Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Постоянная сверхтонкого расщепления сверхтонкого взаимодействия, СТВ

    Расстояние между его линиями оказывается постоянным и называется постоянной сверхтонкого расщепления (Ян) или сверхтонкого взаимодействия (СТВ) обычно ан выражают в единицах тесла . [c.368]

    Если два протона характеризуются одинаковой постоянной взаимодействия с неспаренным электроном, спектр имеет три линии, причем центральная линия вдвое интенсивнее, поскольку, как это показано на рис. 16.9,6, она соответствует двум возможным переходам. Два или более протонов, одинаково взаимодействующие с неспаренным электроном, называются эквивалентными. Обычно они занимают в молекуле положения, переходящие друг в друга при операциях симметрии. Рис. 16.10 иллюстрирует сверхтонкое расщепление для случаев неэквивалентных и эквивалентных протонов. Возникающую картину можно представить так первый протон расщепляет линию ЭПР на две компоненты, а взаимодействие со вторым протоном приводит к дальнейшему расщеплению двух линий на квадруплет. Когда два сверхтонких расщепления различны, возникают четыре линии поглощения. Если оба сверхтонких расщепления одинаковы, т. е. протоны эквивалентны, получаются три линии. [c.512]


    Анализируется зависимость параметров электронного парамагнитного резонанса (э. п. р.) Мп + и Ре + в -состоянии от степени ионности соединения. Показано, что с уменьшением ионности наблюдается рост сдвига -фактора (относительно -фактора свободного иона) и фактора кубического расщепления и уменьшение постоянной сверхтонкого взаимодействия. Поскольку ионность связана с величиной эффективного заряда, который определяет положение глубоких локализованных уровней в запрещенной зоне, то эта зависимость позволяет быстро (но грубо) оценить ковалентность в бинарных полупроводниках и, следовательно, предсказать их электрофизические свойства. [c.352]

Рис. 106. Расщепление электронных энергетических уровней, обусловленное взаимодействием с одним протоном, и возникающая при этом сверхтонкая структура (в постоянном магнитном поле). Рис. 106. Расщепление <a href="/info/1351396">электронных энергетических уровней</a>, обусловленное взаимодействием с одним протоном, и возникающая при этом <a href="/info/2766">сверхтонкая структура</a> (в <a href="/info/477563">постоянном магнитном</a> поле).
    С.-с.в. электронов и ядер приводит к расщеплению зеемановских уровней и соответствующих линий спектра ЭПР-т. наз. сверхтонкое взаимодействие. Выделяют два осн. слагаемых диполь-дипольное С.-с.в. ядер и электронов и контактное взаимод. Ферми. Первое слагаемое аналогично по форме (1), но вместо одного из электронных спинов, напр. Лу, стоит спин ядра вместо Гу стоит расстояние между электроном г и ядром а, к множитель (д Ив) заменяется на ц = йеИв З.И). где ц -ядерный магнетон, з,-д-фактор для ядра а. Для атома диполь-дипольное С.-с.в. дает осн. вклад в гамильтониан при условии, что атом находится в любом состоянии (Р-, О-и т.д.), за. исключением 5-состояния (или, в одноэлектронном приближении,-за исключением тех состояний, в к-рых есть открытая оболочка, включающая л-орбиталь). При усреднении величин УЛ по всем положениям электронов получаются постоянные С.-с.в. [ , (постоянные сверхтонкого взаимод.), значения к-рых состмля-ют обычно иеск. десятков (до сотни) МГц (1 см = = 3-10 МГц). [c.403]

    Постоянная сверхтонкого взаимодействия пропорциональна спиновой плотности на протонах, вызываюших расщепление. Расширенные квантовохимические методы (РМХ, ППДП) позволяют вычислять эти плотности при этом между теоретическими и экспериментальными значениями наблюдается хорошая корреляция. Поскольку большинство исследованных радикалов и анион-радикалов является сопряженными системами, стоит упомянуть также о возможности использования я-электронного приближения. Оказывается, что спиновая плотность на атоме [c.370]


    Исследование начинают с выбора, ортогональных осей. г, у, з, фиксированных в кристалле. Этот выбор произволен, однако обычно выбирают одну (или больше, если это возможно) кристаллографическую ось. Кристалл монтируется в резонаторе таким образом, чтобы одна из осей, например ось х, была направлена вертикально. Вращая кристалл в резонаторе или магнит прибора относительно резонатора получают ряд значений расщепления. Если вертикально направлена ось X, то эти значёния расщепления связаны с изменением направления вектора напряженности постоянйого магнитного поля в плоскости yz. Аналогично получают. значения расщепления при вращении вектора напряженности в плоскостях ху и xz. Из этих измерений можно получить компоненты тензора Т сверхтонкого взаимодействия в выбранной системе координат. Окончательной же задачей является нахождение матрицы преобразования, которая диагонализирует этот тензор. [c.60]

    Спектры ЭПР монокристаллов УзОа, легированных медью, впервые исследовал Рэгл [8]. Он обнаружил сложный широкий сигнал, в котором при температуре 77 К и ориентации постоянного магнитного поля Н параллельно оси Ъ кристалла наблюдается большое число линий сверхтонкой структуры. При других ориентациях магнитного поля сверхтонкая структура не разрешалась. Спектры меди Рэгл не обнаружил, откуда следует, что медь находится в непарамагнитном состоянии Си (3 ) с заполненной Зй-оболочкой. Большое число линий сверхтонкой структуры Рэгл объяснил тем, что в УаОа, легированном медью, существуют два центра, в каждом из которых электрон взаимодействует с двумя ядрами ванадия, сверхтонкое расщепление одинаково, а й -фак-торы немного отличаются, так как спектры смещены друг относительно друга. [c.11]

    Заключение. Результаты для ионов в S-состоянии показывают, что с увеличением ковалентности в двухатомных полупроводниках вследствие спиновой делокализации уменьшается постоянная сверхтонкого взаимодействия, а сдвиг g -фактора и расщепление в кубическом поле возрастают. Этот факт не согласуется с экспериментальными значениями ионности в ZnS и dS (соответственно 0,77 и 0,74), которые были получены Сюше [3], поскольку и а в ZnS больше, чем в dS, а постоянная А, напротив, меньше (выше мы использовали значения w для dS и ZnS по Байли). Зависимость параметров э.п.р.-спектров ионов в 55/2-состоянии делает возможным быструю (но грубую) оценку ковалентности в двухатомных полупроводниках, регистрируя передаваемую [c.56]

    Изменением микроволновой частоты. В гл. II отмечалось, что в удовлетворительном приближении сверхтонкое расщепление в спектре не зависит от поля. Поэтому, если при переходе от Х-полосы к Q-пoлo e расщепление между двумя линиялш остается постоянным, значит, они обусловлены сверхтонким взаимодействием. Если же расщепление изменяется, то эти линии относятся к радикалам с различными -факторами. [c.291]


Смотреть страницы где упоминается термин Постоянная сверхтонкого расщепления сверхтонкого взаимодействия, СТВ : [c.361]    [c.403]    [c.11]    [c.142]    [c.165]   
Основы квантовой химии (1979) -- [ c.368 , c.371 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Постоянная расщепления

Постоянная сверхтонкого расщепления

Сверхтонкое взаимодействие

Сверхтонкое взаимодействие взаимодействия

Сверхтонкое взаимодействие расщепление

Сверхтонкое расщепление



© 2025 chem21.info Реклама на сайте