Толанский

Во многих из цитированных выше работ при уменьшении расстояния Н до 500—800 А отмечались отклонения от закона Р (Н) для полностью запаздывающих сил. Они могли быть связаны как с неполным проявлением запаздывания, так и с влиянием поверхностных неровностей. Величина неровностей полированных поверхностей составляет обычно 50—100 А. Ясно, что для продвижения в область малых толщин прослоек необходимо было использовать более гладкие поверхности. Впервые это удалось сделать Тейбору и Уинтертону [81, 82], модифицировавшим известный метод скрещенных нитей [22, 83]. Силы молекулярного притяжения Р измерялись между скрещенными под углом 90° стеклянными цилиндрами (Ло — 1 см), покрытыми снаружи тонкими (несколько микрометров) листочками слюды (мусковита). Расстояние Н между молекулярногладкими поверхностями слюды измерялось (с точностью около 3 А) методом многолучевой интерференции по Толанскому. При этом использован вариант метода с применением белого света и наблюдением полос одинакового цвета (одинаковой длины волны) с помощью светофильтров. Для получения многократной интерференции тыльные стороны листочков слюды были покрыты полупрозрачными слоями серебра. [c.99]

Отсюда следует, что изменение давления воздуха на 1 атм эквивалентно изменению osp на 2,93-10 . Таким образом, при начальном угле р = О изменение давления воздуха на 1 10 хЬОатм соответствует наклону лучей на угол 1° 24 4° 23 и 13° 54. Следовательно, небольшие наклоны эталона эквивалентны большим перепадам давлений. В этом одно из достоинств метода наклона. Однако из-за изменения скачка фазы при отражении от металлических зеркал эталона интерференционные кольца при увеличении наклона сначала расширяются, а затем и раздваиваются. С. Толанский нашел, что при серебряных зеркалах в видимой области спектра наклон в 5° вызывает уширение интерференционного кольца на 10%. Следует заметить также, что при больших углах наклона уменьшается число интерферирующих лучей и падает разрешающая сила эталона. [c.320]

Значительный успех в повышении точности измерений был достигнут после замены одного луча несколькими. Соответствующий метод был разработан Толанским. Согласно этому методу, на изучаемую поверхность наносят тонкую пленку серебра (- 500 А толщиной). Используемый для получения пленки молекулярный пучок получают испарением в вакууме, поскольку при этих условиях контуры исследуемой поверхности надежно воспроизводятся в пределах ощибок измерений, т. е. 30 А. Оптическая поверхность (обычно из кварца) может быть изготовлена с точностью +л/20 по всей поверхности. [c.153]

Проведено рентгенографическое изучение алмаза, нагревавшегося до 3000° С при давлении 100 000 атм вместе с пироповым концентратом Обнаружена частичная графитизация алмаза. Образовавшийся графит состоял из смеси а- и -форм. В других работах отмечено, что переход алмаза в графит происходит внезапно и сопровождается взрывом. Краткий обзор некоторых -физических свойств алмаза приводится в работе Толански [c.586]

Попытки устранить эти трудности, сохранив простоту метода, были сделаны Толанским [9]. Разработанный способ, названный методом линии профиля , в основном состоит в том, что на поверхность проектируют под углом тень от очень тонкой проволоки. Форма тени не всегда правильно передает увеличенное изображение участка поверхности, если то.лько ее проектируют не на постоянное сечение. Последнее условие часто встречается на сработавшихся поверхностях подшипников и не является неблагоприятным. [c.62]

Из разнообразных интерферометрических методик для определения толщин пленок наибольшее распространение получила многолучевая интерферометрия [88]. Некоторое усовершенствование этого метода при исследовании пленок, образующихся на ступенчатых поверхностях скола, описано Хивенсом и Пандея [89]. Согласно Толанскому, точность и чувствительность метода [c.29]

На основании большого экспериментального материала можно сделать вывод, что различные виды поверхностных дефектов (ступени, неоднородности, шероховатости и т. д.) играют первостепенную роль и при эпитаксическом росте, являясь предпочтительными местами для образования зародышей. Изучению структуры поверхност кристаллических веществ посвящено много работ, в том числе работы Толанского [97] и Гегузина и Овчаренко [91]. В обзоре [91] рассмотрены вопросы, связанные преимущественно с макроскопическими нерегулярностями, охватывающими огромное количество частиц, тогда как в монографии Толанского [97] основное внимание уделено нерегулярностям атомного масштаба. [c.31]

Способ приготовления гладких подложек путем скола применим только для кристаллов, обладающих совершенной спайностью. Согласно широко распространенному мнению, плоскости скола некоторых веществ являются наиболее гладкими поверхностями, которые можио получить существующими метода-ми. При этом подразумевается не вся площадь поверхности, а ее отдельные гладкие участки, разделенные друг от друга ступенями скола. По данным Толанского [88, 103], плоскость скола слюды имеет гладкие участки площадью в несколько квадратных миллиметров. Ступеньки, разделяющие эти участки, в большин- [c.38]

Теория многослойных фильтров достаточно сложна. Здесь мы отметим только, что эти системы действуют как полосные фильтры, имеющие разрешенные и запрещенные интервалы частот. Необходимые подробности могут быть найдены в работах Хадли и Деннисона (1947), Уайнстайна (1947), Кабаллеро (1947), Толанского (1948), Крука (1948), Смита (1958), а также Борна и Вольфа (1970). [c.42]

Использование способа образования тонкой пленки, предложенного Толанским позволяет получить простую модель для изучения описываемого явления. Поверхность разрушения, с которой окраска удалена путем старения или другими методами, покрывают в вакууме полностью отражающей пленкой серебра. Каплю разбавленного раствора канадского бальзама в ксилоле помещают на посеребренную поверхность и дают ей стекать, наклоняя образец. Поверхность пленки канадского бальзама в контакте с поверхностью разрушения реплицирует топографию поверхности. [c.220]

Так, Толанский (с помощью превосходно разработанной интер-ферометрической методики, позволившей различать разницу в рельефе грани в 5—20 А) показал, что на плоских гранях каль- [c.22]

Так, Толанский (с помощью превосходно разработанной интерферо-метрической методики, позволившей различать разницу в рельефе [c.20]

Сборка интерферометра требует большой тщательности, а установка зеркал на параллельность — известных навыков. Чем толще интерферометр, тем труднее установить его зеркала. Для контроля правильности установки наблюдают интерференционные кольца от монохроматического источника (обычно ртутная дуга с зеленым или желтым фильтром, помещенная в фокусе линзы). Положение колец не должно меняться при рассматривании картины через разные участки зеркал эталона. Для контроля нужно медленно передвигать голову вправо — влево и вверх — вниз. Если установка плохая, то кольца дышат . Существует ряд приемов установки зеркал и проверки качества их юстировки. Эти вопросы подробно изложены в книге С. Толанского [2.8], с которой рекомендуется ознакомиться, начиная работать с интерферометром. [c.94]

За последние несколько десятилетий получил развитие ряд важных микроскопических методов. К их числу относятся метод фазового контраста, цветного фазового контраста, методы интерференционной, рентгеновской, электронной и эмиссионной микроскопии. Толанский 1246] описал изящные методы многолучевой интерференционной микроскопии и их применение. Хотя эти методы нашли широкое применение в биологии и медицине, их использование для анализа полимерных материалов более ограниченно и специфично. Поэн [190] исследовал несколько полимерных материалов при помощи рентгеновского микроскопа, однако имеется мало данных об успешном приложении метода цветного фазового контраста и методов эмиссионной и многолучевой интерференционной микроскопии. Применение метода электроннолучевого зондирования все еще ограничено материалами, состоящими из тяжелых атомов. [c.247]

Гейн [105[ впервые попытался применить метод интерференционной микроскопии для изучения технологии волокна. Используя интерференционный микроскоп Бейкера [233], он исследовал структуру и определял показатель преломления волокна. Для подобных исследований следует учитывать возможность применения более простых интерференционных систем, например системы Толанского. Скерчли 12321 применил для изучения поверхности волокон методику Толанского с использованием канадского [c.247]

В ранних физических исследованиях электрического разряда в газа>( при низком давлении экспериментатор часто отмечал металлический осадок на стекле вблизи катода. Позднее был разработан метод для получения покрытия на поверхности, расположенной вблизи катода разрядной трубки, процесс известен под названием вакуумного напыления. Напряжение постоянного тока в 2000 в является достаточной э. д. с. Частицы, вылетающие из катода, содержат главным образом нейтральные атомы, движущиеся со скоростью, соизмеримой со скоростью теплового движения атомов в точке плавления материала катода. Толанский предполагает, что имеется действительно испарение локальных точек на катоде . Вакуум для процесса напыления требуется неточный, достаточно 0,1 мм рт. ст. Аналогичные процессы, известные как термонапыление, требуют давления <10" мм рт. ст., даже 10 или выше 10 . Этим путем получают пленку алюминия на больших телескопических зеркалах. Источником испаряющегося металла может быть шарик на горячей проволоке или диск на горячей пластинке, а высокий вакуум необходим для того, чтобы обеспечить средний свободный пробег частиц, превышающий расстояние между расплавленным металлом и поверхностью, подлежащей покрытию. Испускаемые частицы имеют размеры атомов. Подробности обоих процессов, которые уже получили промышленное использование в получении исходных осадков на восковых матрицах, для оптических зеркал и ювелирных покрытий, на пластиках и оптических деталях, рассматриваются в статье [8]. Электрическое сопротивление покрытий, превышающее сопротивление основного металла, обсуждено в статье [9]. Если любой из этих процессов использовать для получения слоев, предназначенных для защиты от коррозии, то требует серьезного рассмотрения вопрос [c.550]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология