Образование четвертичных аммониевых оснований

Применение при вулканизации дивинил-метилвинилпириди-новых каучуков галоидпроизводных органических соединений, например бензотрихлорида или тетрахлорхинона (хлоранила), приводит к образованию четвертичного аммониевого основания в результате взаилюдействия их с третичным амином, каким является метнлвинилпиридин. Это придает вулканизату маслостой-кость - [c.107]

Доказательством обратимости реакции образования четвертичного аммониевого основания (IV) служит тот факт, что разбавленные водные растворы [c.333]

Аналогично отмеченному выше алкилированию азотистых соединений производными этиленимина с образованием четвертичных аммониевых оснований протекает и реакция с некоторыми тиоэфирами, ведущая к получению сульфониевых соединений. Примерами могут служить реакция хлористого [c.60]

Затем производят обработку амином (например, триметил-амином), которая (в случае триметиламина) приводит к образованию четвертичного аммониевого основания [c.138]

ОБРАЗОВАНИЕ ЧЕТВЕРТИЧНЫХ АММОНИЕВЫХ ОСНОВАНИЙ [c.156]

Подобный же ряд анионов с особыми свойствами ОН" имеет место и для анионитов. Для слабоосновных ионитов, ОН стоит в начале ряда (выше SO4, С2О4 и других), тогда как для сильноосновных (например, образованных четвертичными аммониевыми основаниями) —в конце. [c.187]

ДЛЯ п-нитрофенилфосфата [80]. В случае последнего соединения заряженные нуклеофилы обычно мало реакционноспособны, и незаряженные нуклеофилы, такие, как амины и имидазолы, относительно более активны (см. ниже). Для этих случаев найдено доказательство промежуточного образования четвертичного аммониевого основания, которое быстро гидролизуется в соответствующую кислоту. [c.203]

Образование четвертичных аммониевых оснований [c.172]

Имеющийся экспериментальный материал не дает четких указаний о зависимости константы скорости реакции при механизме 5 /2 от изменения диэлектрической постоянной. Только в случае образования четвертичных аммониевых оснований (реакция Меншуткина, стр. 236) наблюдается определенная зависимость между скоростью реакции и диэлектрической постоянной растворителей (табл. 48) [67]. [c.325]

В 1938 г. Хиншелвуд показал, что увеличение предэкспонента уравнения (И-3) с ростом полярности растворителя при образовании четвертичного аммониевого основания зависит как от увеличения Р за счет эффективной стабилизации растворителем образующегося полярного продукта, так и от роста 2, обусловленного неравномерной плотностью раствора реагентов с полярным растворителем [369]. Неравномерная плотность раствора уменьшает реальный объем взаимодействия молекул, что повышает частоту их соударений. [c.120]

Вулканизация такого полиуретана возможна с помощью ал-киларилгалогенпроизводных с образованием четвертичных аммониевых оснований. Эластомеры характеризуются хорошей прочностью [c.530]

Рассматривается также возможность образования четвертичного аммониевого основания в системе амин — окись олефина в присутствии следов влаги, имеющейся в растворах [49—51] [c.113]

Если полимер, содержащий такие эфирные группы, обработать третичным амином, происходит одновременное образование четвертичных аммониевых оснований и циклических эфиров [c.499]

Резины из такого каучука, полученные с применением вулканизующих агентов, способствующих образованию четвертичных аммониевых оснований (например, хлористый бензилиден, бензо-трихлорид и др.), характеризуются стойкостью к сложным эфирам при температуре 200 °С, а также хорошей морозостойкостью (до —65 °С). [c.582]

В этом случае помимо уже обнаруженных продуктов радиолиза (первичных, вторичных и третичных аминов) возможно образование четвертичного аммониевого основания или соли (при облучении солевых форм анионитов). Ион тетраметиламмония может содержаться в продуктах радиолиза анионитов только в незначительных количествах, так как он может превращаться в триметиламии и другие низшие амины по схеме (5.7). С большей вероятностью он может быть обнаружен при облучении анионпта в смешанном слое с катионитом. [c.113]

Подобный же ряд анионов с особыми свойствами иона ОН- — присущ и анионитам. В случае слабоосновных ионитов ион ОН стоит в начале ряда (левее 5 0 , С2О4 и др.), тогда как в случае сильно основных (например, образованных четвертичными аммониевыми основаниями) —в конце. [c.174]

Изучена полимеризация винилмеркаптобензотиазола и некоторые реакции полимера окисление, нитрование, а также реакции, связанные с образованием четвертичных аммониевых оснований и с перегруппировкой заместителей (от атомов 5 и Н) . [c.753]

Вопрос О том, как изменения гибридизации могут сказываться на величине вторичных изотопных эффектов, практически возникает в трех следующих случаях а) при переходе от тетраэдрической (sp ) гибридизации к плоскотригональной [sp ) в реакциях типа (1-4) б) при обратном переходе, совершающемся при образовании связи между нлоскотригональным атомом углерода и атомом или группой, входящей в качестве четвертого заместителя. Аналогом такого рода процесса является реакция образования четвертичного аммониевого основания [см. уравнение (III-31)] в) при образовании тригонально бипирамидального переходного состояния, характерного для реакций замещения типа Sjv2. [c.125]

Амиды кислот винилируются ацетиленом обычным образом. С третичными аминами ацетилен реагирует в водных растворах с образованием четвертичных аммониевых оснований. Соли третичных аминов превращаются в соответствующие соли четвертичных оснований [c.274]

Эти ионы могут появиться либо за счет дегидратации исходных аминоспиртов ( ), либо за счет образования четвертичного аммониевого основания (01). С достаточно большой степенью уверенности можно считать, что ионы ОН появляются только в ходе циклизации, поскольку ранее было показано, что для аминоспиртов ( Па), не вступающих в реакцию циклизации, не наблюдается ни дегидратации, ни расщепления связи 81 — С. Таким образом, отщепление триметилсилильной группы при циклизации кремнийорганических ами-. нрспиртов (Ш) является косвенным доказательством того, что в ходе реакции действительно образуетоя четвертичное аммониевое основание. Положительно заряженный атом азота, находящийся в /3-положении к атому кремния, будучи сильным акцептором, облегчает расщепление связи 81—С. [c.224]

Образование четвертичных аммониевых оснований наблюдается особенно при получении этилбензиланилина и метилбензиланилина. [c.122]

Повышение основности АН-2Ф достигается исчерпывающим ал-килированием аминогрупп до образования четвертичного аммониевого основания. Возникновение сильноосновцых групп вызывает резкое увеличение набухаемости и снижение прочности анионита. С помощью дополительной конденсации на основе АН-2Ф удалось получить сильноосновный анионит АВ-34, имеющий хорошую механическую прочность и низкую набухаемость (2,3 мл1г), практически одинаковую, как в гидроксильной так и в солевой формах. Для предотвращения распада сильноосновных групп дополнительную конденсацию проводили при температуре не выше 60° С в течение 20—24 ч. Кривая потенциометрического титрования АВ-34 (рис. 5) ясно указывает на присутствие сильноосновных групп. [c.164]

Образование четвертичных аммониевых оснований при взаимодействии сопей высших алифатических аминов с окисями ап-килеиов. - Коге кагаку дзасси, 1966, т.б9, № II, с.2156-2161 [c.72]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология