Рост кристаллов фигуры

В изучавшихся рентгенографически алмазах чаще всего наблюдались секториальные фигуры погасаний с лучами, более развитыми в сторону преимущественного роста кристалла, которые в течение полного поворота поляризатора четырежды погасают и просветляются (рис. 146). Этот тип погасаний ближе всего радиально-лучистым узорам двупреломления в алмазах с развитыми дислокациями роста, идущими к поверхности граней в виде пучков лучей. Вдоль направлений стыковки секторов роста граней и вблизи центра роста присутствуют узкие области интенсивного двулучепреломления, а в последнем случае наблюдается также крест радиальных изоклин, расходящийся при вращении поляризации в виде дуг различной кривизны (см. рис. 146, а, б). Интенсивное аномальное двупреломление в указанных зонах коррелирует с зафиксированной здесь же повышенной степенью раз-ориентировки волокон и часто наблюдается в отсутствие визуально фиксируемых механических включений. Характерной особенностью двулучепреломления в волокнистых алмазах является отчетливо видимая в переходной к затемнению области радиальная полосчатость изоклин (см. рис. 146, в), совпадающая по направлению с ориентацией ростовых волокон по секторам. Вместе с тем ни в одном из кристаллов не была зафиксирована зональная структура по октаэдру, для которой типичен узор двупреломления, параллельный граням (111). [c.401]

Если же при росте кристаллов развиваются грани дипирамиды или ромбоэдра и эти кристаллы ложатся такой гранью на предметное стекло, то другие, пересекающиеся с нею грани этой формы образуют контуры кристалла в форме ромбов с определенном углом между ребрами. Такому положению кристаллов на предметном столике отвечает сечение индикатрисы, косое к оптической оси у них наблюдается двупреломление, несимметричное погасание. По коноскопической фигуре косого разреза (см. стр. 19) определяется оптический знак и измеряется один из главных показателей преломления N0. Второй показатель преломления, измеренный у кристаллов, лежащих на косых гранях, хотя и не является главным Ые, но тем не менее этот Ы е характерен для кристаллов данного вещества, кристаллизующегося с развитием косых граней. [c.29]

Мы уже видели, что математическая теория кристаллографии была завершена задолго до открытия дифракции рентгеновских лучей. Побудительной причиной этих ранних исследований явился замечательный внешний вид кристаллов. Характерные для них четкие углы и чистые геометрически плоские грани отличали их от других природных объектов. При росте кристалла в неограниченном пространстве образуется полиэдрический кристалл. Случайные причины могут вызвать неравномерный рост граней, но форма кристалла может быть легко сведена к правильной геометрической фигуре. Вскоре было открыто, что при любых изменениях формы кристалла для данного веш ества углы между соответствуюп ими гранями всегда постоянны (Стеноп, 1669 г.). Таков первый закон кристаллографии, который указывает на постоянство структуры кристалла. [c.22]

Образование и рост зародышей при термическом распаде твердого тела приводит к возникновению на поверхности и дис локационной сетке кристалла фигур разложения, которые принято считать реакционной зоной. Однако часто фигуры разложения имеют небольшие конечные размеры, т. е. прекращают рост задолго до того, как произойдет их соприкосновение и перекрытие. [c.46]

В технологии сложных удобрений кристаллизация протекает в условиях перехода в твердую фазу сразу нескольких солей, взятых в определенном соотношении. Растворимость каждого компонента сложной солевой системы, скорость выпадения осадка и роста кристаллов, состав осадка в большой степени зависят от концентраций солей. От этого же зависят и основные физические свойства солевых систем. Эти зависимости обычно рассматривают при помощи диаграмм состояния — геометрических фигур, характеризующих взаимосвязь одного из свойств и соотношения компонентов раствора. Достаточное подробное изложение методов построения и анализа диаграмм растворимости двойных, тройных и четверных систем изложено, во многих трудах по теории и технологии солевых систем (см. например, книгу Пози-на [52]). [c.53]

Фигура разреза, перпендикулярного к 00. Двуосный кристалл, у которого оптическая ось проходит перпендикулярно грани роста, под микроскопом в параллельном свете при скрещенных николях должен был бы выглядеть, как изотропный. Но вследствие обычно имеющей место дисперсии угла оптических осей и конической рефракции полного погасания не наблюдается, и при вращении столика все время сохраняется серая или белая интерференционная окраска. [c.22]

Все кристаллы, грани роста которых имеют общее положение по отношению к главным осям индикатрисы, имеют косое погасание и в сходящемся свете дают фигуру косого несимметричного разреза, [c.31]

Пирамида роста, образованная одной спиралью, уже была описана выше на рис. 8, в изображена пирамида роста, образованная правой дислокацией. Фигура роста на рис. 10 для кристалла нормального парафина образована одной правой винтовой дислокацией. [c.204]

Первый этап кристаллизации характеризуется тем, что в насыщенном растворе парафина образуются кристаллы пластинчатой формы с закругленными краями второй этан характерен явлениями перегибания и искривления пластин с образованием треугольных или многоугольных, чаще шестиугольных фигур третий этан заключается в разрастании вершин треугольников в виде острых игл четвертый этап характерен ростом образовавшихся игл. [c.68]

Рост ионных кристаллов начинается от углов и завершается к середине грани кристалла. При сильных пересыщениях часто наблюдается явление, когда новые ионные плоскости начинаются еще до того, как завершится заполнение уже начатых плоскостей. Чем больше пересыщение, тем вероятнее такой процесс. В этом случае получают фигуры роста, которые имеют вид лестницы со ступеньками, ведущими к центру грани. Возникают так называемые полые пирамиды. [c.312]

Плоскостей скольжения 110 имеется 12, а на грань куба (100) выходит шесть таких плоскостей две нормально к грани, а четыре, пересекающиеся друг с другом, — под углом 45°. Скопления дислокаций в этих плоскостях скольжения выявляются в виде рядов фигур травления, образующих звезду. Длинные, параллельные < 100> лучи этой звезды отвечают скоплениям краевых дислокаций, короткие, диагональные — винтовым дислокациям. Форма и ориентировка звезды не зависят ни от формы, ни от ориентировки вдавливавшейся пирамиды, а только от ориентировки плоскостей скольжения в кристалле. Длина лучей звезды фигур травления — характерный параметр вещества, по которому можно судить о подвижности дислокаций, а следовательно, и о пластичности кристалла. Если кристалл упрочнен введенной в него при росте примесью или если в нем под действием облучения возникли радиационные точечные дефекты, то при той же нагрузке образуется звезда с более короткими лучами. Это значит, что примесные [c.352]

Множество дефектов образуется при росте также и на поверхности кристалла. Грани реального кристалла никогда не бывают в действительности идеальными плоскостями, на них всегда видна скульптура грани — фигуры травления, бугорки, штриховка (см. рис. 87), ступеньки, холмики и спирали роста (рис. 336). [c.369]

После достижения предела упругости отдельные пятна на рентгенограммах Лауэ начинают удлиняться и принимают форму фигур, которые можно видеть на приводимой фотографии. На детальной фотографии не слишком сильно деформированного кристалла видно, что каждое удлиненное пятно расслаивается на ряд отдельных пятнышек, число которых возрастает с ростом деформации. Каждый пучок имеет определенный спектр (это ясно можно видеть на фотографии), однако легко убедиться, что указанное [c.150]

Многие свойства кристаллов зависят от того, к какому типу симметрии принадлежит их кристаллическая решетка. Сюда относятся некоторые механические свойства (способность к расщеплению, твердость, упругость), пьезо- и пироэлектрические свойства, скорость роста или, наоборот, растворения различных граней кристалла, форма фигур их химического травления, распространение света или рентгеновских лучей в кристаллах и т. д. Таким образом, симметрия является не только свойством кристалла, но и как бы источником его новых свойств. Следовательно, нужно найти такой способ описания кристаллической решетки, чтобы заметить и учесть все элементы симметрии, которыми она обладает и которые нам необходимы для полной ее характеристики. [c.28]

Дело в том, что при исследовании макроскопических кристаллов структуру их можно определить на основании изучения их физических свойств (форма роста, фигуры травления и т. д.). Измеряя углы между гранями, можно отнести исследуемый кристалл к тому или другому классу или пространственной группе [c.62]

Какой из двух приведенных процессов в каждом случае является решающим для кинетики кристаллизации можно определить сравнением энергии активации процессов кристаллизации [13, 23—29] и диффузии (последняя составляет приблизительно 1—5 ккал/моль), исследованием влияния перемешивания [13] или сравнением кинетики роста и растворения. Кинетику растворения в большинстве случаев лимитирует диффузия [20, 30— 35], хотя наличие фигур травления на гранях растворяющегося кристалла показывает, что при определенных условиях имеет значение и скорость освобождения частиц из кристаллической решетки [36—38]. [c.52]

Второй задачей является установление элементов симметрии элементарной ячейки — осей 2-го, 3-го, 4-го и 6-го порядков, плоскостей и центра симметрии. Для этого в общем, кроме макроскопических измерений кристалла, необходимо использовать также физические и химические свойства (например, формы роста, термо- и пьезоэлектричество, фигуры травления). На основании сделанных наблюдений кристалл относят к определенной пространственной группе. Под пространственной группой понимают при этом определенную группу элементов симметрии в определенном расположении. Согласно учению о кристаллографических структурах, имеется 230 подобных возможностей. Порой недооценивали трудности, препятствующие надежному отнесению к определенной пространственной группе. В необходимых случаях следует дополнительно использовать рентгенограммы, где присутствие или отсутствие определенных максимумов интерференции указывает на наличие определенной пространственной группы. Если вещество имеется не в виде макрокристаллов, то рентгеновский метод при определении пространственной группы становится единственным. Заключения о принадлежности кристалла к определенной пространственной группе являются, следовательно, уже гораздо менее надежными, чем измерения элементарной ячейки. Однако и они обладают значительной степенью надежности, если использовать возможно большее число результатов измерений. [c.282]

Таким образом, можно считать, что небазисные дислокации в графите обычно являются винтовыми, и работы Горна [106] и Фрейза [107], в которых приведены данные о росте спиральных фигур на кристаллах графита, согласуются с таким выводом. [c.170]

Теория образования зародышей, видимо, разработана лучше, чем теория роста зародышей. Однако для многих реальных кристаллов процесс образования зародышей может не зависеть сэт энергетических и термодинамических ( )акторов, характеризующих развитие ступенек на поверхности кристалла. В таких случаях важную роль играют присутствующие на поверхности дефекты, которые могут служить постоянным источником ступенек. В частности было показано, что за счет винтовых дислокаций образуются фигуры роста в виде спирали (рис. 94). Ступенька сдвига, обусловленная спиральным ходом винтовой дислокации, не исчезает с добавлением новых атомов (см. рис. 33).При наличии винтовой дислокации спонтанное поверхностное образование зародышей становится ненужным, и степень пересыщения, необходимая для роста кристаллов, также стан(звится значительно [c.203]

Скульптура граней. Грани идиоморфных индивидов всегда неровные, они покрыты всевозможной формы и величины наростами и углублениями, поэтому теряют зеркальное отражение света. Такие несовершенства граней описываются под разными названиями вицинали, штриховки, фигуры роста и растворения. Подобные образования отражают симметрию кристалла и в какой-то мере среду, в которой кристалл вырос и пребывал в дальнейшем. Особенно важное значение при диагностике минералов имеет штриховка комбинационная и двойниковая. Комбинационная штриховка на грани обычно идет параллельно комбинационному ребру простых форм, которые одевают кристалл. Это большей частью комбинация микрограней, но более сложного символа, образующих систему [c.64]

Для определения температуры насыщения порция раствора отбирается из кристаллизатора пипеткой и помещается в кювету. Пипетка должна быть сухой и предварительно нагретой. Рас-1 ор в кристаллизаторе должен быть перегрет на 5—10° С. Изменяя температуру в кювете, можно переходить от роста к растворению и обратно. Для роста характерна прямореберность, зеркальность граней, иногда видны центры роста для растворения — появление фигур травления, округление ребер, искривление граней, оплав-ленность кристалла. Иногда можно видеть движение слоев разрастание слоев при росте и отступание тех же слоев при растворении (Не путать Требуется навык ). Эта методика определения температуры насыщения наиболее чувствительна и довольно обычно дает вилку 0,05° С. Длительность определения при некотором навыке меньше, чем по предыдущему способу. [c.145]

Известные работы, разбирающие вопрос о скорости растворения граней кристаллов в их маточном растворе, не дали определенных результатов [2]. Одни исследователи нашли, что различные грани кристаллов растворяются с различными скоростями, другие —что скорость растворения различных граней в их маточном растворе одинакова. Например, Г. В. Вульф [3] для кристаллов Fe NH4][S04]2 6H20 показал, что в пределах точности измерений скорости растворения различных граней кристаллов одинаковы, тогда как скорости роста разных граней сильно отличаются друг от друга. Несколько работ, проведенных с целью выявления анизотропии скорости растворения кристаллов щелочногалоидных солей в воде [4, 5], не дали положительных результатов. В то же время имеются многочисленные доказательства того, что отделение частиц, вызываемое растворителем, происходит по одним направлениям легче, а следовательно, и скорее, чем по другим. Например, при опускании кристалла Na l в раствор метилового спирта можно наблюдать появление фигур травления на гранях куба в виде квадратных пирамидок, обращенных вершинами в глубь кристалла [2]. Аналогичные квадратики наблюдаются на поверхности кристаллов щелочногалоидных солей при их травлении с целью выявления дислокаций. П. Грот [6] наблюдал появление на кристаллах под воздействием тонкой струи воды угловатого углубления, имеющего определенный вид и определенное положение, однако эти наблюдения не были подтверждены опытами В. Д. Кузнецова [2]. [c.179]

ВИЙ. Масса крупных самородков достигает десятков килограммов. Кристаллы редки — октаэдры, ромбододекаэдры, кубы и их комбинации скелетообразные, ступенчатые и параллельные срастания. Двойники по (111) простые и сложные. Кристаллы обычно искаженные, поверхности граней неровные — с фигурами роста и следами растворения. Очень мелкое, высокодисперсное 3. с. содержится в пирите, арсеноиири-те и др. сульфидах в виде мех. включений. Спайность отсутствует (см. Спайность минералов). Плотность 15,6—18,3 г см . Твердость 2—3, ковко и тягуче. Цвет н черта от зо-лотисто-желтого до серебряно-белого (с серебром) и розоватого (с медью), в порошке — бурое. Блеск (см. Блеск минералов) сильный металлический. Излом крючковатый (см. Излом минералов). В отраженном свете золотисто-желтое, изотропное. Отражательная способность для зеленых лучей — 47, оранжевых — 82,5, красных — 86. Хороший проводник электричества. Т-ра плавления 1062,6° С температурный коэфф. линейного расширения (т-ра 0-100° С) 0,146 Ю град-К Растворяется в царской водке , ртути, селенистой к-те. Связано с гидротермальными проявлениями разнообразных формаций. В жильных коренных высоко- и среднетемпературных месторождениях находится в кварцевых жилах в сопровождении пирита, арсенопирита, галенита, молибденита, вольфрамита, барита, карбонатов, турмалина, серхщита и др. минералов. Низкотемпературные гидротермальные месторождения связаны с третичными вулканическими породами. 3. с. находится в них вместе с пиритом, галенитом, сфалеритом, халькопиритом, серебром самородным, теллуристыми соединениями золота, кварцем, халцедоном, карбонатами, адуляром и др. Россыпные месторождения — современные и древние — представлены элювиальными, аллювиальными и морскими россыпями, связанными с разрушением золотоносных жил и пород. Золото широко используется в ювелирном деле и как валютный эквивалент. Значительная часть (20—25%) добываемого 3. с. идет на технические нужды. В чис- [c.465]

Брандштеттер [9] наблюдала фигуры роста на поверхностях кристаллов 22 органических веществ во время их формирования путем возгонки. Она сообщила, что в случае двух веществ, борнеола СюН180 и камфоры СюН1бО, системы спиралей и слоев производят такое впечатление, как [c.385]

Если на сингулярную поверхность выходит одна винтовая дислокация, то образуется ступень, которая бежит в направлении к ребру кристалла. Поэтому воронка должна представлять как бы амфитеатр, образуемый поворачивающейся по спирали ступенькой и спускающийся от поверхности в глубину или до дислокации, или до поверхности полой трубки. Наблюдения спиралей роста часто позволяют установить, что в центре спирали находится отверстие (см., например, рис. 15 и 16). Спираль разворачивается обратно, образуя фигуру роста в виде холма с небольшой воронкой на его вершине. Напротив, в центрах спиралей на кристаллах парафинов с длинной цепью, например н-гексатриаконтана С36Н74, отверстий нет (см. рис. 14) [15], хотя высота ступени и свидетельствует [c.390]

Грани идиоморфных индивидов всегда неровные, они покрыты всевозможной формы и величины наростами и углублениями, поэтому теряют зеркальное отражение света. Такие несовершенства граней описываются под разными названиями вицинали, штриховки, фигуры роста и растворения. Подобные образования отражают симметрию кристалла и в какой-то мере среду, в которой кристалл вырос и пребывал до наших дней. Особенно важное значение при-диагностике минералов имеет штриховка комбинационная и двойниковая. Комбинационная штриховка на грани обычно идет параллельно комбинационному [c.44]

Применение метода электронной микроскопии позволило рассмотреть еще более мелкие детали строения кристаллов — выявлена блочность кристаллов. Блоки в кристаллах алита размером 0,1— 0,3 мкм, а в кристаллах белита — 0,2—0,5 мкм обычно разориенти-рованы , несимметричны. У кристаллов алюмоферритов кальция и СаО наблюдаются фигуры спирального роста. [c.239]

Основными методами изучения Д. в кристаллах служат электронно-микросконич. наблюдение расположения атомных плоскостей в кристаллах декорирование Д. примесями с наблюдением в видимом или ИК-свете металлографич. травление точек выхода Д. на поверхность кристалла изучение фигур спирального роста с применением фазовоконтрастной микроскопии, многолучевой интерферометрии и ионного проектора поляризационно-оптич. определение внутренних напряжений, рентгеновские исследования, а также измерения электропроводности, плотности и комбинации этих методов. [c.573]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология