Расстояние между дефектами

Прочность реальных материалов из-за дефектов их кристаллической структуры значительно ниже прочности идеальных монокристаллов. Если диспергировать материал до частиц, размеры которых соизмеримы с расстояниями между дефектами структуры, то прочность таких высокодисперсных частиц б дет близка к прочности идеальных твердых тел. Отсюда возникла идея о повышении прочности материалов путем их измельчения с последующим свариванием, спеканием уплотненных дисперсных порошков. На основе этой идеи разработано производство новых материалов и изделий из них — порошковая металлургия, металлокерамика. О нанокристаллическом состоянии вещества см. разд. 5.5. [c.315]

Истинно-твердые тела (кристаллы) по современным воззрениям, также обладают свойствами коллоидных систем, вследствие существования дефектов кристаллической решетки различного рода в реальных телах средние расстояния между дефектами близки к размерам коллоидных частиц и механические свойства реальных кристаллов определяются в значительной степени структурой дефектов. [c.254]

В ближней зоне разрешению дефектов мешают максимумы и минимумы поля преобразователя. Для надежного разрешения расстояние между дефектами должно быть больше диаметра преобразователя [c.143]

Теперь понятен парадокс дробление твердого тела — путь к его упрочнению. Крупинки твердого тела особенно прочны, близки к идеальным (наибольшей прочности), когда их размер приближается к среднему расстоянию между дефектами в структуре. Так, например, тонкое дробление твердых тел в обычных мельницах, постепенно снижаясь, полностью прекращается, когда размер крупинок достигает микрона либо долей микрона. В таких крупинках уже совсем нет дефектов, они становятся весьма прочными. Между тем, для техники нужны не отдельные (даже сверхпрочные) крупинки, а прочное тело большого размера. Ликвидируя бумажные звенья, необходимо теперь соединить обрывки стальных цепей, т. е. склеить или сварить крупинки между собой. Это можно сделать, например, соединив их очень тонкими прослойками другого мелкокристаллического или стеклообразного материала. Если эти прослойки будут очень тонкими, они окажутся упрочненными по той же причине. [c.234]

В связи с задачами упрочнения и измельчения твер-ных тел в последние годы в науке возникло новое направление — физико-химическая механика (П. А. Ребиндер), которая изучает способы повышения или понижения прочности веществ. Если диспергировать материал до частиц, отвечающих по размерам расстояниям между дефектами кристаллической структуры, то образующиеся при этом бездефектные частицы имеют прочность, отвечающую максимально возможной для идеального кристалла. Таким образом, для получения особо прочных материалов необходимо предварительное очень тонкое измельчение с последующим уплотнением (прессование, спекание, сварка). Понижение прочности материалов описано в гл. XVI, 3. [c.239]

Наиболее обнадеживающий путь повышения прочности любых материалов по П, А. Ребиндеру заключается в разрушении твердого тела по всем дефектам. Прочность мелких частиц таких же размеров, как и расстояния между дефектами, всегда выше, чем массивных кусков из того же материала, у которых слабых звеньев намного больше. Для получения монолита необходимой формы и прочности мелкие частицы скрепляют при помощи специальных связующих веществ. [c.17]

В дефектоскопе УД2-12, как и в более современных дефектоскопах, время, отсчитанное глубиномером, а также рассчитанные по времени координаты дефектов представляются в цифровом виде на табло БЦО. Для этого измеряемый импульс выделяют строб-импульсом. Некоторые дефектоскопы позволяют измерять расстояние между двумя импульсами, помещая их в разные строб-импульсы. Благодаря этому появляется возможность измерения толщины слоев в ОК или расстояния между дефектами. [c.150]

Расстояние между дефектами [c.363]

Часто в качестве расстояния между дефектами задается расстояние между проекциями дефектов на поверхность ввода, т.е. между эпицентрами дефектов. Однако если в нормативных документах имеется в виду истинное расстояние, а не расстояние между проекциями, то, измеряя только последнее, как бы ужесточают нормы оценки. [c.363]

На основании сопоставления результатов контроля с требованиями НТД делают заключение о годности или браковке заготовки. В НТД на поковки, подлежащие УЗ-контролю, должны быть указаны уровень фиксации недопустимый уровень ослабления донного сигнала и параметры недопустимых дефектов (максимальный эквивалентный размер или площадь, максимальная условная протяженность, максимальное допустимое число дефектов в определением объеме, допустимое расстояние между дефектами), например [c.386]

Существуют отдельные требования к зоне сварных кромок и патрубков, куда входят амплитудный критерий, число дефектов на 1 м длины и минимальное расстояние между дефектами. Правила КТА 3201.1 указывают, что не допускаются подлежащие регистрации несплошности, расположенные на расстоянии от окончательно обработанной поверхности, [c.388]

Расстояние между дефектами должно быть > 25 мм, реальная протяженность дефектов для изделий первой категории не должна превышать 20 мм, а для изделий второй категории - 30 мм. Для наиболее нагруженных участков установлены диаметры плоскодонных отверстий 0 = 1,2 мм и >1 = 1,6 мм. Дефекты заготовок, выходящие за габаритные размеры готовой детали, не учитываются. [c.395]

Расстояние между дефектами — не менее 20 мм. [c.90]

Если дефекты распределены случайно, но в среднем однородно, то (12.56) является приближенным выражением для функции Грина, справедливым в предположении, что средние расстояния между дефектами значительно превышают длину/. Выражение (12.56), безусловно, не применимо вблизи границ непрерывного спектра идеального кристалла и в непосредственной окрестности локальной частоты. [c.215]

Если расстояние между дефектами Гу2 значительно превышает размер I, то корни уравнений (12.62), которые мы обозначим 8 ( ), лишь слегка смещены относительно ранее найденного квадрата локальной частоты 8 [c.217]

Таким образом, в кристалле с двумя далеко разнесенными изотоп-дефектами вместо отдельной локальной частоты возникает пара частот, слегка смещенных друг относительно друга. По мере сближения дефектов расстояние между парой локальных частот возрастает. И когда расстояние между дефектами сравнивается по порядку величины с длиной /, может оказаться, что 8(-Ь) — е(—)) будет порядка величины отщепления квадрата локальной частоты вд от края непрерывного спектра. В таком случае, начиная с некоторого расстояния между дефектами, одна из дискретных локальных частот может исчезнуть (слиться со сплошным спектром частот идеального кристалла — см. рис. 76). [c.217]

Реальный физический интерес обычно представляет плотность колебаний кристалла, содержащего не один, а большое число эквивалентных точечных дефектов. Именно такая величина может характеризовать макроскопические свойства кристалла. В том случае, когда среднее расстояние между дефектами велико (их концентрация мала), функция Грина для скалярной модели колебаний кристалла вычисляется по формуле (12.56). [c.218]

Рассмотрим образец с равномерным распределением в нем однотипных центров дилатации с малой концентрацией. Будем интересоваться полями, изменяющимися на расстояниях, значительно превышающих среднее расстояние между дефектами. Тогда естественно ввести усредненные характеристики упругих полей в таком образце. [c.247]

Нестехиометрический кристалл был представлен разделенным на элементы объема, замененные для простоты эквивалентными сферами с радиусом г, каждая с вакансией в центре. Представление кристалла в таком виде давало возможность выразить расстояние между дефектами через радиусы соприкасающихся сфер Я — 2г и через число анионных мест, которые содержат сферы. В качестве исходного состояния был выбран такой элемент объема, в котором центральная вакансия взаимодействует с другими вакансиями, расположенными на поверхности сферы с радиусом Я с энергией о, и который содержит Са анионных мест. Чем больше величина Са, тем больше расстояние между взаимодействующими дефектами и тем меньше дефектов в кристалле, выбранном за исходное состояние.. С уменьшением Сл расстояние между дефектами уменьшается, а отклонение от стехиометрии и энергия отталкивания по отношению к исходному состоянию увеличиваются. Следовательно, если кристалл содержит Л л анионных мест Ма = 2Мм катионных мест) и Nv вакансий, то X = Поскольку С А то =- . [c.95]

Для дальнейшего рассмотрения и приложения зонной теории важно следующее. Концентрация различных видов дефектов, естественных или созданных искусственно, может быть достаточно большой, но все же расстояние между дефектами в кристаллической решетке всегда будет исчисляться по крайней мере несколькими периодами решетки, т. е. будет отсутствовать тесное взаимодействие между ними. Поэтому в отношении -дефектов нельзя использовать представления о зонах, но можно считать, что образуются локальные уровни возможных электронных состояний, расположенные между зоной проводимости и валентной зоной. [c.60]

Распределение минимальных расстояний между дефектами в соприкасающихся витках получим исходя из нескольких естественных предположений о распределении сквозных дефектов в изоляции обмоточного провода. [c.126]

Вероятность того, что минимальное расстояние между дефектами больше X, равна вероятности события, состоящего в непопадании ни одного дефекта в изоляции второго витка в лг-окрестность дефектов первого витка. Если указанные окрестности не пересекаются, то вероятность этого события равна произведению вероятностей непо- [c.126]

Таким образом, с точностью до величин порядка (х ) распределение расстояний между дефектами в изоляции на соприкасающихся витках в рассматриваемом случае равно [c.127]

Если в регулярной цепочке бесконечной длины имеются два идентичных дефекта отстоящих друг от друга на достаточно большом расстоянии, то каждый из них является источником локальных колебаний, частоты которых равны между собой. По мере уменьшения расстояния между дефектами частота расщепляется на две компоненты, симметрично расположенные относительно первоначальной частоты. Величина расщепления при дальнейшем сближении дефектов и укорачивании регулярного отрезка цепи возрастает. Отсюда следует, что полоса локального колебания при разупорядочивании образца симметрично расширяется и расщепляется на две составляющие. [c.229]

Форму, размеры и материал тест-образцов стремятся максимально приблизить к реальной конструкции. Существует несколько методов закладки несплощностей. Схема закладки несплощности методом платиков показана на рис. 49. Платик, изготовленный из наплавленного металла из той же партии электродов, которым должен завариваться сварной щов, устанавливают на кромку детали и обваривают. Толщину платика выбирают, исходя из условия, чтобы при данной технологии сварки не произошло его проплавление. После обварки платика заваривают сварной щов. Размеры платика определяют размеры несплошности (в данном случае плоская несплошность типа несплавления). Расстояние между дефектами выбирают по закону случайных чисел. [c.146]

По мере повышения диоперсности — уменьшения размеров частиц тела в процессе измельчения — возникает так называемый масштабный фактор в очень малых частицах, соизмеримых со средним расстоянием между дефектами, вероятность найти опасные дефекты, значительно снижающие прочность, оказывается весьма малой. Прочность таких частиц растет с уменьшением размеров и приближается к прочности бездефектного твердого тела. В результате этого, а также упрочнения, вызванного аморфизацией поверхностного слоя частиц, работа диопергирования возрастает не пропорционально величине вновь образующейся поверхности, а (при высокой дисперсности) значительно быстрее, что затрудняет тонкое измельчение и получение высокодисперсных (коллоидных) систем. [c.7]

Основными характеристиками выявленных дефектов явл5П0тся эквивалентная площадь дефекта S или амплитуда U эхо-сигнала от дефекта с учетом измеренного расстояния до него условные размеры дефекта условное расстояние между дефектами координаты дефекта в сечении шва с учетом типа и размеров соединения число дефектов на определенной длине шва. [c.290]

При 8=10 и r=500°iK неравенство (III, 24) выполняется, если расстояние между дефектами ri 2> 400 А, что соответствует концентрации дефектов [c.165]

Ег,у — анионов и Еее кэтионов. в отличие от первых двух слагаемых, принятых постоянными, кулоновская энергия зависит от состава и структуры фазы и является функцией расстояния между дефектами, меняющегося в зависимости от состава фазы. Для того чтобы выразить эту зависимость, реальное распределение дефектов было заменено на идеализированное. [c.95]

Деление ао И Еее На урОВНИ ПРОИЗВОДИТСЯ ТЙКИМ обрз-зом, ЧТО постоянные Сл п См меняются все время на —1 Са, Сд — 1, Сл — 2,..., Сл — г,..., Сд — Е-о См, См , См — 2,..., См — г,..., См — Ее, и, следовательно, расстояния между дефектами и энергии уровней меняются очень мало. В итоге [c.97]

Укажем на следующий теоретический вывод , который может быть использован при отнесении полос к локальному типу. Если в регулярной цепочке бесконечной длины имеются два идентичных дефекта, отстоящих друг от друга на достаточно большом расстоянии, то каждый из них является источником локальных колебаний. Частоты соответствующих колебаний двух дефектов равны между собой. По мере уменьшения расстояния между дефектами частота расщепляется на две компоненты, симметрично расположенные относительно первоначальной частоты. Величина расщепления при дальнейшем сближении дефектов и укорачивании регулярного отрезка цепи растет. Отсюда следует, что полоса локального колебания при разупорядочивании образца симметрично уширяется и расщепляется на две составляющие. [c.77]

Известно [15, с. 13], что прочность пластиков, армированных волокнами, длина которых превышает критическую, не меньше, чем прочность материалов, наполненных непрерывными волокнами. Учитывать величину /кр, различную для каждой пары волокно — связующее, необходимо и при использовании непрерывных волокон, если рассматривать [14, с. 54] эти волокна как цепи, состоящие из отдельных звеньев, длина которых равна статистически определяемому расстоянию между локальными дефектами волокон. Наличие таких дефектов (трещин, изломов) подтверждается падением прочности волокон с увеличением их длины. Для хрупких волокон зависимость прочности от длины носит характер монотонно убывающей функции. Следовательно, механические свойства однонаправленных пластиков могут быть стабильными только в том случае, если расстояние / между дефектами волокон удовлетворяет выше приведенному условию / /кр. [c.22]

Следует отметить, что механические и химические воздействия на различных этапах изготовления наполнителя, естественно, иводят к разрушению промышленных волокон, появлению поверхностных дефектов и снижению прочности моноволокон до уровня 220 кгс/мм и даже ниже. Однако в подавляющем большинстве случаев расстояние между дефектами больше критической длины волокна, необходимой для включения его в работу [74]. Сопоставляя значения реализуемой прочности пластиков, содержащих наполнители различной формы, можно оценить степень рав-нонапряженности волокон. Например, в пластике на основе жгута же 24/10 степень равнонапряженности волокон на 18% меньше, чем в пластике на основе первичной стеклонити (см. табл. IV.7). [c.142]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология