Кристаллические расчет

Необходимость создания методов расчёта коэффициента распределения микропримеси при фазовом равновесии расплав — кристалл определяется, главным образом, практическими потребностями, связанными с широким распространением кристаллизационных методов глубокой очистки веществ. Рассмотрение современных статистических теорий конденсированного состояния [1—6] приводит к выводу о предпочтительном применении с этой целью полуэмпирических теорий, основанных на моделях строения вещества. Однако прямое вычисление коэффициента распределения, связанное со сравнением химических потенциалов микропримеси в жидкой и кристаллической фазах, даёт, ввиду грубости модели, большие погрешности. Этот недостаток можно в значительной мере устранить, применяя так называемую косвенную методику расчёта, связанную с выбором определенного уровня отсчета химического потенциала. [c.47]

Модель структуры ГЦК-углерода (Расчёт распределения кристаллического потенциала по картине электронной дифракции моделирование) [c.198]

Методике расчёта энергии кристаллической решётки посвящён ряд монографий (см., например, В. Кузнецов [2], М. Борн и Гепперт-Мейер [3]). Остановимся здесь лишь на схеме расчёта. [c.159]

Для получения мощных ультразвуковых колебаний с помощью пьезоэлектрических излучателей было предложено изготавливать кристаллические пластинки в форме вогнутого мениска [25, 298]. В настоящее время теория фокусирующих излучателей детально разработана [26]. Обычно расчёты выполняются в предположении строгой когерентности колебаний всех точек поверхности излучателя [303]. При этом можно показать, что с помощью фокусирующего излучателя удаётся [c.49]

Анализ проводился путём расчёта распределений кристаллического потенциала методом функции Патерсона, а так же сравнением картинь[ дифракции полученных образцов с расчётными для разных кристаллических структур. [c.198]

Смесь двух и более изотопов, хаотично распределённых в решётке твёрдого тела, означает наличие дефектов в кристаллической решётке, поскольку изотопы отличаются по массе и по молярному объёму. Как известно, между дефектами имеются дальнодействующие силы притяжения [74]. При достаточно низких температурах эта сила приводит к такому замечательному эффекту, как разделение смеси на изотонически обогащённые фазы, например, в случае бинарной смеси, одна фаза будет обогащена лёгким, а другая тяжёлым изотопом. Этот эффект был предсказан И. Пригожиным с коллегами [75] из анализа основного состояния изотопических смесей в рамках теории возмущений. Расчёт показал, что нулевая энергия изотопической смеси больше, чем сумма нулевых энергий чистых изотопов даже в рамках гармонического приближения. Причём Ех для упорядоченной смеси изотопов (типа, например, АВАВ...) оказывается наибольшей — больше, чем для хаотичной смеси. Согласно требованию теоремы Нернста энтропия изотопической смеси [c.70]

Но если ср очень мало, а концентрация электронов полосы проводимости сравнительно велика ), то может иметь место значительный выход электронов непосредственно из зоны проводимости и смещение границы Хц в сторону длинных волн. Этим можно объяснить наличие двух максимумов спектральной характеристики у кислородно-цезиевых катодов и сдвпг у них длинноволнового максимума и порога фотоэффекта в сторону длинных волн при обработке слоя окиси цезия, когда происходит всё большее и большее нарушение кристаллической решётки путём увеличения числа вкрапленных в эту решётку избыточных и посторонних атомов. Подтверждением этих соображений могут служить расчёты Брюнинга и Дебура, показавшие, что полоса проводимости лежит ближе всего к вершине потенциального барьера, как раз у тех полупроводников, для которых экспериментально установлена большая чувствительность к фотоэффекту и граничная частота в области инфракрасных волн. С этой же точки зрения можно объяснить, как предполагает Н. С. Хлебников, различный ход утомления кислородно-цезиевых катодов при облучении их коротковолновым и инфракрасным излучением. [c.77]

Спектральный состав излучения зависит прежде всего от химического состава и кристаллической структуры люминофора условия возбуждения отражаются на нём сравнительно мало. Спектр свечения может охватывать видимую, ультрафиолетовую и инфракрасную области. Исчерпывающей характеристикой его служат кривые распределения энергии излучения в функции длины волны. Определяемый спектральным составом цвет свечения может быть характеризован названием полосы излучения и длиной волны максимума спектральной кривой (Хтах)-В технических расчётах при работе в видимой области удобнее определять цвет по доминирующей длине волны и коэффициенту насыщенности. Необходимо отметить, что в общем случае ).тах не совпадает с доминирующей длиной волны (1о), даваемой при цветотехническом определении цвета. [c.26]

Заканчивая описание механизма действия катализаторов, остановимся на работах советского учёного Н. И. Кобозева и его сотрудников. Используя богатый опытный материал, Кобозев создал другую очень интересную теорию о природе активной поверхности катализаторов—так называемую теорию активных ансамблей .Сущность этой теории состоит в том, что активность поверхности твёрдого тела (кристалика) создаётся свободными атомами вещества, т. е. такими атомами, которые не входят в кристаллическую решётку катализатора. Они могут свободно перемещаться по поверхности катализатора. Однако путь их перемещения ограничен маленькими площадками (микроплощади), которые покрывают поверхность твёрдого тела. Эти площадки создают, как обычно говорят, мозаичную структуру поверхности. Единичные атомы не активны. Но когда они собираются в небольшие группы (ансамбли), по два-гри атома на микроплощадке, тогда они создают активные каталитические центры. Например, опытами и расчётами установлено, что для синтеза аммиака (NHз) на микроплощадке катализатора нужен ансамбль, состоящий из трёх атомов железа. Б этом случае катализатор (уголь с нанесённым на его [c.27]

При. соединении атомов натрия и хлора в ионную кристалляче скую решётку N301 электрон Зз натрия "переходит на уровень Зр хлора и в обоих, полученных таким образом, ионах наивысшиЙ энергетический уровень оказывается целиком заполненным, аналогично атомам инертного газа. Для расчёта соединения соответствующих атомов в кристаллическую решётку рассматривают сначала бесконечно удалённые друг от друга отдельные атомы натрия и хлОра. Затем принимают, что о а атома сначала ионизуются и затем полученные таким образом противоположно заряженные ионы притягиваются по закону Кулона и приближаются друг к другу на расстояние половины постоянной решётки с . При этом процессе выделяется знер [c.275]

Прежде всего следует решить вопрос о расположении избыточных атомов бария в кристаллической решётке окиси бария Из трёх приведённых в 36 возможных случаев такого расположения случай замещения (рис. 132, а) не может иметь места в ионном, соединении. Для выбора одного из "двух остальных случаев, а именно расположения между узлами решётки (рис. 132,6) и образсшания пустых мест (рис. 132, в) нельзя, к сожаленйю, использовать величины радиусов ионов барпя и кислорода, так как опубликованные до сих пор их значения слишком сильно отличаются друг от друга. Необходимые для этого расчёты или измерения, изложенные в 38,1 проведены до настоящ/его времени лишь для кристаллической решётки Na l, хотя и построенной из одновалентных ионов, но имеющей тот же тип и гочти [c.335]

Так как соответствующие расчёты показывают, что в случае решётки МаС мы имеем дело с образованием пустых мест, то ввщ у сходства решёток КаС1 и ВаО этот результат можно спокойно перенести также и на ВаО. Такое предположение делегат как ЩртгКй [281], так и Иост и Нелеп 130Ь]. Получающееся прн этом расположение избыточных атомов барпя в кристаллической решётке окиси бария показано на рис. 150. [c.335]

Мы приводим здесь в подробностях расчёты Орра, добавляя некоторые геометрические интерпретации, чтобы дать читателю возможность вполне овладеть применяемым здесь методом суммирования (это наша задача). Но мы не подвергаем специальному обсуждению условия суммирования рядов для вычисляемых здесь электростати-ческо] г, дисперсионной и отталкивательной компонент адсорбциоипо1 энергии, ограничения, накладываемые прп подсчёте этих компонент (жёсткость кристаллической решётки адсорбента, неучёт влияния соседей—молекул адсорбата, аддитивность дисперсионных сил и др.), так как это отвлекло бы нас от поставленной цели. [c.111]

При фокусировке ультразвука с помощью линзы кристаллический излучатель обычно плотно прижимается к плоской поверхности линзы для лучшей передачи колебаний. Линзу для уменьшения поглощения звука следует делать возможно тоньше (вдоль главной оптической оси толщина линзы приблизительно 1 мм). Для ориентировочного расчёта ультразвуковых линз можно пользоваться приближённой формулой [c.53]

Обрат,ае.т на себя внимание чрезвычайно большая скорость звука в бериллии, равная 12000 м/сек. Вещества, обладающие подобной скоростью, очень немногочисленны. Для сравнения укажем, что по расчёту скорость звука в алмазе составляет около 16 000 м1сек. Как показали опыты, при температурах 10—14° К в Ве не было обнаружено аномалии в изменении скорости или затухания звука-. Поэтому если аномалия тегт-лоёмкости вызвана изменениями кристаллической решетки, то. эти 1 зменения должны иметь такой характер, чтобы не влиять. на скорость звука 9 пределах 1 /о)., С другой стороны, если. аномалия вызвана электронным переходом, то последний не. должен влиять на поглощение, звука, [c.247]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология