Плотность дислокаций диффузионного

Плотность дислокаций, см . . Диффузионная длина, мм. . . . [c.205]

В опытах, где было применено приближение Харта, два кристалла с существенно отличающейся плотностью дислокаций отжигались в идентичных условиях. Разность эффективных коэффициентов диффузии в этих кристаллах (О ) была поставлена во взаимосвязь с отличием в плотности дислокаций и, таким образом, найдена диффузионная проницаемость отдельной дислокации [c.102]

Эксперименты, осуществляемые в условиях приближения Смолуховского, на основании которых оценивалась лишь диффузионная проницаемость краевых дислокаций, проводились на предварительно отожженных монокристаллах с одинаковой плотностью дислокаций (р 2-105 см ). Необходимо указать, что исследуемые образцы имели кроме краевых и винтовые дислокации. Это обстоятельство, однако, не порочит полученные результаты, так как по всей исследуемой области температур диффузионная проницаемость краевых дислокаций существенно превосходит проницаемость винтовых дислокаций. [c.102]

Например, в существующих технических условиях на различные марки германия для полупроводниковых приборов имеются только две основные физические величины — омическое сопротивление монокристалличе-ского слитка и длина диффузионного пробега неосновных носителей тока для небольшого числа марок недавно добавлена плотность дислокаций на 1 см , показывающая степень несовершенства кристаллической решетки монокристаллов. [c.14]

Это приводит к нескольким следствиям. Во-первых, при низких температурах, когда эта реакция протекает медленно, она будет определять скорость образования новой фазы, вследствие чего скорость процесса не будет зависеть от длины диффузионного пути и, таким образом, от плотности дислокаций такое явление действительно наблюдалось Твитом [24] (рис. ХХ.1, крутой наклон). [c.571]

В предыдущем разделе мы считали, что плотность дислокаций достаточно мала и дислокации можно считать изолированными, так что общий вклад я дислокаций можно получить, попросту умножая вклад одиночной дислокации на я. Рассмотрим теперь набор параллельных дислокаций, в котором расстояния между дислокациями невелики и диффузионные поля отдельных дислокаций перекрываются. [c.165]

Значения диффузионной длины неосновных носителей тока оказались на 10- -15% ниже, чем для монокристаллов, выращенных по Чохральскому. В какой-то мере объяснение этого следует искать в более низком совершенстве структуры плоских монокристаллов, в которых плотность дислокаций составляет 2х х10 +-5 10 см 2 и имеются скопления малоугловых границ (рис. 55). [c.158]

Применение механотермической обработки (МТО), которая Заключалась в предварительной пластической деформации заготовок образцов растяжением на 20 % и последующего старения, дало возможность увеличить предел выносливости стали с 270 до 350 МПа (см. рис. 26) максимальный условный предел коррозионной выносливости при этом достигает 320 МПа. Применение механотермической обработки нержавеющих аустенитных сталей обусловливает увеличение плотности и равномерности распределения в них дислокаций и их полигонизацию. Повышение сопротивления усталостному и коррозионно-усталостному разрушению стали после МТО объясняется затруднением движения полигонизованных дислокаций, а также затормаживанием диффузионных процессов. Резкое снижение упрочняющего эффекта при нагреве стали до 800°С происходит из-за интенсивных рекристаллизационных процессов выделения и коагуляции вторичных фаз. [c.64]

ТЕРМОХИМИКОМЕХАНЙЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА металлов — обработка, заключающаяся в нагреве и выдержке металла (сплава) в химически активной среде, совмещенных с упруго-пластическим деформированием. При Т. о. легирующие жате-рмалн диффундируют (см. Диффузия) в поверхностные слои изделий значительно скорее, чем в процессе обычной химико-термической обработки. Интенсификация диффузионных процессов при пластическом деформировании вызывается увеличением общей протяженности границ верен, развитием сетки пачек скольжения, повышением плотности дислокаций и увеличением концентрации неравновесных вакансий. Ускорение диффузии по границам зерен и пачкам скольжения, т. е. в местах сохранения энергии остаточных упругих напряжений, обусловливается неоднородным напряженным состоянием нри этом атомы с большим радиусом стремятся переместиться в растянутые области, а атомы с меньшим радиусом — в сжатые. Ускорение диффузии прп иовышепной плотности дислокаций [c.550]

Мы используем термин субграница для границ между двумя частями одного и того же кристалла, отличающихся лишь слегка по ориентировке. Если эти две решетки совершенны, то, очевидно, будет иметь место эффект двухмерного нониуса или муарового шелка у поверхности их встречи. Вокруг определенных точек в обширном регулярном узоре атомные положения отвечают почти точно непрерывному переходу решетки от одной части к другой вдоль определенных линий между этими точками узоры совершенно не совпадают друг с другом. Так как межатомные силы, несомненно, стремятся сохранять регулярный узор решетки, эта конфигурация, которая могла бы существовать только в отсутствие сил, действующих на границе, будет преобразована в результате малых атомных смещений таким образом, что области с почти совершенным схождением решеток увеличатся в размерах, а ширина областей несхождения, где плотность энергии сравнительно велика, сократится. Дальнейшее уменьшение энергии могло бы происходить в результате поворота обеих решеток до полной параллельности, но этому могут воспрепятствовать натяжения на других поверхностях этих двух частей кристалла кроме того, если ось относительного поворота не является нормальной к поверхности их встречи, то поворот включает диффузионный перенос атомов на значительные расстояния и будет медленным. Узкие полосы не-схождепия решеток являются дислокациями, как это можно пока к-)ть. используя данное выше определение вектора Бургерса. Это приближение приводит к той же картине, как альтернативное, которое рассматривает квазиравновесные системы дислокаций, стянутых в поверхностные сетки в результате их упругих взаимодействий. Можно дать точное выражение для поверхностной плотности дислокаций на субгранице (определенной надлежащим путем) в терминах угла относительного поворота двух решеток и направления оси поворота [16]. Достаточно сказать здесь, что дислокации мощности Ь при расстоянии с1 между ними вызывают относительный поворот 6 порядка Ь/с1 радиан и что ось поворота, лежащая параллельно граничной поверхности, приводит к параллельным сеткам краевых дислокаций, тогда как компоненты вращения около оси, [c.24]

При получении образцов с существенно различной плотностью дислокаций, необходимых для проведения экспериментов, осуществляемых в условиях, соответствующих приближению Харта, монокристаллы подвергались соответствующей деформации. Изучалась как диффузия вдоль краевых дислокаци й, так и диффузионная проницаемость винтовых дислокаций. В специальной серии опытов была найдена та предельная температура, до которой созданная деформацией дислокационная структура остается практически неизменной. Эта температура оказалась равной для большинства изучаемых щелочно-галоидных кристаллов и близкой к 550° С. [c.102]

Деформация при ползучести осуществляется как сд1 говым механизмом, т. е. путем движения дислокаций, та диффузионным в основном посредством диффузии вак сий. С повышением температуры влияние препятствий движение дислокаций уменьшается, снимается упрочнен созданное предварительной деформацией или термичес обработкой, плотность дислокаций снижается вследствие рекомбинации при переползании и поглощения мигрир щимн границами зерен. Большое значение имеет прн вы ких температурах зернограничная ползучесть. [c.296]

Вблизи атомов растворенного вещества в результате различия объемов атомов этого вещества и растворителя или различия электронной плотности возникают значительные области повышенной подвижности растворителя. На диффузионную подвижность особенно влияю р наследственные дефекты и, следовательно, структура металла. Границы зерен, трубки дислокаций являются путями повышенной подвижности. Таким образом, металл пронизан подобными путями. Существенно, что границы зерен соединены друг с другом и образуют в металле как бы сеть путей повышенной подвижности. Энергии активации диффузии по таким путям, естественно, заметно меньше, чем в объеме зерна. Однако в предэкспоиенциаль-ный фактор Оо входит лишь определенная доля сечения этих путей от всего сечения металла. Поэтому и Е, и Оо в областях повышенной подвижности меньше. Так как в этих областях Е имеет меньшую величину, то вклад в общий поток диффузии по ускоренным путям будет более значительным при низких температурах, когда скорость диффузии в середине зерна мала. Вследствие этого при достаточно высоких температурах суммарный процесс диффузии определяется диффузией по объему зерен, а при низких — по границам зерен. Это проявляется на температурной зависимости коэффициента диффузии. При больших значениях 1/Т (область низких температур) угол наклона прямой линии в координатах [c.204]

Механизмы размножения Д. (увели чения их суммарной длины в единице объема) основаны на прогибании под действием внешней силы линий Д., закрепленных на своих концах ка-кими-либо препятствиями. Таким удлинением является, напр., переход отрезка дислокации EFG, закрепленного в точках и G, в положение EF G. Притягивающиеся Д. с противоположными векторами Бюргерса, лежащие в одной плоскости скольжения, при сближении аннигилируют (рис., е). Разноименные Д. в различных плоскостях скольжения аннигилируют переползанием. Вследствие этого при высокотемпературном отжиге кристалла, способ ствующем диффузии и переползанию, плотность Д. уменьшается. Распределение Д. в деформированных кристаллах обычно неравномерно. При малой степени деформации (до 10%) они часто располагаются вдоль отдельных плоскостей скольжения, к-рые на поверхности кристалла выявляются методом избирательного травления в виде линий и полос скольжения. С увеличением степени деформации часто возникает ячеис-тая структура, выявляемая электронным микроскопом и по рассеянию рентгеновских лучей. Границы ячеек состоят из густо расположенных Д., размер ячеек обычно около 1 мкм. При размножении Д. средние расстояния между нимисокращаются, их поля напряжений перекрываются и скольжение затрудняется. Чтобы оно могло продолжаться, приложенное внешнее напряжение увеличивают (см. Деформационное упрочнение). Упрочнение кристаллов достигается также введением различных препятствий для движения Д. примесных атомов (в виде легирующих добавок), частиц второй фазы (возникающих в процессе термической обработки диффузионным путем или при бездиффузионных фазовых превращениях), двойников, радиа- [c.368]

Отсюда следует, что при фиксированном значении R Rq = = onst) скорость крипа прямо пропорциональна растягивающему усилию. Но в действительности как R , так и плотность источников дислокаций (параметр L) могут существенно зависеть от а. И тогда даже в предположении чисто диффузионного механизма стационарного течения кристалла скорость пластической деформации оказывается более сложной функцией напряжения. [c.324]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология