Температура и электронная концентрация

Эффективная температура и электронная концентрация дугового разряда в зависимости от кажущегося потенциа а ионизации металла, соединение которого введено в канал электрода [c.37]

Для повышения воспроизводимости количественных определений и снижения пределов обнаружения предлагаются различные способы стабилизации дугового разряда наложение магнитного поля, соосного разряду обдув свободно горящей дуги потоком газа помещение разряда в охлаждаемую трубку, которая ограничивает поперечное сечение разряда. Такие приемы не только стабилизируют дугу пространственно, но и изменяют параметры разряда — напряжение, температуру и электронную концентрацию, пространственное распределение и концентрацию элементов в облаке. В дуговом плазмотроне используется принцип стабилизации дуги потоком газа и стенками. [c.52]

Температура и электронная концентрация [c.53]

Электронная температура и электронная концентрация. Можно сопоставить средней кинетической энергии электронов в плазме определенную температуру, ее принято называть электронной температурой ( 7 ). Необходимо помнить условный характер этого термина, так как в газоразрядной неизотермической плазме отсутствует термодинамическое равновесие, а следовательно, обычное понятие о температуре теряет смысл. [c.21]

Зависимость температуры и электронной концентрации от состава плазмы. [c.94]

Процессы поступления. и переноса частиц Элементов определяют не только их среднюю концентрацию в столбе разряда, но и распределение частиц вдоль всего межэлектродного промежутка. Особенности аксиального распределения частиц элементов, температуры и электронной концентрации обусловливают топографию излучения аналитических линий, которая в ряде случаев может быть использована для улучшения пределов обнаружения элементов.. [c.120]

Радиальное распределение температуры и электронной концентрации в плазме дуги при наложении неоднородного магнитного [c.126]

Температура и электронная концентрация в плазменной струе значительно выше, чем в обычной дуге, горящей в атмосфере того же газа. Так, осевая температура в аргоновой плазменной струе достигает 11 ООО—15 000° К, а концентрация электронов составляет 10 —W см [850, 169 662, стр. 35] (соответствующие данные для обычной дуги см. 4.1.2). Как температура, так и электронная концентрация зависят от рода охлаждающего газа, скорости его потока и давления, диаметра отверстия в эЛектроде-сопле и его полярности, силы тока дуги. [c.163]

Для оценки условий возбуждения и влияния состава плазмы на интенсивность линий определяемых элементов весьма существен характер корреляции между, изменениями температуры и электронной концентрации при введении легкоионизуемой добавки. Экспериментальные данные, относящиеся к угольной дуге в атмосфере воздуха, противоречивы, хотя большинство из них свидетельствует об отрицательной корреляции, выражающейся в непрерывном росте Пд и снижении Т но мере увеличения концентрации легкоионизуемого элемента в плазме. Эта отрицательная [c.97]

Концентрация атомов и ионов элементов изменяется вдоль радиуса столба дуги, согласно выражениям (46), (50) и (51), в соответствии с радиальным изменением температуры и электронной концентрации. С ростом Т и Пе от периферии к оси разряда растет степень диссоциации молекул и, следовательно, уве- [c.99]

Различные способы измерения температуры и электронной концентрации в плазме достаточно подробно описаны [244, 980]. К числу наиболее распространенных относятся способы, основанные на измерении относительной интенсивности соответствующих спектральных линий, принадлежащих одному элементу. Так, температура плазмы может быть вычислена из относительной интенсивности,/1/72 для двух атомных (или двух ионных) линий с длиной волны Я] и Яг, с известными энергиями возбуждения б1 и ег, статистическими весами возбужденных состояний и вероятностями излучательных переходов (Я )1 и gA)2 по следующей формуле, вытекающей из выражений (48) и (49) [c.102]

При поступлении пробы из анода концентрация частиц элементов вдоль оси разряда меняется мало, при отрицательной полярности электрода наблюдается прикатодное увеличение концентрации частиц [303, 304]. Температура и электронная концентрация плазмы определяются составом газовой атмосферы, поступлением и свойствами основных компонентов пробы [936]. [c.155]

Найдена зависимость величины аналитического сигнала от концентрации кислорода в аргоне. Установлено, что оптимальная концентрация Оз от общего объема газа соответствует 3—5%. Аналогичный эффект может быть достигнут при насыщении аргона парами воды как источником кислорода. Изучена также зависимость интенсивности линии гольмия от времени обыскривания в среде воздуха и аргона с различным содержанием кислорода, на основании которой можно заключить, что уменьшение содержания О2 до 5—10% благоприятствует получению стабильного во времени аналитического сигнала. Интенсивное сгорание токопроводящей основы (графита) при высоком содержании кислорода способствует в начале процесса интенсивному выходу вещества в разряд. В дальнейшем наблюдается снижение аналитического сигнала из-за нарушений условий проводимости. Расчеты параметров плазмы искрового разряда (Тзф, Пе) свидетельствуют о некотором возрастании среднеэффективной температуры и электронной концентрации в аргоне по сравнению с воздухом. [c.39]

Предел обнаружения многих элементов оказывается значительно снижен по сравнению с другими источниками света. Это объясняется благоприятной температурой и электронной концентрацией, большим временем пребывания частиц в зоне возбуждения, малой интенсивностью фона и малой его флуктуацией. [c.93]

Есть основание предполагать, что в спектральных источниках с большим градиентом температуры и электронной концентрации форма линии излучения и поглощения зависит от местоположения излучающего и поглощающего атомов [1]. Однако до сих пор при определении параметров плазмы по контуру спектральной линии эта зависимость не учитывалась, что объясняется главным образом отсутствием метода определения радиальной зависимости формы линии в оптически плотной плазме. [c.94]

Абсолютные значения различаются не более чем на 40%, что ненамного превышает погрешности измерения интенсивностей, определения температуры и электронной концентрации. [c.191]

Детально изучен метод просыпки порошков в горизонтальную плазму дуги переменного тока. Метод применяется для анализа минерального сырья и имеет ряд преимуществ по сравнению с методом испарения из канала при равномерном вдувании порошка не наблюдается фракциошюго испарения, температура и электронная концентрация практически постоянны, для многих элементов интенсивность спектральных линий также не меняется во времени (рис. 3.15 и 3.16). Благодаря этому время регистрации [c.47]

Как одно из перспективных направлений в развитии методов учета матричных эффектов следует отметить метод корреляционного спектрального анализа. Сущность метода состоит в том, что для коррекции аналитических сигналов привлекается дополшпельная спектральная информация за счет регистрации интенсивностей специально подобранных пар линий, относительная интенсивность которых резко реагирует на изменения условий возбуждения спектров (например, на изменения температуры и электронной концентрации в плазме разряда) и переноса анализируемой пробы через зону возбуждения спектров. Зафиксированные сигналы от корректирующих пар позволяют ввести соответствующие поправки в результаты измерений аналитического сигнала для определяемого элемента, приводя его к некоторым стандартным условиям, установленным на стадии изначальной градуировки спектрометра. [c.416]

Электронную температуру и электронную концентрацию можно определить по классическому методу зондов Ленгмюра[ ]. Условия, необходимые для применения этого метода, подробно разобраны в статье Б. Н. Клярфельда Р]. [c.22]

Установлено, чта температура и электронная концентрация свободно горящей дуги являются наивысшими на оси разряда и симметрично спадают к периферии. В центральной зоне столба низкоточной дуги — токопроводящем канале диаметром до 1— [c.94]