Импеданс, определение

В воздушной акустике акустический импеданс определен как отношение звукового давления к объемной колебательной скорости [317] и имеет размерность Па-с/м . В таком понимании этот термин в нашей книге не применяется. [c.31]

Так как, по определению, импеданс представляет собой отношение комплексных амплитуд потенциала и тока, то из уравнения (39.11) непосредственно получаем выражение для диффузионного импеданса [c.198]

Стадия разряда — ионизации оказывает определенное сопротивление переменному току, протекающему через электрохимическую систему. Поэтому можно говорить об импедансе (комплексном сопротивлении) этой стадии. В соответствии с уравнениями (46.10), (46.12) и [c.242]

Формула (48.9) лежит в основе импедансного метода определения тока обмена. Однако в реальных условиях при Е—Е всегда тот или иной вклад в измеряемый импеданс вносит диффузия электроактивных веществ О и Н. Поэтому в эквивалентной электрической схеме последовательно с сопротивлением разряда включается импеданс Варбурга (рис. 131, б). Зависимость составляющих фарадеевского импеданса от частоты при отсутствии специфической адсорбции реагирующих веществ, затрудняющей разделение фарадеевского и нефарадеевского токов, приведена на рис. 132. Экстраполяция прямолинейной зависимости от 1/Коз к бесконечно большой частоте (1/К =0) у сз [c.244]

Формула (48.9), выведенная П. И. Долиным, Б. В. Эршлером и А. И. Фрумкиным, лежит в основе импедансного метода определения тока обмена. Однако в реальных условиях при Ф = Фр всегда тот или. иной вклад в измеряемый импеданс вносит диффузия электроактивных веществ О и К. [c.259]

Определение параметров функциональной зависимости. На практике перед исследователем постоянно возникает задача построения по опытным данным аналитических моделей. Если аналитический вид зависимости одной измеряемой величины у от другой х известен, то данная задача сводится к отысканию по экспериментальным данным, получаемым с определенной погрешностью, наиболее подходящих параметров этой зависимости. Примером такого рода задач в электрохимии является анализ кривых ток — потенциал, емкость двойного электрического слоя — потенциал, составляющие импеданса — частота переменного тока, поверхностное натяжение — концентрация органического вещества и т. д. [c.61]

Если частота переменного тока ниже 10 Гц, то сопротивление электролита не должно зависеть от частоты, поскольку при таких частотах не проявляется эффект релаксации ионной атмосферы. Отсутствие частотной зависимости может служить критерием определения чисто омического сопротивления ячейки. Однако в общем случае импеданс, измеряемый с помощью моста переменного тока, а следовательно, и Са зависят от частоты. Чтобы понять причины этого явления, следует рассмотреть эквивалентную электрическую схему ячейки для измерения электропроводности (рис. 2.7). Каждый из электродов здесь [c.94]

Изменение акустического контакта пьезопреобразователя с изделием, связанное с высотой неровностей, приводит к изменению входного акустического импеданса поверхности изделия, коэффициента преобразования и передачи ультразвука от преобразователя к изделию. Шероховатость измеряют по смещению резонансной частоты пьезопреобразователя, которая зависит от импеданса по изменению эхосигнала от определенного отражателя, например донного сигнала. Опорным сигналом здесь может служить уровень структурных шумов, который не зависит от качества акустического контакта (см. п. 2.3.5). [c.246]

В отсутствие деполяризатора в растворе сопротивление поверхности раздела задается емкостным сопротивлением, при этом фарадеевский импеданс можно рассматривать как бесконечно большую величину. Эквивалентная схема упрощается до схемы с одним сопротивлением электролита и последовательно включенной емкости. Таким образом, можно измерить емкость двойного электрического слоя, определяя, например, общее сопротивление полярографической ячейки с применением импедансного измерительного моста и рассчитывая на основе эквивалентной измерительной схемы емкость поверхности раздела. Так как емкость двойного электрического слоя зависит от потенциала, на электрод надо наложить определенный потенциал (рис. 4.29). Влияние наложенного потенциала на емкость двойного электрического слоя приведено на рис. 4.27. При потенциалах разложения фонового [c.153]

На данной установке измеряют общий импеданс ячейки. В отсутствие окислительно-восстановительного процесса (фарадеевский импеданс очень большой) общий импеданс ячейки равен сумме сопротивлений емкости двойного электрического слоя и электролита. При одновременном протекании тока окислительно-восстановительного процесса и емкостного тока для раздельного определения фарадеевского импеданса и емкости двойного электрического слоя (разд. 4.5.1) следует использовать различие в их свойствах. [c.156]

В соответствии с определением импеданса [c.303]

Если через электрод пропускается ток определенной плотности г, то он частично идет на заряжание двойного слоя, а частично — на протекание электрохимической реакции. Полное сопротивление или импеданс такого электрода, следовательно, будет складываться из емкости двойного слоя С и импеданса электрохимической реакции 2 (фарадеевского импеданса) и моделироваться их параллельным соединением (рис. 76). [c.319]

Если использовать мост для измерения импеданса (см. рис. 46), то представляется возможным, установив емкость двойного слоя С, найти и Ск из экспериментальных данных, определенных с помощью схемы рис, 76, состоящей из сопротивления раствора Rq и включенных последовательно с ним импеданса двойного слоя С и фарадеевского импеданса Z, соединенных параллельно. [c.321]

Следует указать, что измеряемый на переменном токе полный импеданс электрода наряду с емкостью двойного слоя содержит импеданс, отражающий конечную скорость процессов диффузии, адсорбции и электрохимической реакции. Поэтому, строг говоря, для определения численных характеристик адсорбируемости ингибиторов требуется обрабатывать данные измеренного импеданса, например методом Эршлера—Рэндлса или методом комплексной плоскости. Но в данном случае нужно было определить относительное влияние степеней деформации на изменение адсорбируемости ингибитора, качественно отражаемое изменением измеряемой дифференциальной емкости электрода. [c.157]

Измерение методом ТВЧ основано на определении зависимости импеданса измерительной катушки от свойств предмета, помещенного в ее электромагнитное поле. На базе этого метода был разработан измерительный прибор Изотрон А1 . Другой прибор — Изотрон Ре с электронным преобразователем — можно использовать для измерения больших толщин, например асфальтовой изоляции на трубах газо- и нефтепроводов и т. д. [c.89]

Чтобы из результатов изд1ерений получить импеданс определенного электрода, на практике используют два приема. Либо оба электрода делают совершенно одинаковыми, т. е. 2дл = 2 = = 2эл и тогда [c.79]

При определении производной (И/йг на основе уравнений (48.1) и (48.2) необходимо учитывать зависимость величин о. й н и г от потенциала. Однако если адсорбция реагирующего вещества изменяет емкость двойного слоя (см. 12), а следовательно, зависит от потенциала электрода, то разделение импеданса двойного слоя и импеданса электрохимической реакции оказывается невозможным. Если предположить, что величины о и не зависят от потенциала (в простейшем случае о=ё к=0) и концентрация поверхностно-неактивного фонового электролита настолько велика, что можно пренебречь зависимостью г гпотенциала от т), то ток обмена не будет зависеть от перенапряжения и дифференцирование уравнения (48.1) по г) в области обычного разряда (а=сопз1) дает [c.243]

На основе суммирующего потенциостата может быть сконструирован прибор для определения импеданса — простейший импедансометр. Для этого наряду с задатчиком постоянного напряжения параллельно следует подключить генератор переменного напряжения. Потенциал рабочего электрода относительно электрода сравнения запишется [c.49]

Методика измерения электродного импеданса. Рассмотрим три наиболее часто использующихся способа измерения импеданса электрохимических систем, находящихся в состоянии равновесия. Блок-схема простейшей установки для определения импеданса показана на рис. 4.33. Она включает в себя генератор синусоидальных сигналов (например, Г6-26, Г6-27, Г6-28 и т. д.) осциллограф (желательно двухлучевой, например С-8-13) или двухкоординатный самописец для случая, когда измерения проводят при низких частотах переменного гока усилитель тока (можно использовать преобразователь ток-напряжение, см. с. 43) катодный вольтметр и вольтметр переменного напряжения. При наложении между рабочим и вспомогательным электродами переменного напряжения от генератора на экране двухлучевого осциллографа будут синхронно фиксироваться две синусоиды одна—соответствующая переменному напряжению от генератора, вторая — пропорциональная протекающему через систему переменному току той же частоты. Измеряя амплитудные и фазовые характеристики этих двух синусоид, весьма просто рассчитать модуль импеданса и сдвиг фаз между действительной и мнимой составляющими импеданса (см. с. 50). [c.263]

Для экспериментального определения тв и та удобно воспользоваться следующим способом, который был предложен в 1968 г. Армстронгом, Рэйсом, Тёрском, а также независимо от них Та-кахаши. При потенциалах адсорбции — десорбции, где в соответствии с формулами (2.123) наиболее сильно проявляется зависимость от сй измеряемого импеданса, получают возможно широкий спектр составляющих этого импеданса и С5(т). Экстрапо- [c.84]

Имеется метод И. М. Новосельского, позволяющий на основании I построения частотной зависимости составляющих импеданса и в двух определенных системах координат находить самые разнообразные j эквивалентные схемы. Это системы координат 1) г" — z и 2) г "— г /ш2", где z — активная, а z" — реактивная составляющие комп.пекс-ного сопротивления системы. [c.53]

Найденные при уравновешенном мосте величины Rm и См используют для расчета поляризационного сопротивления Rx и псевдоемкости С . Для этого из определенных значений Rm и С , пользуясь приемами векторного сложения омической и емкостных слагаемых сопротивления, вычитают сопротивление раствора Rq и емкость двойного слоя С. Эти характеристики находят для каждого рассматриваемого случая в индифферентном электролите, свободном от исследуемой окислительно-восстановительной системы. При этом имеют в виду, что Б индифферентном растворе фарадеевский импеданс будет бесконечно большим и эквивалентная схема ячейки будет состоять из последовательно включенных Rq и С. [c.321]

В работе А. И. Левина и В. М. Рудого влияние кристаллографической неоднородности рассмотрено на примере реакции электрохимического выделения водорода. Для определения константы скорости электрохимической реакции использовали метод фарадеевского импеданса. Для измерения импеданса электрода применяли мост переменного тока. Испытываемыми электродами служили монокристаллы меди с кристаллографическими гранями (100) и (111), электроосажденная медь и электрод из меди, оплавленной в атмосфере водорода. [c.524]