Тензор диэлектрической проницаемости

В работах [58, 59] были предприняты попытки учесть влияние анизотропной среды на ван-дер-ваальсовское взаимодействие однородных тел. Для получения зависимости молекулярной составляющей расклинивающего давления в случае анизотропной черной углеводородной пленки с использованием выражений, полученных в работах [58, 59], необходимо знать конкретный вид тензора диэлектрической проницаемости черной нленки. [c.59]

Тензор диэлектрической проницаемости [c.108]

Входящие в формулу (6.14) величины ai и й2 связаны с тензором диэлектрической проницаемости eik деформированного твердого тела, который в линейном по деформации приближении имеет следующий вид [c.182]

Диэлектрические свойства выражаются тензором диэлектрической проницаемости е, , связывающим между собой компоненты векторов индукции и напряженности электрического поля в пьезоэлектрике [c.91]

Д.ТЯ изотропного распределения частиц по скоростям плазмы, когда тензор диэлектрической проницаемости имеет пид [c.311]

Эта формула определяет тензор диэлектрической проницаемости суспензии 8 ., описывающий оптическую анизотропию суспензии, которая может быть вызвана или течением (эффект Максвелла), или приложенным полем (эффект Керра), или тем и другим вместе. Все эти эффекты для суспензии связаны с ориентирующим воздействием [c.108]

Определим далее, следуя [22], выражение для тензора диэлектрической проницаемости суспензии через характеристики частицы. [c.109]

Выражение (1.5) является универсальной формулой, определяющей тензор диэлектрической проницаемости через моменты функции распределения, и не зависит от того, какая причина вызывает изменения момента. Приведем теперь некоторые частные выражения для тензора диэлектрической проницаемости. [c.110]

Суспензия, помещенная в поле, также становится анизотропной. Из выражений (1.5) и (4.3.2) находим тензор диэлектрической проницаемости [c.110]

При совместном действии потока и поля комбинация выражений (1.5) и (4.2.17) при слабых полях или (1.5) и (4.3.19) при сильных полях приводит к формулам, определяющим тензор диэлектрической проницаемости суспензии в потоке с точностью до членов первого порядка по градиентам скорости и в поле, соответственно слабом и сильном. [c.110]

Отметим, что в движущейся суспензии симметрия тензора диэлектрической проницаемости связана с симметрией тензора напряжений, однако сравнение выражений (3.2.7) и (1.5) показывает, что закон Брюстера, т. е. пропорциональность компонент тензора диэлектрической проницаемости компонентам тензора напряжений во всем интервале градиентов скоростей не выполняется. Однако при сравнении выражений (3.4.4) и (1.6), определенных с точностью до членов первого порядка по градиентам скорости, находим, что закон Брюстера справедлив в следующей форме (здесь I Ф к) [c.111]

Для суспензии эллипсоидов вращения тензора диэлектрической проницаемости имеет вид (1.5) и потому выражения (2.2) и (2.3) записываются в виде [c.113]

Тензор диэлектрической проницаемости суспензии неполярных частиц определяется выражением (1.5), в силу которого для описания кинетики оптической анизотропии в полях, зависящих от времени, необходимо знать изменение моментов второго порядка во времени, что определяет уравнение (46.15). [c.115]

Другая возможность состоит в том, чтобы выразить параметр порядка через динамический тензор диэлектрической проницаемости е р К) на некоторой стандартной частоте со, например такой, которая соответствует желтой линии натрия. Это имеет определенное преимущество такая величина непосредственно связана с показателем преломления, который легко измерить. Особенно точное определение параметра порядка в зависимости от температуры при использовании показателя преломления, измеренного [c.46]

Амплитуда рассеяния света в некоторой точке пропорциональна флуктуациям тензора диэлектрической проницаемости, т. е. (мы намеренно опускаем все индексы). [c.69]

Распространение света чувствительно к флуктуациям тензора диэлектрической проницаемости [c.125]

Отправным является предположение о форме локального тензора диэлектрической проницаемости е (г) в любой точке г жид- [c.266]

Аналогичное уравнение имеет место для тензора диэлектрической проницаемости. [c.302]

Но это не вся электрическая сила. Имеется еще вклад обусловленный следующими фактором искажение структуры холестерика, описываемое величиной и, приводит к некоторому изменению тензора диэлектрической проницаемости и, таким образом, электростатической энергии. Мы можем найти фа из диэлектрического момента Г , направленного по оси г/ и действующего па молекулы [c.303]

Обсудим теперь, каким образом можно детектировать эти флуктуации с помощью рассеяния света [22]. В неискаженном состоянии тензор диэлектрической проницаемости г на световых частотах, представляющих для нас интерес, имеет три компоненты, отличные от нуля [c.351]

Наконец, наиболее интересный вклад связан с возможным вращением системы слоев, причем локально молекулы остаются перпендикулярными слоям. Флуктуации 6е тензора диэлектрической проницаемости, связанные с такими вращениями, можно получить, записав, как было сделано в гл. 3 для нематиков, [c.351]

Показатели преломления и скорости волн и лучей в кристалле — величины не тензорные, но соотношения между ними зависят в конечном счете от симметрии тензора диэлектрической проницаемости в или диэлектрической непроницаемости т). Соответственно от симметрии тензоров е или т] зависит и форма волновых поверхностей в кристаллах. [c.225]

Поскольку тензор диэлектрической непроницаемости г] является обратным тензору диэлектрической проницаемости е, а показатель преломления и диэлектрическая проницаемость (в области оптических частот) связаны соотно-ш ением п = то, очевидно, уравнение (4.48) в главных осях можно записать в виде [c.226]

Как ВИДНО из этих выражений, интенсивность сигнала будет равна нулю при 6 = 0, я/2, 2л и т. д. и максимальной при 9 = я/4, Дя и т. д. Таким образом, изменяя угол 0, т. е. одновременно вращая приемную и излучающую антенны, можно легко определить направление главных осей тензора диэлектрической проницаемости, а следовательно, и направление осей тензора деформаций, так как по теории Неймана направления тензоров деформации и диэлектрической проницаемости совпадают. [c.188]

Светорассеяние в плотной среде обусловлено флуктуациями локального тензора диэлектрической проницаемости s [1]. В 1922 г. Бриллюэн показал [2], что такие флуктуации могут вызываться термическими акустическими фононами, которые таким образом приводят к рассеянию света. При этом частота колебаний рассеянного света смещается из-за движения фононов. Частотный сдвиг выражается формулой [c.148]

Заключение о наличии дефекта в объекте конфоля выносится по пороговой величине изменения интенсивности принимаемого результир)тощего сигнала. При ди-элекфической или иной анизофопии величина сигнала в приемной антенне зависит от угла между плоскостью поляризации излученной электромагнитной волны и направления главных осей тензора диэлектрической проницаемости в данной точке образца. После прохождения волной анизофопного слоя получаем в общем случае волну, поляризованную по эллипсу, которую представляем в виде суммы двух волн, поляризованных по кругу вправо и влево с разными амплитудами [c.439]

Интегрирование no т со стороны больших значений ограничо-но. минимальной из дпух величин т, ах (к) и 1/со. Отметим еще одну из воз.можных причин обрезания интегрирования по т со стороны больших значений. Именно, из области пзаи.модействпя сталкивающиеся частицы могут выходить под действием электрического поля. Возникающее благодаря дрейфу частиц в электрическом поле ограничение сверху на время взаимодействия сталкивающихся частиц является нелинейным эффектом, обсуждение которого выходит ва рамки настоящего рассмотрения, поскольку использовать понятие тензора диэлектрической проницаемости, строго говоря, можно лишь п таких условиях, когда нелинейный эффект электрического дрейфа несуществен ). [c.294]

Выше мы ограничились рассмотрением монодисперс-ной суспензии. При этом (см. формулу (1.5)) тензор диэлектрической проницаемости пропорционален тензору средней ориентации частиц, так что главные оси тензоров всегда совпадают. Ситуация изменится, если суспензия не монодисперсна по форме частиц. [c.111]

Одноосный смектик должен обладать оптической осью, перпендикулярной слоям. Он называется смектиком А. Двуосные смек-тики могут быть разных типов. Мы будем классифицировать их, предполагая, что тензора диэлектрической проницаемости (или другого подобного тензора) достаточно для полной характеристики локальной симметрии ). [c.328]

Существование смектических фаз с наклонными молекулами в слоях допускалось уже давно [11, но показано это было только недавно [8] с помощью оптических измерений на монодоменном образце. Симметрия здесь моноклинного типа (фиг. 7.3). Если С-директор направлен вдоль оси ж, то плоскость (хг) является плоскостью спшлстрии ). Имеется также центр симметрии в любой точке в середине слоя ). Как обсуждалось в разд. 7.1.1.2, любой тензор, например тензор диэлектрической проницаемости, имеет три неэквивалентные оси первая приблизительно параллельна направлению упорядочения (в плоскости симметрии), вторая перпендикулярна первой в той же плоскости, а третья направлена вдоль у ). Оказывается, что для многих тензорных свойств значения, измеренные вдоль второй и третьей осей, примерно равны. Среда почти одноосная, но с осью, нак.лоненной на угол со относительно нормали к слоям. Значения со (Г) для ТББА показаны на фиг. 7.12. [c.367]

Если Ац — тензор, описывающий физическое свойство кристалла, то длины полуосей характеристического эллипсоида численно равны значениям величины этого свойства вдоль главных осей, т. е. Al, А , Ag, а длина г любого радиуса-вектора характеристической поверхности равна IIУа , где а, — значение величины этого свойства в направлении г. Применяя это представление к тензору диэлектрической проницаемости Bij, находим, что его характеристическая поверхность — эллипсоид, длины главных полуосей которого равны соответственно 1/ksi, [c.212]

Свойства, описываемые тензором второго ранга, могут связывать между собой согласно условию (4.1) векторное воздействие и векторное явление. Таковы, например, диэлектрическая непроницаемость т] (тензор, обратный тензору диэлектрической проницаемостие), магнитная проницаемость и магнитная непроницаемость, электропроводность и обратный ей тензор электрического сопротивления, теплопроводность и обратный ей тензор теплового сопротивления. [c.215]

При нагружении изделия диэлектрическая проницаемость также становится величиной тензорной. При соблюдении закона Гука, согласно теории Неймана, главные значения тензора диэлектрической проницаемости линейно связаны с главными деформациями [c.185]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология