Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Постоянная сверхтонкого расщепления

    Расстояние между его линиями оказывается постоянным и называется постоянной сверхтонкого расщепления (Ян) или сверхтонкого взаимодействия (СТВ) обычно ан выражают в единицах тесла . [c.368]

    Анализируется зависимость параметров электронного парамагнитного резонанса (э. п. р.) Мп + и Ре + в -состоянии от степени ионности соединения. Показано, что с уменьшением ионности наблюдается рост сдвига -фактора (относительно -фактора свободного иона) и фактора кубического расщепления и уменьшение постоянной сверхтонкого взаимодействия. Поскольку ионность связана с величиной эффективного заряда, который определяет положение глубоких локализованных уровней в запрещенной зоне, то эта зависимость позволяет быстро (но грубо) оценить ковалентность в бинарных полупроводниках и, следовательно, предсказать их электрофизические свойства. [c.352]


    R = и формула (27.44) переходит в (23.52). Фактор носит название релятивистской поправки к постоянной сверхтонкого расщепления В. Значения фактора R для состояний /= 1 приводятся в таблице 72 (см. также рис. 25). Подстановка (27.43), (27.44) в [c.310]

    Если два протона характеризуются одинаковой постоянной взаимодействия с неспаренным электроном, спектр имеет три линии, причем центральная линия вдвое интенсивнее, поскольку, как это показано на рис. 16.9,6, она соответствует двум возможным переходам. Два или более протонов, одинаково взаимодействующие с неспаренным электроном, называются эквивалентными. Обычно они занимают в молекуле положения, переходящие друг в друга при операциях симметрии. Рис. 16.10 иллюстрирует сверхтонкое расщепление для случаев неэквивалентных и эквивалентных протонов. Возникающую картину можно представить так первый протон расщепляет линию ЭПР на две компоненты, а взаимодействие со вторым протоном приводит к дальнейшему расщеплению двух линий на квадруплет. Когда два сверхтонких расщепления различны, возникают четыре линии поглощения. Если оба сверхтонких расщепления одинаковы, т. е. протоны эквивалентны, получаются три линии. [c.512]

Рис. 106. Расщепление электронных энергетических уровней, обусловленное взаимодействием с одним протоном, и возникающая при этом сверхтонкая структура (в постоянном магнитном поле). Рис. 106. <a href="/info/129237">Расщепление электронных</a> энергетических уровней, обусловленное взаимодействием с одним протоном, и возникающая при этом <a href="/info/2766">сверхтонкая структура</a> (в постоянном магнитном поле).
    Для иона, ванадила, адсорбированного на различных исследованных носителях, величины --фактора оказались постоянными, в то время как сверхтонкие расщепления изменялись, будучи максимальными на катионообменных смолах сульфокислотного типа, несколько меньшими на угле и значительно меньшими на анионообменных смолах аминного типа. [c.88]

    Пунктирная линия I соответствует переходу в отсутствие СТВ. Сплошные линии к и т доказывают переходы при наличии СТВ, индуцированные микроволновым квантом Лг той же энергии, что и для перехода I. Резонансные поля, соответствующие этим двум переходам, равны —а/2 и +а/2, где а (Гс) — константа изотропного сверхтонкого расщепления при постоянной частоте, определяемая как — Я . [c.56]

    С.-с.в. электронов и ядер приводит к расщеплению зеемановских уровней и соответствующих линий спектра ЭПР-т. наз. сверхтонкое взаимодействие. Выделяют два осн. слагаемых диполь-дипольное С.-с.в. ядер и электронов и контактное взаимод. Ферми. Первое слагаемое аналогично по форме (1), но вместо одного из электронных спинов, напр. Лу, стоит спин ядра вместо Гу стоит расстояние между электроном г и ядром а, к множитель (д Ив) заменяется на ц = йеИв З.И). где ц -ядерный магнетон, з,-д-фактор для ядра а. Для атома диполь-дипольное С.-с.в. дает осн. вклад в гамильтониан при условии, что атом находится в любом состоянии (Р-, О-и т.д.), за. исключением 5-состояния (или, в одноэлектронном приближении,-за исключением тех состояний, в к-рых есть открытая оболочка, включающая л-орбиталь). При усреднении величин УЛ по всем положениям электронов получаются постоянные С.-с.в. [ , (постоянные сверхтонкого взаимод.), значения к-рых состмля-ют обычно иеск. десятков (до сотни) МГц (1 см = = 3-10 МГц). [c.403]


    С точки зрения влияния растворителей наибольший интерес представляют три параметра спектра электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) органического радикала — gf-фактор радикала, константа изотропного сверхтонкого расщепления (КСТР) от любого ядра в изучаемом радикале с отличным от нуля спином, ширина различных линий в спектре [2, 183—186, 390]. Величина g -фактора определяется напряженностью магнитного поля, при которой неспаренный электрон свободного радикала вступает в резонанс с постоянной частотой спектрометра ЭПР (обычно равной 9,5 ГГц). Константа изотропного СТР связана с распределением спиновой плотности я-электро-на (называемой также населенностью спина) в я-радикалах. Ширина линий связана с зависящими от температуры динамическими процессами, например с внутримолекулярным вращением или переносом электрона. Несколько вполне современных обзоров, посвященных изучению органических радикалов в растворах, опубликовано в сборнике [390]. [c.457]

    I и И наблюдались обратимые изменения спектров ЭПР с температурой. При 300° К и выше спектры этих радикалов состоят из пяти линий СТС с биномиальным соотношением интенсивностей и расщеплением а(300°К)= (300°К)=32 э. С понижением температуры менялось соотношение интенсивностей и величин сверхтонкого расщепления, так, что а Т)Ф ФЬ Т). При этом, однако, полное расщепление в спектре [а Т) +Ь Т)] остается постоянным для любых температур. [c.343]

    Рассмотрим прежде всего вопрос и том, какую информацию можно получить из величины сверхтонкого расщепления спектров ЭПР адсорбированных радикалов. В теории спек гран ЭПР показано, что величина сверхтонкого расщепления пропорциональна плотности неопаренного электрона в точке нахождения ядра соответствующего элемента. Для атома водорода эта величина легко может быть вычислена теоретически. Очевидно, что если образование одиоэлектронной связи атома водорода с поверхностью катализатора сопровождается затягиванием неспаренного электрона в твердое тело, то при этом должна уменьшаться спиновая плотность на протоне, а вследствие этого также и величина постоянной сверхтонкого расщепления по сравнению с расщеплением в свободном атоме водорода. Таким образом, качественные заключения о степени затягивания неспаренного электрона адсорбированного атома [c.405]

    При определении из сверхтонкого расщепления квадрупольного момента ядра возникают дополнительные трудности. Наличие QфO приводит к нарушению правила интервалов Ланде. Обычно эти отклонения невелики, особенно для легких ядер. В отдельных случаях (большие Q и маленькие 1) полностью меняется характер расщепления. В принципе по этим отклонениям можно определить Q, Для этого надо знать вторую производную электростатического потенциала ф"(0), создаваемога электронами в ядре. Хотя эта величина, или пропорциональная ей постоянная расщепления В, вычисляются в том же приближении, что и Л, ситуация здесь значительно хуже. Б настоящее время нет достаточно точных прямых измерений Q, которые бы позволили оценить точность этих расчетов и роль различных поправок. В частности, не вполне ясно, в какой мере и как надо учитывать поправку на поляризацию электронных оболочек ядерным квадрупольным моментом (так называемая поправка [c.270]

Рис. 47. Зависимость константы сверхтонкого расщепления на азоте в дифенилазотокиси от диэлектрической постоянной среды Рис. 47. Зависимость <a href="/info/671720">константы сверхтонкого расщепления</a> на азоте в дифенилазотокиси от <a href="/info/6015">диэлектрической постоянной</a> среды
    Постоянная сверхтонкого взаимодействия пропорциональна спиновой плотности на протонах, вызываюших расщепление. Расширенные квантовохимические методы (РМХ, ППДП) позволяют вычислять эти плотности при этом между теоретическими и экспериментальными значениями наблюдается хорошая корреляция. Поскольку большинство исследованных радикалов и анион-радикалов является сопряженными системами, стоит упомянуть также о возможности использования я-электронного приближения. Оказывается, что спиновая плотность на атоме [c.370]

    Положения линий сверхтонкой структуры от метильных протонов, для которых М четно, определяются целым кратным от суммы сверхтонких расщеплений. Поскольку эта сумма постоянна, некоторые компоненты линий не будут сдвигаться и, следовательно, останутся узкими. Если же М нечетно, то все ком-ц н ноненты линий сдвигаются, [c.228]

    Исследование начинают с выбора, ортогональных осей. г, у, з, фиксированных в кристалле. Этот выбор произволен, однако обычно выбирают одну (или больше, если это возможно) кристаллографическую ось. Кристалл монтируется в резонаторе таким образом, чтобы одна из осей, например ось х, была направлена вертикально. Вращая кристалл в резонаторе или магнит прибора относительно резонатора получают ряд значений расщепления. Если вертикально направлена ось X, то эти значёния расщепления связаны с изменением направления вектора напряженности постоянйого магнитного поля в плоскости yz. Аналогично получают. значения расщепления при вращении вектора напряженности в плоскостях ху и xz. Из этих измерений можно получить компоненты тензора Т сверхтонкого взаимодействия в выбранной системе координат. Окончательной же задачей является нахождение матрицы преобразования, которая диагонализирует этот тензор. [c.60]


    Спектры ЭПР монокристаллов УзОа, легированных медью, впервые исследовал Рэгл [8]. Он обнаружил сложный широкий сигнал, в котором при температуре 77 К и ориентации постоянного магнитного поля Н параллельно оси Ъ кристалла наблюдается большое число линий сверхтонкой структуры. При других ориентациях магнитного поля сверхтонкая структура не разрешалась. Спектры меди Рэгл не обнаружил, откуда следует, что медь находится в непарамагнитном состоянии Си (3 ) с заполненной Зй-оболочкой. Большое число линий сверхтонкой структуры Рэгл объяснил тем, что в УаОа, легированном медью, существуют два центра, в каждом из которых электрон взаимодействует с двумя ядрами ванадия, сверхтонкое расщепление одинаково, а й -фак-торы немного отличаются, так как спектры смещены друг относительно друга. [c.11]

    Чисто вращательные спектры газов, молекулы которых имеют постоянный дипольный момент, находятся, как известно, либо в микроволновой, либо в дальней инфракрасной области. Обычно такие спектры исследуют с помощью методов микроволновой спектроскопии, точность и разрешающая способность которых значительно превосходят возможности методов длинноволновой инфракрасной спектроскопии. Микроволновая спектроскопия используется для изучения таких явлений, как сверхтонкое расщепление и эффекты Штарка и Зеемана. С помощью таких исследований затем могут быть получены очень точные значения геометрических параметров. Техника измерений здесь в принципе проще, чем в оптическом диапазоне, поскольку вместо источника непрерывного спектра в микроволновой спектроскопии применяются высокомонохроматические клистроны с переменной частотой. Таким образом, отпадает необходимость в дифракционной решетке и удается избежать трудностей, связанных с применением системы монохроматоров ми кроволновые методы по существу следует отнести к электронным, а не к оптическим. Высокочастотная граница микроволновых измерений находится в настоящее время вблизи 20 см" (6-10 МГц). [c.16]

    Заключение. Результаты для ионов в S-состоянии показывают, что с увеличением ковалентности в двухатомных полупроводниках вследствие спиновой делокализации уменьшается постоянная сверхтонкого взаимодействия, а сдвиг g -фактора и расщепление в кубическом поле возрастают. Этот факт не согласуется с экспериментальными значениями ионности в ZnS и dS (соответственно 0,77 и 0,74), которые были получены Сюше [3], поскольку и а в ZnS больше, чем в dS, а постоянная А, напротив, меньше (выше мы использовали значения w для dS и ZnS по Байли). Зависимость параметров э.п.р.-спектров ионов в 55/2-состоянии делает возможным быструю (но грубую) оценку ковалентности в двухатомных полупроводниках, регистрируя передаваемую [c.56]

    Изменением микроволновой частоты. В гл. II отмечалось, что в удовлетворительном приближении сверхтонкое расщепление в спектре не зависит от поля. Поэтому, если при переходе от Х-полосы к Q-пoлo e расщепление между двумя линиялш остается постоянным, значит, они обусловлены сверхтонким взаимодействием. Если же расщепление изменяется, то эти линии относятся к радикалам с различными -факторами. [c.291]

    В связи с тем, что восстановление производят в кислой среде, атомы азота, входящие в состав амино-группы, в каждом случае полностью протонизирова-ны и возникающая в результате этого сверхтонкая структура характеризуется сильным N- и НН-расщеплением с примерно постоянным отношением для NH/N, равным 1,09. [c.172]

    На лазере с переворотом спина Батчер и др. [106] получили оптоакустический спектр Q-ветвн основной колебательной полосы N0. При низких давлениях N0 ширина линии, определяемая доплеровским уширением, составляла 127 МГц. При этом разрешении Л-удвоенне (около 700 МГц) проявляется в виде большого расщепления, причем разрешается даже сверхтонкая структура каждой Л-компоненты. При мощности падающего на образец лазерного излучения порядка 10 мВт весь спектр (около 2,5 см ) сканировался за 10 мин с разрешением лучше чем 2-10 и отношением сигнал/шум до 200 1. Этим же методом были получены вращательные постоянные O S [106], С помощью спектрофона измерены коэффициенты поглощения вплоть до 10 " см в области 3,8 мкм при 17 различных длинах волн излучения лазера на молекуле [c.269]


Смотреть страницы где упоминается термин Постоянная сверхтонкого расщепления: [c.359]    [c.361]    [c.550]    [c.462]    [c.11]    [c.83]    [c.441]    [c.39]    [c.150]    [c.142]    [c.165]    [c.403]    [c.166]   
Введение в теорию атомных спектров (1963) -- [ c.260 , c.306 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Постоянная расщепления

Постоянная сверхтонкого расщепления сверхтонкого взаимодействия, СТВ

Сверхтонкое расщепление



© 2025 chem21.info Реклама на сайте