Дефекты компенсирующие

Вторая основная характеристика атома — массовое число, равное сумме чисел протонов и нейтронов в ядре. Массовое число близко по величине к массе атома, выраженной в атомных единицах. Это получается в результате компенсирующего влияния двух факторов. С одной стороны, массы нуклонов (а. е. м.), как видно из табл. 1, несколько превышают единицу (на величину порядка 0,008). С другой стороны, происходит примерно такое же уменьшение массы в расчете на один нуклон при слиянии нейтронов и протонов в атомное ядро. Это уменьшение, известное как дефект массы, в соответствии с законом об эквивалентности массы и энергии (1.23) определяет энергию связи атомного ядра, т. е. энергию, которую необходимо затратить для полного расщепления ядра на составляющие его протоны и нейтроны. Например, энергия связи ядра гелия составляет 28,2 МэВ (28,2 млн. электрон-вольт или мегаэлектрон-вольт), В соответствии с уравнением (1.23) дефект массы при образовании ядра гелия составляет [c.24]

Вторая основная характеристика атома — массовое число, равное сумме числа протонов и числа нейтронов в ядре. Массовое число близко по величине к массе атома, выраженной в атомных единицах. Это получается в результате компенсирующего влияния двух факторов. С одной стороны, массы нуклонов (а. е. м.), как видно из табл. 1, несколько превышают единицу (на величину порядка 0,008). С другой стороны, примерно такое же уменьшение массы в расчете на один нуклон происходит при слиянии нейтронов и протонов в атомное ядро. Это уменьшение,- известное как дефект массы, в соответствии с законом об эквивалентности массы и энергии (1.23) определяет энергию связи атомного ядра, т. е. энергию, которую необходимо затратить для полного расщепления ядра на составляющие его про- [c.20]

Сапфир и шпинель слишком тусклые. ИАГ с его умеренно высокой дисперсией и средним показателем преломления еще недавно, в 70-х годах, пользовался успехом, компенсируя твердостью довольно скромные по сравнению с алмазом игру и блеск. ГГГ обладает лучшими оптическими свойствами и может с успехом использоваться в качестве драгоценного камня, но он значительно дороже ИАГ, поэтому едва ли сумеет завоевать благоприятную конъюнктуру на рьшке, потеснив позиции ИАГ или алмаза. Кажется, что наибольшую роль в торговле заменителями алмаза в качестве драгоценных камней играет кубическая окись циркония. Из числа давно употребляющихся синтетических камней позиции титаната стронция в торговле камнями наиболее стабильны, и он будет еще более популярным, если успешно решить проблему его твердости. Это возможно при использовании твердого покрытия, которое должно прочно соединяться с титанатом и не влиять на его блеск. Уже есть по крайней мере один патент [17], описывающий способ покрытия мягких драгоценных камней слоем корунда. Напыление осуществляется при 500° С из газовой фазы, богатой алюминием и кислородом, с последующим отжигом при 900—1000° С. Если такой процесс будет реализован в полной мере, это приведет к установлению умеренных цен на широко известные прозрачные драгоценные камни. Однако представляется маловероятным, что твердое кристаллическое покрытие будет прочно удерживаться на всех гранях без трещин и видимых дефектов. Практически высококачественное покрытие возможно только тогда, когда существует хорошее соответствие между атомами покрытия и обрабатываемого кристалла. Отсутствие камней с покрытием на ювелирном рынке является доказательством того, что успех в этом деле, по крайней мере для титаната стронция, еще ие достигнут. Тем не менее в [c.106]

В качестве уплотнительных прокладок применяют различные эластичные материалы, способные компенсировать неровности и прочие производственные дефекты контактирующих поверхностей. [c.486]

Для нестехиометрических ионных кристаллов учет условия электронейтральности сразу приводит к важному результату. Поскольку в ионных кристаллах оба компонента находятся в виде заряженных ионов, любое отклонение состава кристалла от стехиометрического должно сопровождаться образованием электронных дефектов, компенсирующих заряд ионов, избыточных по сравнению со стехиометрическим составом. Так, при избыточном содержании металла в ионном соединении МХг+в положительный заряд избыточных катионов должен быть скомпенсирован соответствующим числом избыточных электронов. Как было показано в разделе 1.3, при образовании ионного кристалла валентные электроны металла переходят на электронные оболочки неметалла, образуя вместе с его валентными электронами заполненную валентную зону. Очевидно, что общее число валентных электронов в кристалле равно числу разрешенных уровней в валентной зоне только при строго стехио-метрическом составе. При избыточном содержании металла его внешние электроны уже не могут разместиться в валентной зоне и вынуждены частично занимать более высокие энергетические уровни в зоне проводимости или же какие-либо локальные уровни донорного типа в запрещенной зоне. [c.40]

Согласно решениям гл. 5 (см. раздел 5.4) в чистых ионных кристаллах концентрация электронных дефектов, компенсирующих избыточный заряд ионов, определяется степенью отклонения от стехиометрического состава и равна [e]=z6. Концентрация же вакансий либо значительно превышает концентрацию электронных дефектов (область малых отклонений от стехиометрического состава), либо меньше ее на множитель, равный эффективному заряду доминирующих вакансий (области больших отклонений от стехиометрического состава), т. е. по порядку величины [Уг] б. При этих условиях оценка коэффициента сопряженной диффузии в нестехиометрическом ионном кристалле МХг б по формуле (6.244) дает [c.252]

Необходимо отметить, что хотя тщательная притирка отнимает много труда и времени, все же в большинстве случаев следует избегать использования неплотных шлифов. Дефекты притирки никогда не удается компенсировать большим количеством смазки. Из зазора между шлифами смазка легко вымывается растворителями или вытекает при нагревании, что нередко приводит к заклиниванию шлифов, особенно в присутствии щелочных растворов и реагентов, вызывающих затвердевание смазки. Вероятность заклинивания увеличивается также в связи с тем, что плохо притертые керн и муфта соприкасаются не всей поверхностью, в результате чего нагрузка на единицу площади шлифованного соединения оказывается слишком большой. Разъединение ж заклинившихся шлифов отнимает гораздо больше времени, чем предварительная притирка, не говоря уже о том, что про разъединении шлиф может поломаться. [c.29]

Часто встречаются твердые растворы, в которых замещается сразу несколько различных ионов. Замещающий атом более высокой валентности в кристаллах с ковалентной связью (например, атом азота в кристалле алмаза) сохраняет одну ненасыщенную связь. В результате этого в кристалл может внедриться атом какого-либо другого вещества, который будет компенсировать эту валентность. Следовательно, один тип дефектов может повлечь за собой появление других. [c.171]

Система временной регулировки чувствительности (ВРЧ) (ее правильнее назвать временной автоматической регулировкой усиления) предназначена для генерирования регулирующего сигнала определенной формы, с помощью которого изменяется во времени усиление УВЧ. ВРЧ компенсирует ослабление импульса, обусловленное дифракционным расхождением и затуханием. Исходя из этого закон изменения усиления должен быть обратным закону убывания амплитуд отраженных сигналов от одних и тех же по размерам дефектов по мере их удаления от преобразователя. Эти законы, разные для отражателей различной формы и размеров, поэтому идеальную ВРЧ создать нельзя. [c.96]

В кристалле в качестве отверстий можно рассматривать вакансии , т. е. незанятые атомами позиции в структуре. Дифракционную картину реального кристалла, содержащего точечные дефекты (в общем случае, помимо вакансий это могут быть атомы замещения и внедрения), можно описать суммой двух фурье-трансформант. Одна трансформанта относится к кристаллу с ненарушенной структурой, эквивалентного по форме, размерам и периодичности рассматриваемому реальному кристаллу, у которого удалены или компенсированы дефекты, нарушающие периодичность. Другая трансформанта относится к дефектам, изъятым из реального кристалла, с амплитудами рассеяния, измененными по фазе на 180° и с сохранением пространственной конфигурации, которые эти дефекты образовывали в реальном кристалле. [c.33]

Таким образом, с помощью мессбауэровской спектроскопии можно получить информацию, необходимую для определения структуры химических соединений, выявления тонких деталей химической связи и описывать быстрые реакции. Возможно и чисто аналитическое применение, которое в дальнейшем будет расширяться. Чувствительность метода позволяет даже исследовать динамику атома примеси при концентрации 10- % (ат.), изучать радиационные и другие дефекты в материалах (в том числе на поверхности высокодисперсных систем и в пленках), механизм воздействия ультразвука и радиочастотных колебаний на параметры технологических процессов, диффузию атомов в твердых телах и на их поверхности. Установлено, например, что ионы Ре -ь, локализованы на поверхности силикагеля и цеолита даже после адсорбции воды, в то время как в ионообменной смоле КУ-2 после адсорбции воды ионы Ре + диффундируют в поры смолы, образуя диффузный слой, компенсирующий отрицательный заряд сульфогрупп. По-видимому, большое значение будут иметь методы определения состояния элементов с переменной степенью окисления (табл. 31.8), выявления фаз, включенных в сложные композиции в незначительных количествах, и др. [c.748]

Рандомизация от англ. га/гйо/п— случайно, наугад) —прием, переводящий систематические погрешности в разряд случайных. Возможность рандомизации основана на том, что систематическая погрешность единичного явления (прибора, процесса, метода, исполнителя анализа) при рассмотрении ее в более широком классе однотипных явлений (серия приборов, группа процессов или методов, коллектив аналитиков) становится величиной переменной, т. е. приобретает черты случайной погрешности. Например, каждая единичная бюретка одного класса точности характеризуется своей систематической положительной или отрицательной погрешностью. Однако, если проводить объемное определение, используя последовательно не одну, а несколько бюреток, можно, ожидать, что результат объемного анализа, усредненный по всем определениям и для всех бюреток, будет отягощен меньшей погрешностью, чем при использовании одной бюретки, за счет того, что при усреднении систематические погрешности разных бюреток частично компенсируют друг друга. Аналогичным образом, если одновременно со сменой бюреток менять пипетки для отбора аликвотных проб, то при усреднении можно рассчитывать на дополнительное уменьшение погрешности анализа (двухфакторная рандомизация). Переход от серии анализов, выполненных одним аналитиком, к серии однотипных анализов, выполненных тем же методом группой исполнителей, позволяет рандомизировать субъективные погрешности (ошибки, связанные с некоторыми дефектами зрения, а также со спецификой индивидуальных эксперимен--тальных навыков аналитика). [c.41]

Примеси, содержащиеся в волокне, поглощают лучи, соответствующие синей части спектра, вызывая тем самым появление желтизны (поскольку синий цвет является дополнительным к желтому ). Появление желтизны вследствие поглощения синего цвета обычно называется синим дефектом ткани. Ранее уменьшить желтизну белья пытались путем подсинивания его ультрамарином ( синька ). При этом желтизна пропадает, ткань становится белее, но менее яркой, так как снижается общий процент отражения света, т. е. яркость. В отличие от синьки оптические отбеливающие вещества компенсируют желтизну за счет преобразования невидимых ультрафиолетовых лучей (300—400 нм) в видимые лучи, соответствующие синей части спектра (410— 500 нм). Это явление называется флуоресценцией, а оптические отбеливающие вещества называют иногда флуоресцентными отбеливателями. [c.200]

ВРЧ компенсирует изменение амплитуды импульса, обусловленное дифракционным расхождением и затуханием. Исходя из этого закон изменения усиления должен быть обратным закону изменения амплитуд отраженных сигналов от одних и тех же по форме и размерам дефектов по [c.339]

Уменьшение площади контакта обусловливает соответствующее снижение чувствительности, как видно на рнс. 15.2, где показан эхо-импульс от пластины с цилиндрической контактной поверхностью. Обычно это снижение может быть легко компенсировано повышением усиления, т. е.. обнаружение дефекта не составляет трудности. Более затруднительна оценка показаний. При изменении угла раскрытия луча в плоскости изменяется и звуковое ноле, так что предпосылки для оценки по АРД-диаграмме уже не выполняются. В таких случаях может дать эффект применение искателя с меньшим диаметром излучателя (см. рис. 15.2) или использование эталонного образца с эталонным дефектом. [c.328]

Основные положения по этим вопросам были рассмотрены в главе 19, поэтому здесь освещаются только особенности контроля сварных швов. Особенно важно то, что отсутствие наглядного изображения дефекта не дает возможности оценить его влияние на потребительские свойства детали. В прошлом делались попытки, в частности в атомной технике, компенсировать, этот недостаток снижением границ регистрации, а также увеличением затрат на технику испытаний, например проведением-многократного контроля. [c.531]

Ковалентная вулканизация карбоксилсодержащих каучуков придает резинам свойства, аналогичные эластомерам без карбоксильных групп. Поэтому для карбоксилсодержащих каучуков важное значение приобретает вулканизация с помощью окисей, гидроокисей и других соединений металлов за счет реакции соле-образования. Получаемые при этом резины уже при относительно низком содержании звеньев метакриловой кислоты в сополимере (1—3%) характеризуются высокими механическими и эластическими свойствами. Рентгенографически в солевых резинах при растяжении обнаружен сильный ориентационный эффект. Тем самым установлено, что дефекты в структуре полимерной цепи, обусловленные неоднородностью ее строения, и отсутствие вследствие этого склонности к ориентации и кристаллизации, могут быть компенсированы за счет изменения природы вулканизационной сетки [1]. [c.400]

Г. Церби и соавторы [411] использовали инфракрасную и рамановскую спектроскопию для изучения механизма образования дефектов в структуре ротационной фазы i /н-парафина С19Н40, молекулы которого были дейтерированы в середине цепочки (СН2<— D2). В результате изучения они предположили, что в фазе Л/примерно 10-15% молекул способны совершать сложные трансляционно-вращательные движения rotortranslations), или винтообразные прыжки. Вследствие таких прыжков молекулы выскальзывают из слоя, причем стержни — части молекул, выскочившие из слоя, — состоят по крайней мере из 2 атомов углерода. Они не сохраняют плоскую зигзагообразную форму молекулы, а принимают искривленную форму для того, чтобы разместиться в пространстве и хотя бы частично компенсировать увеличение межмолекулярного расстояния вдоль оси цепочки, возникающего из-за выскальзыва- [c.90]

В качестве примера рассмотрим валок с диаметром бочки В = = 700 мм, длиной бочки I = 2500 мм, бомбированием 200 мкм, смещением осей С = 12,9 мм, давлением рольбендинга Р = 140 бар и плечом рычага о = 900 мм. Соответствующий профиль валка, хотя и может Компенсировать дефект, но это эффективно только для одной рабочей точки. [c.229]

Кроме математически обусловленного дефекта профиля, смещение осей и рольбендинг имеют другие недостатки, в частности, регулирование наклона ограничено, так как разное вытягивание краев пленки приводит к ухудшению ее качества из-за различного расстояния относительно приемного валка. Кроме того, за счет регулирования наклона прогиб можно компенсировать только в одном направлении, а выравнивание бомбирования при низких распорных давлениях невозможно. С помощью системы рольбендинг можно выравнивать [c.229]

Компенсирование прогиба с помощью высокотемпературного калибровочного (ВК) валка фирмы "Киктер . Валок ВК позволяет устранить разнотолщинность из-за разных линий изгиба и предотвратить ухудшение качества пленки из-за неравномерной вытяжки при регулировании наклона, так как отклонения толщины пленки, обусловленные систематическими дефектами, можно полностью компенсировать, поскольку линия изгиба валка ВК по всей зоне распорных сил точно соответствует прогибу, который вызван нагрузкой в зазоре. Это достигается благодаря тому, что линейная сила получает опору непосредственно там, где она воздействует на поверхность валка. На примере валка диаметром 700 мм и длиной 2500 мм была рассчитана разнотолщинность пленки при использовании различных компенсирующих устройств для распорных сил от 100 Н/м до 700 Н/мм (рис. 9.11). [c.230]

Полупроводниковые материалы на базе оксидов переходных металлов должны иметь вполне определенную концентрацию вакансий, что достигается одним из способов управления дефекто-образованием. Например, в оксид никеля N10 вводится добавка оксида лития Li20. Разница зарядов N1 + и в структуре мате-)иала компенсируется за счет образования из ионов N 2+ ионов в количестве, равном количеству примесных ионов [c.50]

О N при сохранении комплектности металлической подрешетки приводит [38] к дестабилизации системы (относительно исходного нитрида), и для сохранения ее химической устойчивости требуется наличие катионных вакансий в соотношении ЪO .Vp . Для определения роли Уд1 в эффектах кластеризации примесей проведены (с использованием сверхячейки А1,5 д,М]зОз) расчеты структур (1— 3) для различных конфигураций примесь— вакансия. Среди возможных выбраны 1 — все дефекты максимально удалены друг от друга, 2 — вакансия удалена от кластера 30), 3 — все дефекты образуют ассоциат (30 + Уд, . Сравнение величин зонных энергий соответствующих структур непосредственно указывает на предпочтительность возникновения Уд, вблизи кластера 30 , т. е. образования ассоциатов 1 д, + 30). Качественно данный эффект можно трактовать как стремление системы к формированию в объеме AIN злектронейтральных комплексов У д) + 30 ) , в пределах которых избыточная электронная плотность ионов кислорода компенсируется за счет катионной вакансии. [c.111]

РС-преобразователями. Необходимо, од-нак, компенсировать уменьшение амплитуды, возникаюшее при прохождении ультразвука через эти дефекты, поскольку в образцах для настройки таких несплошностей обычно нет. Способ оценки был рекомендован ранее. [c.564]

ЗТ-метод позволяет постоянно следить за качеством акустического контакта и компенсировать его ухудшение. Обнаружение дефектов, оценка их размеров и характера осуществляются одновременно по данным эхо- (по совмещенной и раздельной схемам), эхозеркальным, зеркально-теневым методами, а там, где это возможно, также с использованием методов, основанных на трансформации волн. Сопоставление сигналов при контроле всеми методами выполняется при совместной обработке данных, полученных при всех тактах контроля, и резюмируется в оценке характера и размера дефекта. [c.656]

Сюда добавляется еще один недостаток дефекты большой площади могут быть выявлены практически только тогда, когда звуковой луч падает на них перпендикулярно и зеркально отражается. Этот недостаток можно компенсировать так называемым комбинированным сканированием ( ompound s anning). При этом каждая точка при сканировании прозвучивается с различных направлений и получаемые эхо-импульсы приводятся в соответствие с конкретным положением искателя и направлением звука. [c.303]

В более простых приборах усиление по глубине можно на- страивать поштучно в зависимости от величины эхо-импульсов от эталонных дефектов на различных глубинах (такой метод наиболее употребим при работе без АРД-диаграммы). Однако проблема снова сводится к выбору правильного (представительного) эталонного дефекта естественные дефекты, не превышающие по размерам примерно сам искатель, с увеличением глубины ведут себя все более сходно с круглыми дисковыми дефектами (измеряемыми на дефектах сварного шва поперечными зигзагообразными волнами). Однако если усиление будет компенсировано, например для поперечных отверстий, результаты измерений могут быть ошибочными на четырехкратном pia -стоянии эхо-импульс от естественного дефекта поступает лишь с половиной амплитуды эхо-импульса от поперечного отверстия, если он прежде был выровнен до одинаковой высоты на экране примерно на расстоянии одной длины ближнего поля. Следовательно, там ошибочно считался бы допустимым еще вдвое больший дефект, чем граница регистрации. [c.383]

Применением фокусирующих искателей в иммерсионном варианте можно также компенсировать понижение чувствительности в прутке, вызванное сильным преломлением, или же сфокусировать луч на определенную глубину, дефекты на которой имеют особо вал<ное значение для последующего передела. Правильную толщину слоя воды для настройки опробовывают на отрезке материала с искусственными дефектами. [c.484]

Адсорбция, как физическая, так и химическая, обусловливается избыточной свободной энергией поверхности. Если валентные связи между атомами и ионами, расположенными внутри объема твердого тела, взаимно скомпенсированы (насыщены), то таковой компенсиро-ванности межмолекулярных сил на его поверхности (как и на поверхности жидкости) не происходит. Кроме того, поверхность твердого тела не является идеально гладкой, а имеет многочисленные ультрамикроско-нические выступы и углубления различных форм в зависимости от геометрии кристаллической решетки. Сама кристаллическая решетка также не всегда идеальна и однородна, и на ней имеются различного рода дефекты и примеси. Естественно, степень компенсированности валентных сил на различных участках неоднородной поверхности твердого тела различна и, следовательно, неоднородна адсорбционная активность этой поверхности. Наиболее активные участки (центры) поверхности будут более энергично адсорбировать (хемосорбировать) молекулы реактантов. Отсюда следует вывод о том, что адсорбция (хемосорбция) неоднородна. [c.201]

В косвенных методах используется одно из рациональных положений, согласно которому общая максимальная нагрузка на конструкцию в эксплуатационных условиях существенно увеличиться не должна. Вводимый коэффициент запаса предназначен ддя того, чтобы компенсировать возможные отклонения в свойствах металла, в размерах швов (или в размерах дефектов), по точности определения напряженно-деформированного состояния в огшсньа зонах и другие отклонения. [c.261]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология