герса вектор

Для того чтобы охарактеризовать разомкнутый контур Бюр-герса в идеальном кристалле, соответствующий контуру в хоро-щем участке реального кристалла, окружающем дислокацию, конечную точку контура соединяют с исходной, а полученный вектор называют вектором Бюргерса. Если в данной области кристалла присутствует только одна дислокация, контур Бюргерса можно переместить вдоль дислокации, а также растягивать или сжимать в направлении, перпендикулярном оси дислокации при этом вектор Бюргерса останется неизменным. Величина вектора может измениться только в том случае, если при передвижении контура он пересечет участок плохого кристалла, т. е. встретит на своем пути другую дислокацию. [c.227]

С другой стороны, образование и развитие трещины можно связать с выходом на поверхность определенного числа дислокаций. При перемещении дислокации в плоскости скольжения и выходе ее на поверхность возникает ступенька, равная вектору Бюр-герса Ь. Если в данной плоскости скольжения на поверхность выходит п дислокаций, то высота ступеньки равна пЬ. Пластическое деформирование, связанное с выходом дислокаций на поверхность (разрядка дислокаций), есть акт разупрочнения локальных областей металла, так как результирующим эффектом при этом будет повреждение поверхности в виде ступеньки. Эти ступеньки могут считаться зародышами вязких трещин, развитие которых сопровождается локальной пластической деформацией. Вязкохрупкое разрушение возникает в результате образования как хрупких трещин вследствие накопления критической плотности дислокаций, так и вязких трещин в результате выхода на поверхность дислокаций [58]. [c.137]

В последнее время интенсивно развиваются методы, основанные на идеях, заимствованных из статистической физики, которые позволяют учесть хаотичный характер расположения частиц. Начало использованию статистических методов в механике суспензий было положено Бюр-герсом [96]. Далее методы статистического осреднения были развиты в работах Тэма [113] и Бэтчелора [114-116]. На наш взгляд, наиболее законченную фюрму эти методы приобрели в работах Буевича с сотрудниками [ 96, 117-119] и Хинча [120]. Главная идея, лежащая в основе указанных методов, состоит в том, что законы сохранения и реологические соотношения, описывающие некоторое произвольное состояние системы частиц (конфигурацию расположения центров частиц), должны усредняться по ансамблю возможных состояний системы. Такой ансамбль полностью описьгаается функцией распределения P t, Сдг), которая представляет собой плотность вероятности конфигурации N частиц в ЗЖ-мерном фазовом пространстве, образованном компонентами радиус-векторов Р центров частиц jv = . При этом среднее значение локальной физической величины 0(t, r ), которая связана с точкой г дисперсной системы и определяется конфигурацией jV, дается выражением [c.69]

И сами линии являются изображением кристаллических плоскостей лишь в первом приближении. При интерпретации подобных картин необходима осторожность, так как отсутствие некоторых отражений в формировании изображения может привести к появлению ложных структур. Иллюстрацией к сказанному может служить следуюш,ий факт. В цитированной работе было отмечено, что правильная структура разрешаемой решетки местами была нарушена. В некоторых случаях дефекты имели наиболее простой вид создавалось впечатление, что наблюдается как бы дополнительная полуплоскость молекул, обрываюп аяся внутри кристалла (фото 44). Первоначально было предположено, что это можно интерпретировать как краевую дислокацию, проходящую через кристалл нормально к его плоской поверхности и характеризующуюся вектором Бюр-герса, перпендикулярным к разрешенным плоскостям. Однако впоследствии выяснилось, что положение здесь совсем не так просто. Детальное рассмотрение относительной ориентации молекул в смежных плоскостях (201) показало, что ввести дополнительную одиночную полуплоскость с указанной ориентацией в такую структуру невозможно [9, 10]. Хотя наблюдае- [c.191]

Наряду с точечными дефектами в макромолекулярных кристаллах могут существовать и линейные — дислокации, которые чаще всего возникают из-за наличия в кристалле лишней полуплоскости (краевые дислокации) или из-за смещения одной части кристалла относительно другой (винтовые дислокации) (рис. 1.9). Дислокации характеризуют вектором Бюр-герса . Винтовые дислокации с вектором Бюргерса, равным молекулярной складке, возникают при росте кристалла во время кристаллизации и легко могут быть обнаружены на ЭМ снимках реплик с кристаллов. Дислокации в макромолекулярных кристаллах, имеющие вектора Бюргерса, сравнимые с периодом идентичности, можно обнаружить уже только по нарушению периодичности муаровых картин, возникающих при прохождении электронного пучка через пару наложенных друг на друга кристаллических ламелей. [c.39]

Величину и нанравление вектораБюр-герса записываем через его компоненты по основным кристаллографическим осям. Принято записывать вектор Бюргерса в виде [c.322]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология