Дефекты атомные отжиг

Метод ионной бомбардировки в одинаковой степени пригоден и для монокристаллов, и для поликристаллических поверхностей. Фарнсуорт с сотрудниками [34] показали, что такая обработка оказывается эффективной для различных металлов и для полупроводника германия, который использовали в виде монокристалла для измерения работы выхода [35]. Бомбардировка положительными ионами аргона удаляет загрязнения из приповерхностного слоя толщиной до нескольких сотен атомных слоев в зависимости от времени и интенсивности обработки, но при этом все же остаются захваченные поверхностью положительные ионы. Кроме того, поверхность содержит некоторое количество дефектов, образовавшихся в результате смещения атомов металла нз их равновесных положений в решетке. Поэтому для освобождения от дефектов решетки и от захваченного аргона необходим отжиг при повышенной температуре. Вследствие значительной опасности загрязнения в процессе отжига необходимо поддерживать в системе давление ниже 10 ° мм рт. ст. [36]. Истинное состояние поверхности определяют методом дифракции медленных электронов. Однако вполне справедливо отмечено [37], что воспроизводимые дифракционные максимумы, получаемые после ионной бомбардировки и отжига, не обязательно доказывают чистоту поверхности, даже если они и соответствуют дифракционным максимумам поверхностной решетки металла упорядоченно загрязненная поверхность также может дать воспроизводимую картину, которую можно принять за результат ориентированной поверхности. [c.95]

Процессы, вызываемые отжигом люминофоров на воздухе и в нейтральной среде. При медленном охлаждении люминофоров после прокаливания концентрации атомных дефектов, а также распределение их в кристаллах успевают измениться (см. гл. IV—VI), [c.310]

Мы начнем эту главу с краткого введения, посвященного некоторым вопросам радиационной физики ионного кристалла. Исследования по радиационной физике и химии необходимы для развития теории реального кристалла, имеют самостоятельный интерес и важны для практики в связи с разнообразными применениями атомной энергии [1]. При изучении дефектов в ионных кристаллах используется ряд методов изменения концентрации дефектов. В дополнение к таким воздействиям, как термический отжиг, пластическая деформация, введение различных примесей, можно применять оптическое излучение, рентгеновские и гамма-лучи, потоки частиц высокой энергии и т. п. [c.163]

В формуле (292) II — энергия активации процесса разрушения, у — коэффициент (показатель концентрации напряжений), Т — температура. Величина То (То 10 с) оказалась практически одинаковой для любых твердых тел и их состояний. Энергия и сохраняется постоянной для данного вещества при любом воздействии (отжиге, механической обработке, легировании, облучении и т. д.). В отличие от Тц и 17о коэффициент у легко изменяется в зависимости от обработки тела. Член 70 выражает ту работу, которую в разрушении тела выполняет внешняя сила (напряжение о). Остальную часть работы, т. е. и — "уа, выполняют тепловые флуктуации. Из того факта, что при различных обработках данного вещества величина и остается постоянной, а изменяется лишь коэффициент 7, следует важное заключение межатомное воздействие, определяемое ближним порядком в расположении атомов, не меняется при варьировании состояния вещества. Меняется, следовательно, не атомное строение тела, а надатомное (субатомное), т, е. происходят изменения взаимодействия, формы и величины областей с размерами в десятки—сотни атомных. Наличие такой субатомной структуры или дефектов определяет локальные напряжения в теле, а изменение данной структуры ведет к изменению уровня перенапряжения (к изменению 7). [c.183]

Графит обладает значительной анизотропией. Свой ства его в разных точках одного образца могут различаться. Его электро- и теплопроводность очень высоки по сравнению с другими металлоидами. Теплопроводность заметно падает с повышением температуры и резко уменьшается под действием облучения. При использовании графита в атомном реакторе, в особенности при низких температурах, в нем аккумулируется энергия (энергия Вигнера), связанная с появлением дефектов в графите под действием облучения. Эта энергия можег быть выделена при помощи контролируемого отжига. Серьезный инцидент, приведший к загрязнению окружающей среды и разруш ению реактора, произошел в Уиндскейле (Велнкобритання), когда операилш отжига графита вышла из-под контроля. [c.396]

В заключение следует отметить, что собственное атомное разупорядочение существенным образом влияет на магнитные свойства ферритов и это обстоятельство надо учитывать, когда решается задача получения материала со строго повторяющимися параметрами. В качестве технологического приема, стабилизирующего магнитную индукцию и квадратность термостабильной петли гистерезиса, можно рекомендовать дополнительные к основной термообработке отжиги при температурах 700—800° в течение времени, достаточного для равновесного перераспределения ионов по подрешеткам (продолжительность отжига зависит от природы феррита [35]). Примером поразительного влияния атомных дефектов на магнитные свойства является поведение феррита никеля, резко закаленного с высоких температур и обладающего определенной концентрацией ионов N1 + в Л-узлах решетки (при 1300° в формуле Ы111 1л Реж [Ы1 Ре21л ]04 х=0,9955). Как показали измерения Ройнтона и Робертсона [36] появление N1 + в тетраэдрических узлах шпинельной структуры приводит к изменению анизотропии кристалла и ширины линии ферромагнитного резонанса. [c.270]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология