Примеси см ассоциации дефектов

Следует отметить, что по существу закон Фика приложим к диффундирующим дефектам. Поскольку примесь образует иногда дефекты нескольких различных типов, например вследствие протекания процессов ассоциации (см. гл. V), то коэффициент О может оказаться зависящим от общей концентрации примеси [21]. [c.289]

Простейшие примеры квазихимической теории точечных дефектов используют как метод исследования возможных равновесий в кристаллах элементарных полупроводников. Задача несколько осложняется, когда между дефектами и примесями, или между различными примесями могут возникать ассоциации например, нары вакансия — донор или акцептор Ад, и донор О (примесь в междоузлии). Образование ассоциации приводит к изменению концентраций ионизированных примесей и часто к заметному изменению свойств кристалла. Поскольку энергия образования ассоциаций обычно невысока, а их концентрация растет пропорционально концентрациям изолированных дефектов или примесей, то кинетика их образования довольно резко зависит от температуры. Во многих случаях обратимые изменения свойств легированных кристаллов при их термообработках обусловлены образованием комплексов. В элементарных полу- [c.191]

В настоящее время считается, что диффузия связана с существованием в кристалле точечных дефектов и их различных ассоциаций (например, парных вакансий, комплексов вакансия — примесь и т. д.). Диффузию можно рассматривать как серию последовательных перескоков атомов с их нормальных узлов на соседний вакантный узел. Переход атома из нормального узла на соседнюю вакансию приводит к перемещению вакансии. После этого другой атом может занять новый вакантный узел, в ре- [c.367]

Приведен обзор работ по исследованию структуры кристаллов с преимущественно ионным типом связи (фториды, окислы, сложные кислородсодержащие соединения), содержащих примеси трехвалентных редкоземельных элементов (ТН +). Малая ширина линий поглощения и люминесценции, высокая чувствительность спектрального положения, числа и интенсивности линий ТН + к тонким изменениям структуры кристалла в целом и структуры ближайших координационных сфер примесных ионов — все это делает возможным с помощью спектроскопических методов анализировать детали кристаллической структуры и равновесия примесных дефектов. Изложен теоретический метод расчета равновесия ассоциация — диссоциация точечных дефектов в примесных кристаллах. Обоснован метод анализа примесных комплексов по концентрационной зависимости спектров поглощения — метод концентрационных серий. Показано, что концентрации сложных примесных комплексов зависят от концентрации примеси, от температуры равновесия, присутствия дополнительных примесей и порядкового номера редкоземельного иона. Получено хорошее совпадение теоретических и экспериментальных концентрационных изотерм комплексов разной структуры. Определены энергии связи в парных и более сложных комплексах в кристаллах флюорита и показано, что энергии связи зависят от температуры равновесия. Показано, что характер спектров поглощения и люминесценции трехвалентных редкоземельных ионов, в частности ширина спектральных линий, отражает структурную упорядоченность кристалла, а число линий характеризует число кристаллографических неэквивалентных положений. В некоторых случаях по спектрам поглощения можно судить о механизме встраивания примесей в поверхность растущего кристалла. Так, оказалось, что при росте кристалла флюорита с примесью фтористого неодима примесь встраивается в кристаллическую решетку в виде парных и четверных комплексов. [c.405]

Ассоциация дефектов имеет особо важное значение для диффузии иновалентных примесей, для которых перенос в виде комплексов зачастую дает решающий вклад. При этом поступательное движение комплекса осуществляется путем последовательных прыжков примеси в вакансию и поворотов диполей примесь — вакансия вокруг примеси. [c.229]

Захваченная примесь имеет высокую подвижность в свежеобразованной твердой фазе вследствие повышенного содержания точечных дефектов в объеме частиц. Это создает условия для отбора рав-ловесных конфигураций в приповерхностной зоне. По мере уменьшения скорости роста возможность достижения равновесия увеличивается, и особенности захвата примеси разными пирамидами, а также нормальная и тангенциальная неоднородности распределения примеси в их объеме сглаживаются. При весьма малой скорости роста характер неоднородности зависит от содержания примеси в системе. При малом содержании примеси, когда ассоциация ее молекул [c.22]

Видимо, подобным же образом можно объяснить способность кобальта давать глубокие электронные ловущки в ZnS (рис. 97), что используется для получения ZnS- u-фосфоров с особенно длительным послесвечением и большой чувствительностью к инфракрасному свету. Впрочем, образованию глубоких (как и мелких) ловушек содействует и такая примесь, как кислород (рис. 98), валентность которого не отличается от валентности замещаемой им серы. В случае ZnS- u-люминофора это частично может быть объяснено тем, что обеспечивая, в соответствии с принципом компенсации объема, растворение СпгЗ в ZnS (см. гл. V), кислород благоприятствует возникновению центров захвата типа Vs (компенсирующий дефект) и Vs uzn (продукт его ассоциации с атомом меди). Появление новых ловушек в присутствии кислорода объясняется также тем, что повышенная электроотрицательность го по сравнению с серой приводит к превращению в центры захвата ато- [c.221]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология