Муаровые картины

Возникновение двух основных типов муаровых картин схематически показано на рис. 47. Параллельные муаровые узоры (рис. 47, а) образуются при параллельном наложении двух [c.194]

Путем комбинации обоих основных типов можно получить большое число более сложных муаровых картин, однако здесь достаточно ограничиться простейшими случаями. При использовании простых решеток, показанных на рис. 47, муаровые полосы представляют собой их увеличенные и несколько видоизмененные изображения, в одном случае параллельные, а в [c.195]

Интересно отметить, что метод муара в принципе может быть применен для определения разрешающей способности микроскопа. Действительно, при условии достаточно высоко развитой техники препарирования (получение пленок без искажений кристаллической структуры, надежная их взаимная ориентация) можно получить набор муаровых картин с различными и наперед заданными расстояниями между полосами. [c.199]

Рис. 7.5. Схематическое изображение плоскостей кристалла с парой внутримолекулярных краевых дислокаций (а), которые изменяют угол рассогласования со второй совершенной ламелью (б), а также изображение результирующей муаровой картины (в).

Картины муара образуются при прохождении лучей через две совмещенные сетки (решетки). На рис. 121 схематически показано возникновение двух основных типов муаровых картин, полученных в результате параллельного наложения двух систем полос с разными периодами ( параллельная картина) (рис. 121, а), или наложения двух систем полос с одинаковыми периодами, но повернутых одна относительно другой на небольшой угол е ( вращательная картина) (рис. 121,6). Наличие дислокации в одной из наложенных решеток будет приводить к образованию дополнительной полуполосы на картине муара. Это можно продемонстрировать с помощью оптической аналогии как для вращательной, так и для параллельной картины муара (рис. 122, а и б). [c.377]

Р и с. 163. Муаровая картина с дислокацией, полученная наложением двух кристаллов полиэтилена. На фоне темного поля видна светлая полоса, соответствующая отражению [c.258]

Муаровые эффекты для полимерных кристаллов впервые наблюдали и дали им объяснение Агар, Франк и Келлер [51 ]. Эти же авторы впервые получили муаровые картины за счет дислокации полимерных кристаллов. Одна из полученных ими микрофотографий приведена на рис. 163. Внутри круга, отмеченного на рисунке, видна половина плоскости, которая оканчивается во внутренних частях кристалла. Прямая линия, проходящая через другие муаровые линии, подтверждает удивительную регулярность кристалла. [c.258]

Однако при электронно-микроскопических исследованиях муаровых картин кристаллов полимеров вновь возникают трудности, обусловленные влиянием облучения на полимерные образцы. На рис. 164 показано изменение муаровой картины для кристалла полиоксиметилена в зависимости от продолжительности облучения. Полное исчезновение муаровой картины служит доказательством разрушения кристаллической решетки. [c.258]

Р и с. 164. Муаровая картина кристалла полиоксиметилена, показывающая наличие дефектности. При облучении электронами эта картина исчезает. Продолжительности облучения, соответствующие снимкам а, б и в, относятся как 1 2 4 (Фишер). [c.259]

Следовательно, по муаровой картине исследуемого кристалла можно определить величину и характер деформации одного из кристаллов, т. е. указать, претерпела ли решетка поворот, или объемные изменения, или имеет место смешанная деформация. [c.188]

Отсутствие искажений муаровых картин на электронно-микроскопических снимках свидетельствует о высокой степени совершенства кристаллической структуры в результате термического рафинирования. Повышение степени трехмерного упорядочения и текстурированности графитовых чешуек способст вует понижению номера ступени МСС [6-147]. [c.367]

Увеличение времени вибропомола приводит к агрегированию частичек, что затрудняет дальнейшее диспергирование. Муаровые картины на электронно-микроскопических снимках виброиз-мельченных чешуек отсутствуют. По-видимому, это можно объ- [c.368]

Осаждение порошка в местах возникновения на новерхности проверяемой детали электростатических зарядов. При контроле суспензий на основе керосина или масла деталей, имеющих неэлектропроводное покрытие, могут возникать электрические заряды, которые вызывают осаждение порошка в виде муаровой картины (рис. 5.34, 4). Такой индикаторный рисунок образуется при контроле лопаток с полиамидно-эпоксидным покрытием. После удаления этого осаждения ветошью или кистью муаровая картина остается, но рисунок изменяется. Для устранения этого эффекта необходимо в маслокеросиновую суспензию внести нитрованное масло Акор-1 в количестве 10. .. 12 мл на литр суспензии. [c.391]

Рис. 47. Схематическое изображение возникновения двух основных типов муаровых картин, по-пученных в результате. а — параллельного наложения двух систем черных полос с разными периодами б — наложения двух систем черных полос с одинаковыми периодами и. отклондаш одной из них на угол е.

Таким образом, метод муара позволяет разрешить кристаллические решетки с межплоскостными расстояниями в 1—2 А и обнаружить в них дефекты структуры. Есть основания полагать, что метод будет эффективен для изучения тонкого механизма пластической деформации кристаллов, осуш ествляемой в микроскопе, образования сплавов, явлений упорядочивания и разупорядочивания, роста ориентированных слоев, в частности окисных пленок на металлах. Вместе с тем следует подчеркнуть, что интерпретация различных деталей в муаровых картинах — задача очень сложная, которая еш е далека от сколько-нибудь полного решения. Здесь необходима осторожность в еш,е большей степени, чем при непосредственном наблюдении кристаллических решеток. Теоретическое рассмотрение показывает [45—47], что в обоих случаях изображение возникает благодаря интерференции между лучами, дифрагированными в кристаллической решетке. Большинство деталей изображения может быть интерпретировано при помощи кинематической теории, которая дает только геометрическое описание дифракционной Картины. Но для полного понимания проблемы необходимо привлекать динамическую теорию и рассматривать взаимодействие между дифрагированными волнами внутри кристалла, что приводит к изменению распределения электронной интенсивности в плоскости изображения. Кроме того, формирование конечной картины зависит от степени совершенства осветительной системы, аберраций объективной линзы и характера объекта. [c.199]

Наряду с точечными дефектами в макромолекулярных кристаллах могут существовать и линейные — дислокации, которые чаще всего возникают из-за наличия в кристалле лишней полуплоскости (краевые дислокации) или из-за смещения одной части кристалла относительно другой (винтовые дислокации) (рис. 1.9). Дислокации характеризуют вектором Бюр-герса . Винтовые дислокации с вектором Бюргерса, равным молекулярной складке, возникают при росте кристалла во время кристаллизации и легко могут быть обнаружены на ЭМ снимках реплик с кристаллов. Дислокации в макромолекулярных кристаллах, имеющие вектора Бюргерса, сравнимые с периодом идентичности, можно обнаружить уже только по нарушению периодичности муаровых картин, возникающих при прохождении электронного пучка через пару наложенных друг на друга кристаллических ламелей. [c.39]

Дислокации в полимерных кристаллах, вектор Бюргерса которых равен постоянной решетки, видны обычно в муаровых картинах наложенных друг на друга складчатых ламелей (Agar, см. [4, гл. 2] Fis her, см. [13, гл. 4]). Изучение таких картин в монокристаллах ПЭ показало, что дислокации распределены по каждому домену хаотично — без преимущественного расположения на границе между доменами. [c.169]

На рис. 54 показано результирующее изменение в геометрическом распололсении. Дислокация заметно уширяется и становится поэтому контрастной. В крайнем случае, когда внедренные слои однородно распределены по плоскости скольжения, группа параллельных дислокаций будет давать муаровую картину. [c.73]

Величина Ь совпадает или близка с периодом (точнее, трансляцией) решетки, поэтрму, чтобы увидеть муаровую картину, надо использовать высокие порядки отражения (меньшие di). Анализ муаровой картины в [c.536]

Первые экспериментальные наблюдения муаровых картин показали, что они содержат большое число искажений, многие из которых могут интерпретироваться в терминах дислокаций. Гео-зметрия возникновения дислокационных полулиний , проиллюстрированная выше с помошью оптической аналогии, изучена Ментером с сотрудниками [72]. Не останавливаясь подробно на этом вопросе, укажем лишь некоторые условия появления в картинах муара дополнительных полулиний. [c.383]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология