Дислокации плотность

СКИХ деформаций сдвига. Это вызовет при охлаждении кристал- лов образование структурных дефектов — дислокаций, плотность которых только по этой причине может достигнуть весьма больших значений (до 10 м" ). Структурные дефекты, как известно, ухудшают свойства кристаллов, поэтому при выращивании монокристаллов предпринимают различные меры, чтобы поверхность раздела кристалл — расплав имела плоскую форму. Сохранение плоского фронта кристаллизации важно также для равномерного распределения примесей в поперечном сечении монокристалла. Чтобы избежать этих недостатков и создать достаточно однородное распределение температуры в расплаве и кристалле, последний в процессе роста вращают со скоростью до 50 об/мин, а тигель вращают в обратном направлении со скоростью до 30 об/мип. [c.59]

Важный вид несовершенств в кристалле — линейные дефекты, или дислокации. Плотность дислокаций зависит от условий образования кристалла. Для металлов число дислокаций, проходящих через единицу площади, не менее 10 см для германия, кремния гь 10 см- , а при особых условиях их удается снизить до 10 см-2. 3 отличие от точечных дефектов, дислокации не являются статистически равновесными образованиями в равновесном кристалле они должны отсутствовать, поскольку образование их связано с очень значительным возрастанием энергии, а энтропийный выигрыш при этом невелик. Однако в процессе кристаллизации дислокации всегда возникают. Механические напряжения вызывают движение дислокаций, причем этот процесс сопровождается появлением в кристалле точечных дефектов. [c.193]

Трехмерная плотность дислокаций, т. е. общая длина дислокаций в единице объема, равна pv — Ър/d. В результате относительное изменение объема благодаря внесенным зернограничным дислокациям плотности р равно [c.106]

Для включений первого рода характерно то, что они захватываются кристаллом в различные периоды роста как вблизи затравки, так и вдали от нее. На этих включениях часто образуются пучки ростовых дислокаций (рис. 19, а). Однако примерно так же часто можно наблюдать на рентгеновских топограммах, как захват подобных включений не сопровождается образованием дислокаций. Выпадение тонкодисперсных включений на поверхности затравки обычно сопровождается массовым зарождением ростовых дислокаций, плотность которых составляет до 10 см- , а в отдельных случаях превосходит таковую. Кристаллы (или участки кристаллов) с такой плотностью дислокаций имеют резко неоднородное свилеватое строение. Таким образом, мелкодисперсные включения являются одним из наиболее опасных дефектов синтетического оптического кварца. Приуроченность упомянутой фазы к поверхности затравок свидетельствует о том, что ее выделение происходит в начальный период процесса, вероятно, при вводе автоклава в режим. Отмечались случаи выпадения включений, порождающих дислокации в средней части наросшего слоя. После высокотемпературного отжига образца зона, от которой начинаются дислокации, помутнела. Образование примесной зоны в данном случае было связано с запрограммированным срывом режима выращивания (температура в течение нескольких часов упала на 150°С) однако дислокации зародились лишь в местах врастания макрочастиц, а не на всей плоскости, адсорбировавшей тяже-96 [c.96]

Такое положение, по-видимому, является следствием сочетания влияния закалочных и деформационных вакансий на процессы упорядочения. При низких температурах отпуска упорядочение протекает более интенсивно в деформированных образцах, так как в этом случае носителями процесса являются как закалочные, так и деформационные вакансии. При более высоких температурах отпуска в результате возрастания подвижности вакансий и их аннигиляции на стоках — дислокациях, плотность которых, естественно, больше в деформирован- в /мм ных образцах, интенсивность упорядочения в последних уменьшается. Подобное влияние вакансий на процессы перемещения атомов наблюдалось рядом исследователей на стареющих сплавах [16]. [c.46]

Дислокации могут возникать не только при деформации сдвига, но и, например, вследствие образования различных дефектов во время роста кристалла. Сгибая кристалл, в него за счет деформации сдвига можно ввести известное число краевых дислокаций. Используя известные значения постоянных решетки и радиуса кривизны сгиба, с помощью простых геометрических соотношений можно определить число таких дислокаций. Плотность краевых дислокаций обычно измеряется числом дислокационных линий, проходящих через единицу поверхности в кристалле в обычных кристаллах содержится 10 сж (и больше) дислокаций. Другой способ выра- [c.63]

В заключение следует отметить, что на металлах-основах, используемых для нанесения покрытий в гальванотехнике, имеется значительное число дефектов кристаллической решетки границы зерен, дислокации, плотность которых достигает 10" —10 на 1 м на поверхности технических металлов имеются чужеродные атомы, вакансии, неметаллические примеси и т. д. Все это оказывает существенное влияние на распределение зародышей на поверхности и, возможно, на их число по сравнению с монокристаллическими электродами. Однако и в этом случае снижение концентрации электролита, повышение плотности тока и введение поверх-ностно-активных органических веществ, как правило, вызывают увеличение числа зародышей и соответствующее измельчение структуры осадка. [c.32]

Реакции в области дислокаций, подобные рассмотренной, протекают, видимо, и в других случаях при распаде твердых растворов активатора и компенсирующей примеси в основании люминофора. Такие реакции обладают рядом особенностей. В частности их связь с дислокациями приводит к сложной зависимости кинетики процесса от концентраций участвующих в нем примесей. Причина этого заключается в том, что скорость реакции определяется концентрациями, не усредненными по всему объему кристаллов, а отнесенными к объему полей дислокаций. Плотность же дислокаций растет с увеличением средней объемной концентрации примесей, так что содержание последних в зоне реакции может даже уменьшиться. [c.175]

Путем графитации при вытягивании (степень вытягивания 30%, температура выше 2000 °С) удается повысить прочность и модуль Юнга волокна (см. гл. 3). Ориентационное вытягивание снижает дефекты кристаллитов, уменьшает дислокацию плотности, способствует ориентации пор и кристаллитов. Благодаря этим структурным преобразованиям возрастают прочность и модуль Юнга графитированного волокна. [c.35]

Деформации сдвига, обусловленные температурными градиентами в кристалле во время и после роста, приводят к образованию дислокаций. Плотность дислокаций зависит от степени неоднородности распределения температуры в кристалле и при неблагоприятных условиях может быть увеличена на несколько порядков. [c.298]

Согласно наблюдениям [12], скорость упорядочения сильно зависит от химической предыстории феррита лития и его нестехиометрии по кислороду. Так, например, в зависимости от характера окиси железа, использованной при синтезе феррита лития, степень упорядочения образцов, которые закаливают с высокой температуры (800—1200°С), изменяется в широких пределах. Для феррита лития, при синтезе которого была использована окись железа, полученная разложением соли Мора, це удавалось сохранить разупо-рядоченное состояние даже при закалке в жидком азоте (во всех случаях т]>0,8). Для образцов феррита лития, полученного с использованием оксалатной окиси железа, в тех же условиях закалки были достигнуты значения т] 0,4. Различие в скорости упорядочения свидетельствует об активном влиянии дислокаций, плотность которых обусловлена химической предысторией материала 13, 14]. Влияние кислородной нестехиометрии феррита лития на скорость упорядочения иллюстрируется данными работы [12], показывающими, что для образцов состава Lio.s-e Рв2,5 04 у,1 и Lio,s-eFe2,5 04-Vj скорости начальной стадии процесса заметно отличаются. У образца Lio,5-6Fe2,s03,97 (доминирующие дефекты решетки — внедренные катионы) зародыши упорядоченной фазы [c.163]

Согласно КРР для кристаллического Ое и образцов, полученных катодным распылением или электролизом ОеСи, также наблюдается сходство первого и второго максимумов (Г1=246, гг=400 4 пм). По модели непрерывной неупорядоченной трехмерной сетки, включающей до 519 атомов 51, существуют структуры из 5- и 6-членных колец в соотношении 1 4 [66]. Эта модель хорошо согласуется и с КРР. Плотность аморфного Ое составляет 97 2% от плотности кристаллического германия. По экспериментальной КРР для аморфного Ое характерна беспорядочная сетка из 5-, 6- и 7-членных колец, взятых в соотношении 4 9 10. По указанным моделям допускается существование изолированных оборванных химических связей и разно образие структурных конфигураций изолированных центров, имеющих неспаренные электроны. Нарушения дальнего порядка в структуре германия обусловлены наличием винтовых дислокаций плотностью 10/нм . [c.213]

В соответствии с теорией дислокаций хрупкие трещины в металле возникают в тех областях металла, где плотность задер-женных дислокаций достигает критической величины [58], т. е. величина энергии упругой деформации решетки в этом объеме в результате скопления и взаимодействия их достигает предельной для данной решетки величины. Когда движущаяся трещина проходит вблизи скоплений с критической (или близкой к критической) плотностью дислокаций, ее распространение облегчается вследствие того, что упругая энергия (И7ц), запасенная в области, прилегающей к вершине распространяющейся трещины, переходит непосредственно в работу разрушения. Если движущаяся трещина встречается со скоплением дислокаций, плотность которых меньше критической, то распространение трещины по хрупкому типу затрудняется, так как упругая энергия, запасенная у вершины, переходит не в работу хрупкого разрушения, характеризующуюся малой величиной, а в работу пластической деформации, значительно превышающую работу хрупкого разрушения. [c.137]

Другой интересный метод получения кристаллов с заданной дислокационной структурой описан в [185]. Используя вытягивание на две наклонные под определенным углом друг к другу, ориентированные в направлении [1001 затравки, автор выращивал бикристаллы Ge, содержащие вдоль всей длины плоскостную границу, состоящую из параллельных рядов краевых дислокаций. Плотность дислокаций в границе задавалась углом наклона затравок. [c.105]

Достижения науки о коррозии и технология защиты от нее. Коррозионное растрескивание металлов (1985) -- [ c.36 ]

Физическая химия силикатов и других тугоплавких соединений (1988) -- [ c.92 ]

Физико-химическая кристаллография (1972) -- [ c.225 , c.454 ]

Химия несовершенных ионных кристаллов (1975) -- [ c.101 ]

Химия несовершенных кристаллов (1969) -- [ c.570 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология