Плотность потока дислокаций

Из этого равенства очевидно, что интеграл в его правой части определяет величину вектора Бюргерса, протекающего в единицу времени через контур L, т. е. уносимого дислокациями, пересекающими линию L. Поэтому естественно называть /г тензором плотности потока дислокаций, а уравнение (17.3) — уравнением непрерывности потока дислокаций. [c.270]

Мы воспользовались обозначениями типа (16.10) и (16,11) для дисторсии h и плотности дислокаций а, а также ввели скалярную скорость смещения среды v и вектор плотности потока дислокаций j. Векторы а и j связаны законами сохранения [c.273]

Поскольку JV представляет собой объем тела, растворяющийся с единицы поверхности за единицу времени, а коэффициент а = 1/и где V — активационный объем дислокаций при пла-. стическом течении, по существу численно может быть охарактеризован как максимально возможная динамическая плотность дислокаций (т. е. плотность их в момент течения), то выражение (211) формально можно интерпретировать следующим образом. Дополнительный поток дислокаций при хемомеханическом эффекте образуется в результате насыщения дислокациями поверхностного слоя до максимально возможной динамической плотности, а затем стравливания этого слоя со скоростью химического растворения. Насыщение дислокациями растворяющегося слоя возможно ввиду несравнимых величин скоростей размножения и движения дислокаций, с одной стороны, и растворения тела с другой стороны. Так, при обычных значениях скоростей коррозии стравливание одного моноатомного слоя занимает секунды и более секунды, а дислокационные процессы совершаются с околозвуковыми скоростями. Образование поверхностных источников дислокаций в процессе реализации хемомеханического эффекта приводит к быстрому насыщению поверхностного слоя дислокациями, что создает условия для множественного скольжения (в том числе поперечного скольжения дислокаций) и, следовательно, для разрушения ранее сформировавшихся плоских скоплений, т. е. для релаксации микронапряжений и разупрочнения. [c.126]

Для идентификации механизма излучения необходимо определить применимость соотношений (8.1)-(8.3) для описания всей экспериментальной информации. Анализ этих соотношений показьшает, что при фиксированном положении точки наблюдения полярность сигнала определяется знаком произведения ЬК. В соотношениях можно выделить сомножитель, ответственный за пространственное распределение излучения. И наконец, временной характер изменения АЭ интегральным образом зависит от изменения во времени плотности потока и скоростей дислокаций, выходящих на поверхность. [c.212]

Параметры динамики дефектов, а именно дисторсии скорости плотности дислокаций поток дислокаций [c.59]

Основные недостатки существующих схем с плавающими экранами состоят в том, что экраны располагаются на значительном расстоянии от поверхности кристалла и имеют низкий уровень температуры. Первый из них легко может быть устранен путем изменения конструктивных размеров. Устранение второго недостатка — задача более слол ная, так как повысить температуру только за счет потоков теплоты от расплава до значений, близких к температуре кристаллизации материала, практически невозможно. Введение в рабочий объем печи среды аргона оказалось более эффективным средством улучшения качества монокристаллов. По и в этом случае слитки имели значительную плотность дислокаций. Схема экранирования кристаллов в верхней его части с помощью цилиндрического нагревателя в какой-то мере устраняет недостатки плавающих экранов. Однако и она имеет значительный дефект, так как область кристалла, в которой располагается фронт кристаллизации, оказывается неэкранированной. [c.226]

Теперь легко показать, что так называемая обратная задача является корректно поставленной. Эта обратная задача формулируется так определить матрицу 1-форм дисторсий и скоростей В при заданной плотности дислокаций и матрицу потоков 2-форм О, удовлетворяющую уравнению непрерывности с10 = 0. [c.44]

Вторая аналогия может быть проведена между процессом стационарной диффузии и распределением плотности постоянного электрического тока в проводящей среде. В самом деле, уравнения (2.53) — (2.56) аналогичны закону Ома при замене х (удельной электропроводности среды) яа В ж разности потенциалов на разность концентраций. Более того, тождественное совпадение условий скачков потоков (вещества, электростатической индукции или тока на границах раздела сред с различными В, е и и) позволяет распространить на законы диффузии правила сложения сопротивлений и емкостей для последовательного соединения проводников и конденсаторов. Для описания диффузии в различных средах при параллельных соединениях используются законы сложения электрических проводимостей и емкостей при параллельном соединении (например, параллельная диффузия по порам и гранулам или по граням и дислокациям кристаллов и т. д.). [c.92]

Проанализируем формулу (2). При относительной малости величины против Кду в недеформированном металле суммарный объем содержащихся в металле газов при нормальной температуре и давлении соизмерим с объемом собственно металла и количество растворенного газа достаточно для заполнения всех межатомных пустот - дислокаций (10 - 10 ° на см ), вакансий и поровых объемов включений. В процессе пластической деформации металла вакансионные и дислокационные потоки накачивают поровый объем включений газом, повышая его плотность пропорционально приложенной деформационной нагрузке. Таким образом, слагаемое Уд/Ед, учитывая близость к нулю Ед, для пустот данных включений становится определяющим в суммарной величине накопленной упругой энергии деформации металла. [c.23]

На основе определения тензора плотности потока дислокаций и системы уравнений (17.5) может быть развита динамика дислокаций в упругой среде Косевич А. М., 1962 Мура, 1963). [c.271]

Связь плотности потока дислокаций со скоростью пластической деформации, т. е. соотношения, равноценные (18.2) или (18.3), были указаны Кренером и Ридером (1956). [c.286]

Снижение микротвердости, определенное по увеличению размера отпечатка накола поверхности армко-жёлеза под тонким слоем электролита в условиях анодной поляризации внешним током, оказалось пропорциональным логарифму плотности анодного тока, что соответствует теоретической линейной зависимости отрицательного упрочнения от перенапряжения анодной реакции растворения металла в стационарном состоянии с нулевым значением потока дислокаций — см. ниже формулу (217). [c.128]

Синтетические аметисты характеризуются повышенной плотностью ростовых дислокаций (р 10 см ) по сравнению с кристаллами, выращенными из растворов карбоната и гидроокиси натрия, а также интенсивными дофинейскими двойникованиями. Массовое зарождение дислокаций стимулируется выпаданием на поверхность затравки в начальный период роста твердых включений, чаще всего гидроксидов железа, переносимых конвекционными потоками раствора в камеру кристаллизации из шихтовой смеси. Поскольку синтез аметиста осуществляется нз сильно пересыщенных растворов (при температурных перепадах до 20 °С) на сравнительно медленно растущие затравочные пластины, в системе, особенно в длительных (свыше 40—50 сут) циклах кристаллизации, зарождаются спонтанно и переносятся на ростовые поверхности микроскопические кристаллы кварца. Часть из них, закономерно прирастая к деловым кристаллам, дает начало двойниковым вросткам, которые клинообразно, в виде тригональных пирамид, обращенных вершинами к затравке, разрастаются тангенциально по мере продвижения фронта роста г-грани. Дофинейское и бразильское двойникование пирамид и проявляется интенсивно при увеличении температуры кристаллизации независимо от наличия примесных фаз в кристаллизационной среде. В природных кристаллах аметиста двойники также пользуются большим распространением, и присутствие их в синтетических аметистах не только не снижает качество кристаллосырья, но и, наоборот, приближает его по морфологическим признакам к натуральным камням. [c.185]

В основе физики дефектов. Как уже было показано, 2-формы плотности и потока дислокаций Л (1Т записываются через картаново кручение, ассоциированное с [c.66]

Вблизи атомов растворенного вещества в результате различия объемов атомов этого вещества и растворителя или различия электронной плотности возникают значительные области повышенной подвижности растворителя. На диффузионную подвижность особенно влияю р наследственные дефекты и, следовательно, структура металла. Границы зерен, трубки дислокаций являются путями повышенной подвижности. Таким образом, металл пронизан подобными путями. Существенно, что границы зерен соединены друг с другом и образуют в металле как бы сеть путей повышенной подвижности. Энергии активации диффузии по таким путям, естественно, заметно меньше, чем в объеме зерна. Однако в предэкспоиенциаль-ный фактор Оо входит лишь определенная доля сечения этих путей от всего сечения металла. Поэтому и Е, и Оо в областях повышенной подвижности меньше. Так как в этих областях Е имеет меньшую величину, то вклад в общий поток диффузии по ускоренным путям будет более значительным при низких температурах, когда скорость диффузии в середине зерна мала. Вследствие этого при достаточно высоких температурах суммарный процесс диффузии определяется диффузией по объему зерен, а при низких — по границам зерен. Это проявляется на температурной зависимости коэффициента диффузии. При больших значениях 1/Т (область низких температур) угол наклона прямой линии в координатах [c.204]

Комплексы дефектов в виде объемных образований устойчивы лишь в том случае, если они невелики или дополнительно стабилизированы (газововакансионпые комплексы, газонаполненные поры). С увеличением размеров они стремятся захлопнуться, сплющиваясь в плоскости одного из наиболее плотноупакованных атомных слоев кристаллической решетки. Образующиеся при этом дислокационные петли отличаются от дислокаций обычного типа тем, что они являются сидячими и не способны к свободному перемещению путем скольжения. Как было показано в работе [60], после облучения экструдированного бериллия при 350 °С интегральным потоком 2-10 нейтр/см образуются петли дислокаций диаметром 200—500 А и плотностью 1,2-10 см 1 [c.29]

Стремление выращивать монокристаллы с малой плотностью дислокаций, или вообще бездислокацион-ные, способствовало к появлению большого числа приемов, направленных на достижение этих целей. Идея этих приемов главным образом сводится к снижению тепловых потоков с поверхности кристалла, уменьшению радиальных градиентов температуры, т. е. формированию плоского фронта кристаллизации. Такое направлепие не случайно. Большинство работ, посвященных вопросу выращивания монокристаллов с малой плотностью дислокаций [75—77], указывают именно на необходимость создания условий, обеспечивающих плоский фронт кристаллизации. [c.218]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология