Возникновение кристаллических зародышей

Изменение свободной энергии системы в результате возникновения кристаллического зародыша радиуса г, объемом V и поверхностью F равно [c.683]

Характерной особенностью катодного осаждения твердых металлов является возникновение зародышей металлических кристаллов на поверхности электрода и их рост в результате разряда ионов—электрокристаллизация. Соотношение скоростей процессов возникновения кристаллических зародышей и их роста, зависящих от природы осаждаемого металла, состава электролита и режима электролиза, определяет структуру катодного отложения. [c.338]

При массовой кристаллизации из растворов возникновение кристаллических зародышей и рост из них кристаллов протекают одновременно,, что затрудняет изучение кинетики процесса. [c.634]

Цель работы состоит в исследовании влияния плотности тока, концентрации разряжающихся ионов и присутствия посторонних электролитов на скорость возникновения кристаллических зародышей и рост кристаллов. [c.234]

Кинетика процесса кристаллизации. Скорость кристаллизации определяется рядом факторов, среди которых степень пересыщения раствора, температура, интенсивность перемешивания, наличие поверхностей, примеси и др. Указанные факторы влияют на механизм протекания процесса. Сложность учета влияния различных факторов заключается в том, что процесс возникновения кристаллических зародышей и рост иэ них кристаллов протекают одновременно. [c.345]

Чем больше скорость возникновения кристаллических зародышей (число кристаллов, образующихся на покрываемой поверхности в единицу времени), тем меньше величина кристаллов в образующемся покрытии. Чем выше перенапряжение или катодная поляризация при выделении металла, тем более мелкозернистыми получаются покрытия. Повышению катодной поляризации благоприятствуют уменьшение концентрации ионов осаждаемого металла в электролите, повышенная плотность тока и присутствие [c.215]

Предпосылкой для возникновения кристаллических зародышей (фаза 2) из неупорядоченной гомогенной фазы (фаза ) является переход линии сосуществования обеих фаз, находящихся ) равновесии. Рассмотрим для [c.283]

Согласно существующим представлениям, образование твердой фазы начинается с возникновения зародышей. На сущность первичного акта образования твердой фазы в настоящее время имеются две точки з-рения Одни авторы считают, что первичным актом образования твердой фазы является возникновение кристаллического зародыша. Кристаллические зародыши образуются в результате некоторого пересыщения раствора, возникающего при введении реагентов в рассол, а также вследствие флуктуаций тепла или массы растворенного вещества. Для образования кристаллического зародыша необходима такая ориентировка ионов или молекул, которая соответствует их положению в кристаллической решетке данного вещества. Вероятность создания таких условий зависит от концентрации и скорости диффузии вещества. [c.62]

Сначала возникают кристаллические зародыши, которые затем растут вследствие присоединения разрядившихся атомов металла. Структура гальванического осадка определяется соотношением скоростей образования кристаллических зародышей и их роста. Чем выше относительная скорость образования зародышей, тем более мелкозерниста структура покрытия. Возникновение кристаллических зародышей сопряжено с большей затратой энергии по сравнению с их ростом. Поэтому повышение катодной поляризации способствует образованию мелкозернистых покрытий, которые обладают лучшими защитными свойствами. [c.151]

Фактором, определяющим скорость возникновения кристаллических зародышей при кристаллизации твердого тела из раствора, является степень пересыщения последнего, характеризуемая отношением [c.30]

Возникновение кристаллических зародышей [c.37]

Образование кристаллов у полимеров происходит по тем же законам, что и у низкомолекулярных веществ, т. е. путем возникновения кристаллических зародышей и роста больших кристалликов за счет растворения или расплавления меньших. Эти зародыши, или центры кристаллизации, возникают в расплавах и растворах, из которых формуются полимеры, т. е. структурные образования полимеров подготавливаются еще в расплавах и растворах. [c.16]

Вообще говоря, массовому возникновению кристаллических зародышей способствует быстрое смешивание растворов реагирующих веществ на холоду. Напротив, медленное смешивание горячих растворов благоприятствует укрупнению кристаллов. Что касается концентраций растворов, то здесь зависимость уже сложнее наибольшие размеры осаждающихся частиц обычно отвечают некоторым средним концентрациям, причем и понижение, и повышение последних ведет к увеличению степени дисперсности осадка., [c.287]

Так, с ростом плотности тока возрастает скорость возникновения кристаллических зародышей и соответственно скорость распространения осадка параллельно поверхности катода. [c.422]

ДЕНДРЙТЫ (от греч. бEvбpov — дерево) —- древовидные (разветвленные) кристаллы. Впервые обнару-жепы(1878) в затвердевшей стали рус. металлургом Д. К. Черновым. Образуются из расплавов, паров или растворов в процессе медленной кристаллизации вещества. Непременными условиями роста Д. являются переохлаждение среды и наличие примесей. Этот рост происходит гл. обр. в направлении плоскостей с макс. плотностью упаковки атомов, т. е. с миним. межатомным расстоянием, что и обусловливает образование нескольких ветвей—осей. После возникновения кристаллического зародыша [c.326]

Одна из важнейших проблем массовой кристаллизации связана с определением эффективности процесса. Данная задача не может быть решена без учета кинетических факторов. Скорость процесса массовой кристаллизации лимитируется скоростью зарождения кристаллов и скоростью их роста. В соответствии с теорией гетерогенных флуктуаций [78, 79], при возрастании размера зародыша до критического на его поверхности происходит обновление молекул за счет присоединения новых молекул из расплава. При этом вероятность возникновения кристаллических зародышей в расплаве определяется вероятностью преодо.тения системой энергетического барьера. Образовавшиеся зародыши являются центрами формирования кристаллов. Рост кристаллов также связан с преодолением энергетического барьера [78]. В [80] для описания этих процессов предлагаются следующие зависимости [c.304]

Рост частиц в ходе кристаллизации характерен для карбоната кальция. При низкой концентрации твердой фазы, интенсивном перемешивании и повышенной температуре процессы образования, роста и осаждения частиц карбоната кальция более всего соответствуют картине возникновения кристаллического зародыша и его роста за счет процесса кристаллизации. Однако и в других условиях, когда выделяются аморфные зародыши СаСОз, процессы кристаллизации сильно влияют на поведение образующейся твердой фазы. [c.65]

Изменение термодинамического потенциала (АО) системы при возникновении кристаллического зародыша в однокомпо-йентной жидкости, а также его критические размеры (г) определяются следующими соотношениями [67] [c.19]

Аналогичные результаты были получены и при анализе других теорий образования кристаллических зародышей [44—52]. Ранее считали [53], что кривая пересыщения, подобно кривой растворимости, является вполне определенной. Однако, согласно современным представлениям, следует говорить скорее не о кривой, а о более или менее ограниченной области максимального пересыщения [26,34,54—60]. Мак-Кэб и Гречный [26, 61] различают даже две границы метастабильного пересыщения по достижении первой из них в растворе возникают одиночные зародыши кристаллов, а по достижении второй — начинается их массовое образование. Относительная неопределенность кривой пересыщения вызвана тем, что на возникновение кристаллических зародышей влияет много различных факторов помимо пересыщения. [c.40]

Изиестпо, что в процессе электрокристаллизации металл выделяется прежде всего на активных местах, определяемых микрогеометрией и кристаллографическими особенпостями поверхиости, а также наличием различного рода адсорбционных пленок. Во время толчка тока достигается потенциал, при котором металл начинает отлагаться и па менее активных или неактивных участках поверхности. Одновременно с ростом плотпости тока возрастает скорость возникновения кристаллических зародышей и соответственно скорость распространения осадка вдоль фронта роста кристаллов. Во время кратковременного пребывания электрода под анодной составляющей тока происходит устрппепие сверхвапряженных участков поверхности, и последняя выполняется однородными кристаллическими плоскостями. [c.572]