоких температурах. Это можно объяснить двояко подобные дефекты или не играют существенной роли в катализе, или они устраняются в результате высокотемпературного отжига. Как уже отмечалось выше при рассмотрении влияния предварительного облучения, последняя возможность представляется более вероятной. [c.162]

Важную роль для катализа играют активные центры, т. е. участки поверхности, обладающие повышенной активностью. Это геометрические неоднородности поверхности пики, углы, ребра кристаллов, или микроструктурные дефекты поверхности. Активные центры можно рассматривать как группы атомов, наименее связанных с поверхностью и находящихся в наиболее благоприятных условиях для электронного или протонного обмена ввиду наличия ненасыщенных валентных связей у этих атомов. [c.226]

Формальное описание кристаллической структуры цеолитов не охватывает структурные гидроксильные группы, как в случае других алюмосиликатов типа природных глин, например каолина (гл. 2). Внутрикристаллическая поверхность цеолитов является не совсем такой определенной и упорядоченной, как это полагали когда-то. Во многих случаях она содержит дефекты, играющие важную роль в адсорбции и катализе. Внутрикристаллическая поверхность может содержать гидроксильные группы, замещающие обычные катионы металлов. Природа таких структурных гидроксильных групп, наличие которых было установлено только в последние несколько лет, изучалась различными методами, включая ИК-спектроскопию, термический анализ и ядерный магнитный резонанс. [c.472]

Что касается строения активных центров, то Тейлор первоначально считал, что роль их играют валентно ненасыщенные места решетки — структурные пики, названные впоследствии пиками Тейлора . Дефекты подобного рода в теории твердого тела относят к биографическим и при тепловом равновесии кристаллов их доля должна быть исчезающе мала. Поэтому из общих соображений можно ожидать, что роль подобных структур в катализе окажется незначительной. [c.83]

Ввиду того что твердый катализатор или стенка осуществляет валентное взаимодействие с реагентами посредством обобщенных электронов проводимости и дырок, проводимость твердого тела играет решающую роль в гетерогенном катализе. Но, вследствие очень высокой энергии активации, необходимой для перехода электронов или дырок от одного иона к другому, полупроводники при стехиометрическом составе обладают такой же низкой проводимостью, как изоляторы (Гарнер [35]). Увеличение проводимости и, следовательно, повышение каталитической активности достигается путем создания дефектов либо в виде ионов, находящихся в междоузлиях, либо в виде вакантных узлов решетки, либо путем введения посторонних ионов другой валентности, одним словом, отклонением от стехиометрического состава. Почти все аспекты теории катализатора, охарактеризованные в гл. X (теория пересыщения, теория модифицирования, статистическая теория, электронная теория), приводят к одному и тому же принципиальному выводу о параллелизме между каталитической активностью и нерегулярностью состава и строения. Иначе говоря, твердое вещество тогда становится катализатором, когда превращается в бертоллид. [c.385]

В гетерогенном катализе и явлениях люминесценции наличие электронных дефектов и посторонних атомов также играет очень большую роль. В случае катализа отклонения от стехиометрии приводят к появлению акцепторных или донорных уровней, в результате чего электрон легко передвигается к адсорбированным веществам или от них. Эти свойства, как мы уже упоминали, можно изменить введением посторонних ионов. Появление ионных дефектов на поверхности или вблизи нее также имеет некоторое значение в каталитических процессах. Эти и сходные явления рассмотрены в гл. 15. При люминесценции (см. гл. 3) локализованные электронные ловушки, возникающие при замещении атомов основной решетки примесными атомами, оказывают существенное влияние на характеристики свечения фосфоров. [c.78]

Результаты измерения хемосорбции на поверхности катализатора могут в принципе дать количественную характеристику адсорбционной способности поверхности. Очевидно, что изучение хемосорбции позволяет сделать шаг вперед по сравнению с изучением физической адсорбции, так как получают информацию, скорее, об активной , а не об общей поверхности. Однако в некоторых случаях активная и общая поверхности оказываются тождественными. При изучении хемосорбции и ее роли в гетерогенном катализе обычно возможны два противоположных подхода. Согласно первому из них, выбирают такие условия эксперимента, при которых, как заведомо известно, катализ протекает эффективно, и изучают адсорбцию соответствующих газов на поверхности. Это по существу эмпирический подход. При его использовании обычно не принимаются во внимание все требования, важные с точки зрения специалистов, изучающих химию поверхности, например необходимость использовать при исследовании хемосорбции твердые тела с обезгаженной чистой поверхностью, обладающей воспроизводимыми свойствами. Совершенно очевидно, что адсорбционные исследования, выполненные при произвольно выбранных условиях на промышленных катализаторах, поверхность которых имеет множество дефектов (а способ получения их часто не известен), могут скорее привести к неверным заключениям, чем объяснить механизм катализа. Тем не менее сейчас еще очень много информации получают именно таким, в значительной степени эмпирическим путем. [c.67]

В последнее время принято считать, что как дислокация, так и точечные дефекты играют важную роль в некоторых реакциях полимеризации. Что касается дислокации, то вплоть до настояш,его времени мы располагали только косвенными доказательствами участия их в этих процессах. Однако участие точечных дефектов в катализе Циглера — Натта (см. ниже) показано вполне убедительно. Рассмотрим сначала роль дислокаций. [c.243]

Некоторые из этих дефектов или все они вместе могут увеличивать каталитическую активность. Однако часто значительного увеличения активности [151] не происходит, даже если при облучении образуются такие дефекты. Причина этого может заключаться просто в том, что имеется тенденция отжига дефектов кристаллической решетки при температурах, нри которых проводят изучение катализа. Уменьшение активности после облучения почти всегда и неизменно связано с деструкцией активных центров под действием радиации. Так, Шваб и др. [148, 149] нашли, что каталитическая активность как меди, так и никеля нри гидрировании этилена при предварительном облучении этих веществ сс-, р- или у-радиацией фактически сводилась к нулю. Так как каталитическую активность удавалось восстановить обработкой водородом, был сделан вывод, что роль активных центров в этой каталитической реакции играют поверхностные атомы металла, на которых адсорбирован водород. Шваб и Конрад [150], изучая влияние [c.255]

Б гл. 5 обсуждается роль дефектов кристаллической решетки. После краткого описания наиболее характерных типов дефектов, наблюдаемых в твердых телах, одновременно с рассмотрением энергетики взаимодействия на поверхностях полупроводников приводятся характерные примеры, иллюстрирующие роль дислокаций и точечных дефектов в каталитических реакциях. В этой главе обсуждаются также новые интересные области стереоре-гулярной полимеризации (катализ Циглера — Натта) и радиационный катализ, так как интерпретация этих явлений в значительной степени основывается на представлении о существовании дефектов. Авторы книги показывают, что для глубокого понимания таких сложных вопросов, как, например, катализ Циглера — Натта, весьма полезно объединить такие области, как координационная химия неорганических соединений, современная органическая химия и физика твердого состояния. [c.18]

Рентгеновская спектроскопия, как и рентгеновская флуоресцентная спектроскопия — спектрохимические методы идентификации различных элементов, присутствующих в твердых телах [4911,—еще далеко не нашли достаточно полного применения. Однако сейчас находит все большее применение метод рентгеновской микроскопии, предложенный впервые Бергом [492] и Барретом [493] более тридцати лет назад. Например, Ньюкирк [494] использовал метод Берга — Баррета для определения положений участков с искаженной кристаллической решеткой, таких, как области, непосредственно окружающие дислокации в твердых телах. Ленг [495] разработал метод рентгеновской просвечивающей микроскопии, и этот метод может быть с успехом применен [496] для определения концентрации и распределения дислокаций и соответствующих им векторов Бюргерса в большинстве твердых тел. Возможность установления степени кристаллографической дисориентации, дефектов роста и напряжений в твердых телах является предпосылкой [497] для понимания роли дефектов кристаллической решетки в гетерогенном катализе (см. гл. 5). [c.145]

Полное представление о том, что понимают под электронным фактором в адсорбции и катализе на полупроводниках, уже было дано в предыдущей главе. В разд. 5.2.4.1 говорилось, как происходят различные электронные перегруппировки после адсорбции на полупроводниках р- и и-тинов и как каталитическую активность полупроводниковых окислов можно интерпретировать на основании данных о свойствах точечных дефектов, существующих в таких твердых телах (разд. 5.3.2) или на основании представлений теории Волькенштейна (или электронной теории разд. 5.3.3). В разделе 5.3.2.3 обобщены данные о некоторых современных методах оценки каталитической активности полупроводников. Напомним, что для полупроводников электронный фактор и роль дефектов кристаллической решетки в катализе являются в большей или меньшей степени синонимами. [c.271]

Ценные данные, нодтверждаюш,ие роль дефектов, получены при изучении предварительного облучения твердых тел (полупроводников и изоляторов) быстрыми электронами, у-лучами, а также нейтронами, на активность катализаторов. В ряде случаев для бЮг, 2пО и т. д. наблюдалось значительное изменение каталитической активности, обусловленное относительно стойкими дефектами, остаюш имися после облучения. В отдельных случаях конечная активность превышала достижимую тренировкой и нерадиационными методами [42]. Наблюдалось и ускорение каталитических реакций при облучении твердого тела во время катализа им газовых реакций [43]. Этот эффект также, по-видимому, в основном обусловлен комбинированным действием упомя нутых стойких дефектов и нестойких дефектов, быстро исчезающих после прекращения действия облучения. [c.28]

Гетерогенным называют катализ на поверхности твердых тел, находящихся в контакте с реагирующими веществами в газовой фазе или в растворах. Основные теоретические положения, необходимые для понимания сущности гетерогенного катализа, уже изложены в гл. 14 в связи с обсуждением роли адсорбции в гетерогенных реакциях. При проведении реакции на поверхности твердых тел последняя играет вполне определенную роль благодаря адсорбции на поверхности понижается энергия активации катализируемой реакции. До настоящего времени еще не существует удовлетворительной количественной теории катализа. В любой каталитической реакции важнейшее значение имеет структура поверхности. Катализ протекает не на всей поверхности твердого тела, а главным образом на активных центрах (дислокациях, ребрах кристаллов и других дефектах кристаллов). Кроме того, известно, что каталитическая активность зависит от кристаллографической плоскости, — кристаллы, ориентированные в некоторых определенных направлениях, обладают максимальной активностью. Большое значение в гетерогенном катализе имеют смешанные катализаторы. Примером могут служить почти все известные газовые реакции, используемые в химических технологических процессах (синтез аммиака, синтез 50з, гидрирование угля по Бергиусу или Фишеру— Тропшу, окисление аммиака по Оствальду и многие другие). [c.196]

При гетерогенном катализе в качестве катализаторов чаще всего исполь-.зуются смеси твердых веществ, каждое из которых играет определенную роль в стадиях каталитического процесса. Нескомпенсироваиное потенциальное поле и большое число дефектов кристаллической структуры приводят к тому, что на поверхности возникают особые активные центры адсорбции, а также донорные и акцепторные участки (центры), на которых происходит присоеди-ление или отщепление нуклеофильных и электрофильных частиц, протонов и -электронов. Чаще всего используемый в настоящее время катализатор синтеза аммиака имеет состав Ре/КаО/АЬОз. Первой стадией реакции синтеза -аммиака является адсорбция N3 на (1,1,1)-поверхности кубической объемно-центрированной решетки железа. На поверхности катализатора происходит также расщепление Нг на атомы. Адсорбированная и активированная молеку--ла N2 постепенно гидрируется атомарным водородом до промежуточного образования ЫаНб. При последующем присоединении атома водорода связь разрывается и образуется молекула аммиака ЫНз. Другие компоненты катализатора оказывают активирующее и стабилизирующее воздействие на отдельные стадии этого химического процесса. [c.436]

Энтропия катализатора характеризует многое степень упорядоченности его состояния и отсюда степень разнообразия образуемых катализатором активных структур и степень регулярности тех энергетических потоков, которые воспринимает на себя и отводит от себя катализатор в окружающую среду, в решетку, в носитель и передает другим а стивным центрам. В случае полупроводникового катализа она определяет степень упорядоченности дефектов решетки в виде сверхстехиометриче-ских атомов или вакансий Шоттки, которые играют значительную роль в катализе на полупроводниках. [c.4]

В реакции глубокого окисления этилена наибольшую активность показывают шпинель-хромит меди и перовскит ЬаСоОз, уступаюшие по своей активности только палладию и платине. Поведение перовскитов в каталитических процессах определяется особенностями их структуры и электронных процессов, Выще, при рассмотрении действия шпинелей, указывалось на существенную роль в окислительном катализе дефектов и электронных взаимодействий между ионами, облегчающих перенос зарядов между адсорбентами и поверхностью катализатора, Известно, что скорости глубокого окисления увеличиваются с понижением энергии переноса заряда твердое тело-адсорбат [26, с. 120-124]. [c.60]

Рассмотрим поставленный И. И. Кобозевым вопрос, является ли решетка излишеством с точки зрения электронной теории или нет Что является активным — отдельный атом, группа атомов на поверхности кристалла, или сама кристаллическая решетка, или кристалл в целом Рассмотрим поверхность кристалла с находящимися на ней атомами, группами атомов или дефектами иного сорта. Такая группа атомов, выброшенных на поверхность, действительно может быть активным центром. Я прогив этого никогда не возражал. Напротив, об этом было написано в ряде статей и даже была рассмотрена задача о роли такого беспорядка в решетке и этих дефектах, о их роли в адсорбции и катализе. Не об этом идет речь. Речь идет вот о чем чем определяются каталитические свойства таких центров атома или группы атома. Здесь фундаментальное расхождение между мною и Н. И. Кобозевым. [c.81]

Значительную роль играет недостаточность применяемых методов исследования и неопределенность в истолковании полученных результатов. Кинетический анализ, которым часто пользуются для истолкования каталитических опытов, лишен полной однозначности, и поэтому на основании видимой кинетики процесса мы не можем с достоверностью судить о его элементарном механизме (см. доклад автора Скрытые параметры в катализе и обобщение теории промежуточных продуктов ). Мы также не имеем возможности на основании таких важных методов анализа, как рентгеновский, электронографический и др., судить об активных центрах катализатора, так как все эти методы по существу анализируют материнскую кристаллическую фазу катализатора. Мы не можем шаблонно переносить на каталитический объект обычные представления теории твердого тела, так как они не учитывают особый характер поверхности каталитически действующих кристаллов. По той же причине мы не можем довольствоваться элементарной аналогией между дефектами решетки и каталитически активными местами. Все эти сближения и анад огии требуют самого строгого и тщательного анализа (см. об этом доклад О. М. Полторака). [c.189]

Ф. Ф. Волькенштейн отметил, что в докладе Н. И. Кобозева вопрос о том, что является ответственным за каталитический акт—атомная фаза сама по себе или кристаллическая решетка, под ней лежащая, — поставлен ребром. Что такое атомная фаза Это атомы, выброшенные из узлов решежи на поверхность кристалла. С точки зрения электронной теории их роль громадна, может быть даже решающая, но, по мнению Ф. Ф. Волькенштейна, могут быть другие дефекты, например пустые металлоидные узлы, роль которых может быть не менее важной. Является ли идеальная решетка катализатором . Хотя она недоступна экспериментальному исследованию, но, по мнению Ф. Ф. Волькенштейна, яет теоретических оснований к тому, чтобы она не обладала какой-то каталитической активностью. Но если сравнить идеальную и реальную решетку, то из электронной теории ясно вытекает, что реальный кристалл, т. е. поверхность с дефектами того или иного сорта, в частности с атомной фазой, будет на много порядков активнее в каталитическом и адсорбционном отношении. С точки зрения электронной теории представление об ансамблях, об атомной фазе, выброшенной на поверхность кристалла, вполне правомерно, но терминологически она их называет иначе дефектами того или ного типа. Если принять, что эта атомная фаза существует совместно с кристаллической и ее свойства определяются электронным состоят нием всей системы в целом, то, между электронной теорией и теорией активных ансамблей отпадают противоречия. Далее Ф. Ф. Волькенштейн указал, что неправильно противопоставлять в катализе атом и электрон. По его мнению, решающую роль Играет нелокализованный свободный электрон — свободная блуждающая валентность. Поскольку разные дефекты являются ловушками для нее, разные дефекты должны работать в каталитическом отношении. Если работают дефекты, состоящие из ансамблей атомов, то должны работать и ансамбли из соответствующих атомов. [c.209]

Большую роль в полупроводниковом катализе играют микродефекты типа перавповесного твердого раствора (см. 1.4, 1.5). Такие дефекты ведут к ослаблению интенсивности линий и увеличению интенсивности фона. Сравнивая линии на рентгенограммах двух образцов катализатора, снятых в совершенно одинаковых условиях, можно по ослаблению интенсивности линий судить о величине деформации, вызванной такими дефектами. [c.390]

ОПВ, ППВ и МФГ — наиболее важные неэмпирические методы расчета энергетической зонной структуры. По ряду причин [33] менее пригодным для этой цели является метод ЛКАО или метод сильной связи (СС). Несмотря на это, метод ЛКАО нашел весьма широкое применение в теории твердого тела. Роль его особенно возрастает в случае, когда расчет зонной структуры не является конечной целью, а слуншт промежуточным этапом в исследовании точечных дефектов, хемосорбции и гетерогенного катализа. Объекты, [c.38]

Сказанный, однако, не ограничивается роль разупорядочения поверхностных слоев твердого тела в протекании каталитических реакций. Так, например, в случае полупроводниковых катализаторов наряду с образованием на поверхности атомных дефектов в процессе ра упорядочения твердого тела, которые уже сами по себе могут служить активными центрами хемосорбции и катализа, в твердом теле происходит также благодаря этим дефектам изменение его электронной структуры. Об этом можно судить хотя бы по изменению его электрофизических свойств (примесной электропроводности, работы выхода электрона и др,). В связи с этими обстоятельствами возникают вопросы о роли разупорядочения в проявлении катализатором или адсорбентом микрохимических и коллективных свойств в отношении адсорбции и катализа и о методах исоледования этих свойств. [c.271]

Не имея возможности подробнее останавливаться на этих вопросах,. укажем только на их вероятное отношение к элементарному акту катализа, которое нам необходимо для обоснования закономерностей кинетики по,лупроводникового катализа. Перемещение указанных дефектов по решетке и их образование и исчезновение происходят значительно медленнее перемспгсния электронов и дырок и единичных химических актов на новерхности. Поэтому в каждый данный момент дефектную структуру можно считать постоянной. Часть этих дефектов в условиях катализа можег быть практически неизменной, часть изменяется под в.пиянием изменения температуры, химического состава среды и химических факторов. Не участвуя прямо в каталитическом процессе, такие изменения дефектных структур играют роль нри разрыхлении, старении и переходе катализаторов к стационарной активности. [c.15]

По. меньшей мере одна из частиц решетки, примыкающая к пробелу, обладает свойствами активного радикала, так как ковалентные или ионные связи с частицей, занимаюи ей место пробела в идеальной решетке, разорваны. Этими же свойствами обладают валентные дефекты, т. е. атомы (ионы) решетки в аномальном валентном состоянии. Чаще всего это — катион или анион на обычном месте с необычным зарядом (например, Zn+ в Zn +Oi - Ni + в NiO S и 0 в сульфидах и окислах). В полупроводниках, составляющих большинство катализаторов и твердых тел, из которых катализаторы приготовляются, такие дефекты являются одним нз основных источников электронов и дырок проводимости. Эти же дефекты играют активную роль в катализе и в топохимических процессах приготовления. Перемещение электронов и электронных дырок от атома к атому сопровождается перемещением валентных дефектов. Такое перемещение происходит много легче перемещения пробелов и чужеродных примесей. Электронная и дырочная эстафета валентных дефектов в реакциях с участием этих дефектов представляет своеобразную эстафетную цепь с развитием, обрывом и разветвлением такая цепь особенно интенсивно развивается на поверхности. Эта эстафета в твердом теле приводит к передаче на расстояние, которая особенно важна для радиационно-химических и фотохимических процессов. Как правило, образование объемных фаз обычно представляет позднюю стадию топохимических реакций, и в этих поздних стадиях имеются свои, более грубые микрогетерогенные цепные эффекты, связанные с участием плоских и объемных зародышей. [c.375]

Согласно современным представлениям, каталитические свойства гетерогенного катализатора связаны с наличием активных центров, т. е. таких участков поверхности, которые по своим структурным, энергетическим или другим свойствам отличаются от всей массы катализатора. Можно считать, что во многих случаях дефекты структуры кристалла и являются такими активными центрами. Однако никоим образом нельзя все каталитические явления сводить к дефектам структуры, так как огромную роль в катализе играет химическая природа катализатора и, во многих случаях, геометрическое соответствие реагирующих молекул и активных центров. Большой интерес как катализаторы представляют вещества с так называемой открытой структурой, у которых один сорт частиц (например, анионы) образует правильную кристаллическую структуру, а другой сорт частиц (в данном случае катионы) расположен в этой структуре по принципу случайного распределения. К веществам с такой структурой принадлежат цеолиты, к которым можио отнести алюмосиликатные катализаторы, нашедшие широкое применение в нефтяпой промышленности. [c.378]

Обсудив наиболее важные типы дефектов кристаллических репшток, можно приступить к рассмотрению доказательств того, что такие дефекты могут играть значительную роль в гетерогенном катализе. Сначала иссле- [c.227]

НЫХ примеров, показывающих влияние точечных дефектов на каталитическую активность металлов. Для полупроводников вообще очень трудно, если не бессмысленно, проводить различие между точечными дефектами и так называемыми электронными факторами. Следовательно, чтобы определить роль точечных дефектов в случае таких соединений необходимо рассмотреть значительное число результатов, полученных д.пя чистых и легированных окислов, сульфидов, хлоридов и т. п., а также для многих различных несовершенных кристаллов, классификация которых дана в разд. 5.2.3. Однако при рассмотрении металлов совершенно резонно говорить о роли точечных дефектов как таковых, хотя при окончательном анализе получаемых данных иногда трудно провести различие между влиянием на катализ группы точечных дефектов и дислокационных нетель [15]. Работы Робертсона и сотр. [85—87], наблюдавших явление, названное ими каталитической сверхактивностью , и упомянутые ранее работы Ухара [67—70] хорошо иллюстрируют значение точечных дефектов в катализе на металлах. [c.234]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология