Отжиг дефектов

ШИМ и большим временами жизни. После отдыха в течение 24 ч при комнатной температуре наблюдается увеличение времени жизни обоих компонентов и снижение интенсивности более долгоживущего. Характер происходя-ших изменений позволяет предположить, что при деформации происходит перестройка надмолекулярной структуры полиимида межмолекулярные связи разрушаются и образуются микродефекты - свободные объемы, достаточные для локализации позитрона. Величина долгоживущего компонента Ti в этом случае должна отражать изменения среднего размера, а интенсивность h - концентрацию таких дефектов. Аналогичные изменения в спектрах наблюдали при образовании и отжиге дефектов в металлах и полупроводниках. Данные изменения обычно анализируют с помощью модели захвата позитронов. Эта модель качественно хорошо отражает наблюдаемые при деформации полиимида изменения во временных спектрах. Уменьшение времени жизни короткого компонента, связанного с аннигиляцией в бездефектной части полимера, обуслов- [c.69]

Некоторые исследования спекания проведены с родием [53], палладием [67, 68] и никелем [67, 68]. При высоких температурах в атмосфере кислорода наблюдается увеличение в размерах палладиевых кристаллитов, нанесенных на алюмосиликат, тогда как в водороде имеет место только отжиг дефектов кристаллической решетки с результирующей потерей удельной каталитической активности, а не поверхности. Также найдено, что добавление высоковалентного катиона (например ТЬ +, Ьа +) увеличивает термическую стабильность — эффект, который, по-видимому, обусловливается затруднением поверхностной подвижности палладия из-за усиленного взаимодействия металл — носитель. [c.145]

Если температурная обработка в вакууме и восстановление молекулярным или атомарным водородом неэффективны, то для очистки поверхности можно с успехом применить бомбардировку ее положительными ионами неадсорбирующегося газа (аргон, неон), имеющими определенное критическое значение энергии. В результате такой обработки происходит удаление поверхностных атомов как твердого тела, так и атомов загрязнения, т. е. интенсивное распыление вещества, сопровождающееся нарушением его поверхности. При этом следует иметь в виду, что в процессе данной обработки часть молекул бомбардирующего газа может внедряться в кристаллическую решетку твердого тела и загрязнять его поверхность [93]. Для удаления захваченных молекул газа и отжига дефектов кристаллической решетки желательно после ионного облучения твердое тело прогреть в вакууме [94, 95]. При необходимости операцию бомбардировка—нагревание можно повторить несколько раз. [c.160]

Нестабильность состояний, возникающих при облучении твердых тел,— характерная особенность радиационных процессов. У многих веществ дефекты, возникающие при облучении, исчезают, как только облучение прекращается этот про-цесс носит название отжига дефектов. При этом часто первоначальные свойства исходных соединений полностью восстанавливаются. Однако существуют условия, зависящие от структуры твердого тела и характера излучения, когда дефекты остаются длительное время после облучения. [c.103]

Если прорастание полимерной цепи не вызывает ломки кристалла, положение меняется — молекулярный вес растет со временем, т. е. с ростом [П], причем в пределе Мпа . При наличии отжига дефектов рост [П] и Мп со временем принимает 8-образный характер. [c.12]

Рис. 4. Теоретическая зависимость концентрации Лх и выхода полимера от времени полимеризации при отжиге дефектов

Передатчик цепи начинает оказывать влияние на рост цепочки уже на первых этапах пост-полимеризации. Для кинетических кривых при температуре выше 55° С и ниже 45° С наблюдается постоянный рост молекулярных весов во время полимеризации. Кинетические кривые при температуре ниже 45° С имеют индукционные периоды, которые можно объяснить отжигом дефектов. Естественно, молекулярные веса за время индукционного периода растут с ростом процента превращения. При 60° С вблизи точки плавления монокристалла триоксана возможно выделение передатчика цепи в отдельную фазу из-за облегчения диффузии, поэтому и наблюдается постоянный рост молекулярных весов. Аналогичное явление-наблюдается, по-видимому, и в поликристалле. [c.30]

B. Ф. Евдокимов. Производили ли отжиг дефектов [c.362]

А. Н. Неверов. Отжиг дефектов после облучения производили, однако физико-механические свойства полимеров при этом не изменялись. [c.362]

Некоторые из этих дефектов или все они вместе могут увеличивать каталитическую активность. Однако часто значительного увеличения активности [151] не происходит, даже если при облучении образуются такие дефекты. Причина этого может заключаться просто в том, что имеется тенденция отжига дефектов кристаллической решетки при температурах, нри которых проводят изучение катализа. Уменьшение активности после облучения почти всегда и неизменно связано с деструкцией активных центров под действием радиации. Так, Шваб и др. [148, 149] нашли, что каталитическая активность как меди, так и никеля нри гидрировании этилена при предварительном облучении этих веществ сс-, р- или у-радиацией фактически сводилась к нулю. Так как каталитическую активность удавалось восстановить обработкой водородом, был сделан вывод, что роль активных центров в этой каталитической реакции играют поверхностные атомы металла, на которых адсорбирован водород. Шваб и Конрад [150], изучая влияние [c.255]

Дефектность кристаллов может изменяться в ходе реакции, причем чем выше температура, тем большую гибкость приобретает кристаллическая решетка и тем легче примеси диффундируют из кристалла. Это явление можно назвать отжигом дефектов. [c.96]

Рис. 4.7. Политермические кривые отжига дефектов в гематите, полученном разложением нитрата ( ) и сульфата (2) железа.

Можно предположить, что на начальной стадии процесса имеет место декорирование дефектов поверхности графитом, подобно автодекорированию поверхности алмаза алмазохм [70] или декорированию вольфрамом при осаждении последнего из газовой фазы [71]. Действительно, из данных табл. 3 видно, что при наращивании на облученном порошке по сравнению с исходным при 950° С проводимость вырастает до значительно большей величины, тогда как общий привес новой фазы уменьшается. В то же время при 1000° С различие заметно меньше, что, вероятно, связано с отжигом дефектов при повышенной температуре. Так, при 950 С относительная проводимость облученного порошка в среднем в 5 раз больше, чем у исходного, тогда как при 1000° С это отношение равно всего 1,6. [c.82]

Поэтому в процессе синтеза аммиака и особенно при гидрировании ядов с большим тепловым эффектом возникает значительная подвижность дефектов и их агрегация (отжиг дефектов), и активность катализатора именно вследствие такого изменения химического состава и строения необратимо снижается. Мы полагаем, что особенно вредно действуют серусодержащие соединения, так как при их гидрировании до сероводорода образуются сульфидные соединения с железом и промоторами (с калием и др.), [c.153]

Когда металлический полупроводник или диэлектрик подвергают бомбардировке ионами инертного газа, имеющими определенное критическое значение энергии, то происходит удаление поверхностных атомов твердого тела. Этот процесс носит название распыления. Явление распыления известно довольно давно еще Ленгмюр использовал его в своих исследованиях, посвященных изучению возможности очистки вольфрамовых проволок, содержащих примеси тория [69]. Форнсворт и сотр. весьма широко использовали этот метод для получения атомночистых поверхностей металлов и полупроводников. Мур [70] также довольно успешно применил метод распыления. Несмотря на то что этот метод позволяет удалять поверхностные загрязнения, которые очень трудно, а часто и невозможно удалить иными способами, следует иметь в виду, что такая обработка сопровождается интенсивным нарушением поверхпости и некоторые из молекул бомбардирующего газа внедряются в кристаллическую решетку твердого тела [71]. Следовательно, желательно после ионной бомбардировки твердого тела прогреть его в вакууме. Эта процедура преследует двоякую цель отжиг дефектов кристаллической решетки и удаление захваченных молекул газа [23, 32, [c.72]

Рассмотрим поведение смеси реагентов, начальное состояние которой характеризуется некоторой концентрацией дефектов Ni. При нагревании константа скорости реакции будет изменяться вдоль изоконцентраты Ni (в направлении, указанном стрелкой) вплоть до температуры, при которой дефекты структуры реагентов заморожены . Предположим, что при температуре Ti с заметной скоростью начинается аннигиляция дефектов, так что при температуре Ti-i концентрация дефектов изменяется вдоль прямой iVi-i. Соответствующая изоконцентрата характеризуется меньшей величиной предэкспоненциального множителя (fe i < k°) и увеличенной энергией активации ( i i> i). Учитывая, что с ростом температуры аннигиляция дефектов в решетке реагентов происходит непрерывно, можно ожидать, что значения kt, -2..-, фиксируемые экспериментально при температурах Г,-, Tj i, Ti 2, соответствуют различным дефектным состояниям реагентов. Следовательно, значения k° и Е, рассчитанные из экспериментальной зависимости nk=f /T)p , лишены первоначального физического смысла (не являются величинами, характеризующими природу элементарных процессов). Действительно, отжиг дефектов затрудняет твердофазное взаимодействие, тогда как кажущееся значение энергии активации, характеризуемое наклоном прямой аЬ на рис. 3.15, заметно меньше истинного значения, отвечающего изоконцентратам Л г 1, Л г 2 и т. д. [c.201]

К числу дифференциальных методов оценки активного состояния твердых фаз можно отнести (хотя и с известными оговорками) также методы измерения истинной теплоемкости и усадки порошкообразных прессовок в процессе, непрерывного нагревания, метод поверхностной метки и метод измерения свободной поверхности порошкообразных образцов. Применение первого из них основано на сопоставлении кривых Ср=((Т) для твердой фазы, находящейся в активном и нормальном состояниях. Метод особенно информативен, когда переход из активного состояния в нормальное происходит в несколько стадий в процессе калориметрического нагревания. В этом случае сопоставление кривых первого нагрева с последующими позволяет выявить область температур, при которых аннигилируют дефекты, измерить тепловой эффект отжига дефектов и их относительную стабильность в решетке. Разумеется, тип дефектов, ответственных за различия Ср, должен прогнозироваться, исходя из природы исследуемых фаз, или устанавливаться независимыми методами. Метод измерения Ср при непрерывном нагревании был с успехом использован для изучения закалочных эффектов, обусловленных аннигиляцией точечных дефектов типа вакансий, внедренных ионов или антиструктурных дефектов, а также полиморфных превращений в сплавах [46], оксидах [47] и солях [48]. Калориметрический метод оказался эффективен и при изучении механически активированных твердых фаз, например, холоднодеформированных металлов. Отпуск по- [c.228]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология