Внутренний фотоэффект (фотосопротивление)

Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом (фотосопротивления). [c.195]

В фотоколориметрии обычно употребляют три типа фотоэлементов 1160] с запирающим слоем (вентильные), с внешним фотоэффектом (газонаполненные или вакуумные), с внутренним фотоэффектом (фотосопротивления). [c.93]

Наибольшее применение в ИК-технике получили из приемников с внутренним фотоэффектом — фотосопротивления и фотодиоды, из приемников с внешним фотоэффектом — электроннооптические преобразователи и фотоэлектронные умножители. [c.115]

Опыт 306 Внутренний фотоэффект (фотосопротивление) [c.196]

Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом (фотосопротивления) состоят из полупроводников (сульфидов висмута, кадмия, свинца, таллия или некоторых других веществ), сопротивление которых под воздействием света уменьшается в резуль-108 [c.108]

Существуют внутренний и внешний фотоэффекты. Внутренний фотоэффект сопровождается изменением или подвижности, или концентрации носителей заряда в диэлектриках и полупроводниках и положен в основу действия вентильных фотоэлементов и фотосопротивлений. Внешний фотоэффект сопровождается эмиссией электронов с поверхности материала, из которого изготовлен фотокатод фотоэлемента. Приложение напряжения и облучение фотокатода вызывает появление в цепи тока, который прямо пропорционален интенсивности света при определенных ее значениях. Характеристики некоторых типов фотоэлементов приведены в табл. И. [c.145]

Действие фотосопротивлений основано на внутреннем фотоэффекте, при котором сопротивление полупроводника зависит от его освещения. Под действием света электроны из кристаллической решетки полупроводника переходят в свободное состояние (в зону проводимости). Изменение сопротивления обнаруживается по изменению тока в слое проводника. [c.243]

Из различных видов фотоэлектрических детекторов излучения, основанных на внешнем и внутреннем фотоэффекте (фотоэлементы, фотосопротивления, фотоумножители, счетчики фотонов, электронно-оптические [c.393]

Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом, или фотосопротивления, основаны на уменьшении сопротивления некоторых полупроводников под влиянием света. В качестве полупроводников применяют обычно селен или сульфид таллия. [c.81]

Для этих фотоэлементов общая сила фототока не пропорциональна интенсивности светового потока их спектральная характеристика сильно сдвинута в инфракрасную область спектра. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом обладают значительной инерционностью и большим температурным коэффициентом. Вследствие этих недостатков фотосопротивления не нашли широкого применения в фотоколориметрии. [c.81]

Фотоэлемент с внутренним фотоэффектом или фотосопротивлением обычно выполнен из селена или сернистого таллия, у которых внутренний фотоэффект проявляется наиболее интенсивно. [c.127]

В фотоэлектроколориметрии обычно употребляются три типа фотоэлементов 1) фотоэлементы с запирающим слоем (вентильные), 2) фотосопротивления (фотоэлементы с внутренним фотоэффектом) и 3) фотоэлементы с внешним фотоэффектом (вакуумные или газонаполненные). [c.119]

Фотосопротивление (рис. 43,а) представляет собой слой полупроводникового материала (селен, сернистый кадмий и др.), нанесенный на стеклянную пластину /, в которую вставлены гребенчатые металлические электроды 2. При освещении в пластине 1 образуются свободные электроны ( внутренний фотоэффект) . Чтобы свободные электроны образовали ток, к электродам 2 необходимо приложить э. д. с. (постоянное напряжение), первичный ток электронов. Сталкиваясь с атомами вещества, первичные электроны ионизируют их, создавая вторичные свободные электроны. Этот более мощный вторичный ток проходит через нагрузку в цепи Ra. [c.88]

Явление же уменьшения электрического сопротивления полупроводника под действием света называется внутренним фотоэффектом, а основанные на этом явлении приборы — фотосопротивлениями. [c.195]

Существует два вида фотоэффекта внутренний и внешний. Первый положен в основу создания вентильных фотоэлементов и фотосопротивлений, второй — вакуумных и газонаполненных фотоэлементов. Внутренний фотоэффект (фотоэффект запирающего слоя) наблюдается при облучении кристалла полупроводника или диэлектрика, что приводит к изменению энергетического состояния электронов кристаллической решетки. Этот процесс сопровождается либо изменением подвижности или концентрации носителей заряда, либо пространственным перераспределением возникших под действием излучения разноименных зарядов ( электрон — дырка ), приводящим к накоплению их у разных электродов. Механизм внутреннего фотоэффекта объясняется зонной теорией (см. стр. 55). [c.175]

Фотосопротивления представляют собой полупроводниковые элементы действие их основано на внутреннем фотоэффекте, при котором сопротивление полупроводника зависит от его освещенности [c.505]

Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом являются фотосопротивлениями — они изменяют свою электропроводность при облучении [69, 71]. [c.137]

Полимеры с тройными связями (полиацетилены). Внутренний фотоэффект обнаружен у 50 органических полимеров (из исследованных 70) с тройными связями в цепи общей формулы К—[С=С—К1—С=С] —Н или К—[С=С] —К, где К и — органические радикалы с функциональными группами или гетероатомами. Проводимость приготовленных фотосопротивлений составляла 10 —10 ом" -см и увеличивалась под интегральным светом ртутной лампы СВД-120 на 2—3 порядка. Зависимость фототока от интенсивности света может быть выражена формулой г= скЬ , где п изменяется от 0.5 до 1. Фототок пропорционален где п близко к 2. Было установлено, что релаксация фотопроводимости имеет постоянные времени, изменяющиеся от 10 сек. до нескольких минут, и подчиняется гиперболическому закону, что свидетельствует о рекомбинационных процессах. Впервые установленная для органических полимеров быстрая составляющая фототока (10 сек.) свидетельствует о чисто электронном характере внутреннего фотоэффекта в изучаемых макромолекулярных соединениях [11]. [c.230]

Фотосопротивления представляют собою фотоэлементы с внутренним фотоэффектом. Это—обычное омическое сопротивление, состоящее из тонкого слоя полупроводника 1 (рис. 202), нанесенного на стеклянную основу 2. При освещении фотосопротивления ток, проходящий через него, увеличивается, что регистрируется гальванометром 3, включенным в цепь последовательно с батареей 4. [c.212]

Работа прибора контроля погасания пламени (рис. 415) основана на свойстве фотосопротивлений (фотоэлемент с внутренним фотоэффектом) менять собственное электрическое сопротивление при изменении интенсивности падающего на него светового потока. [c.400]

Из различных видов фотоэлектрических детекторов излучения, основанных на внутреннем и внешнем фотоэффекте (фотоэлементы, фотосопротивления, фотоумножители, счетчики фотонов, электронно-оптические преобразователи и усилители, фотодиоды), для измерений в УФ- и видимой областях спектра наибольшее распространение получили фотоэлектронные умножители (ФЭУ) и фотодиоды. [c.79]

В фотоуровнемерах используют фотоэлементы с внешни. фотоэффектом и фотоэлементы с внутренним фотоэффектом (фотосопротивления). Фотоэлементы с внешним фотоэффектом (вакуумные) применяют чаще, так как они обладают высокой стабильностью характеристик и малой инерционностью. Фотосопротивления имеют очень большую интегральную чувствитель- [c.87]

Фотоэлектрические приемники делят на приемники с внутренним фотоэффектом (фотосопротивления, фотодиоды, фототриоды) и с внещним фотоэффектом — фотоэлементы, электронно-оптические преобразователи, фотоэлектронные умножители, ночные телевизионные трубки. [c.106]

Рассмотрим кратко важнейшие параметры и характеристики трех типов приемников с внутренним фотоэффектом фотосопротивлений, фотодиодов и фототриодов. [c.130]

Размер сканирующего элемента соизмерим или даже меньше размера проекции микрообъекта. Данный метод позволяет определить не только количество частиц и их размеры, но даже, если это необходимо, получить данные об их внутренней структуре. Разрешающая способность сканирующего микроскопа определяется как разрешающей способностью оптической системы (микроскопа), так и разрешающей способностью системы сканирования и блока обработки информации. Последние два условия объясняются конечными размерами сканирующего элемента и ограниченной полосой пропускания радиоканала в блоке обработки информации. В качестве источника света в микроскопе широко используют лампы накаливания, газоразрядные источники света, а в последнее время — лазеры. Светоприемники, используемые в сканирующих микроскопах, можно разделить на два класса использующие внешний фотоэффект (фотоэлементы, фотоумножители и т. д.) и использующие внутренний фотоэффект (фотосопротивления, видиконы). [c.205]

В настоящее время в качестве приемников излучения в видимой и ультрафиолетовой областях спектра ишрокое распространение нашли устройства, основанные на использовании фотоэлектрических явлений а) внешнего фотоэффекта — вакуумные фотоэлементы б) внутреннего фотоэффекта — фотосопротивления в) фотогальванического эффекта— фотоэлементы с запирающим слоем. [c.376]

Для того чтобы лучше понять принцип действия полупроводниковых фотоэлементов, вернемся к оиисанию механизмов дырочной и электронной проводимостей. Полупроводниковый материал, электрическая проводимость которого меняется при изменении освещенности, называют фотосопротивлением. Изменение электропроводности сопротивления связано с изменением концентрации носителей под воздействием освещения. Ранее всех из фотосопротивлений были изучены селеновые, которые однако не следует путать с современными фотосопротивлениями с внутренним фотоэффектом, содержащими селен. В настоящее время фотосопротивления изготавливаются в основном из таких материалов, как сульфиды и селениды кадмия и свинца. Темновое сопротивление типичного полупроводникового фотосопротивления составляет порядка нескольких тысяч мегом, тогда как ири среднем уровне освещенности оно не превышает нескольких тысяч ом. В табл. 22.1. приведены параметры фотоэлектрических приборов различных типов. [c.298]

Приемники с внутренним фотоэффектом применяют в видимой области лишь для некоторых измерений, не требуюш их большой чувствительности и малой инерционности (селеновый фотоэлемент). Зато в инфракрасной части спектра с успехом используют фотосопротивления в виде тонких пленок на основе РЬ8, РЬТе и РЬ8е, чувствительных вплоть до 7—8 мк, а также 1п8Ь, 1пА8 и некоторые другие полупроводники либо с электронной, либо с дырочной проводимостью, меняюш,ейся под действием освещения. [c.327]

Многие П. проявляют высокую чувствительность к световому потоку. Под воздействием световой энергии в этих П. возрастает плотность носителе тока, т. е. дополнительное число электронов переходит из валентной зоны в зону проводимости (внутренний фотоэффект). Из таких П. изготовляют весьма чувствительные фотосопротивления. К этим П. относятся Se, PbS, dSe, dTe, Ge, Si и др. На основе гальваномаг-нитных явлений в П. — эффекте Холла — изготовляют магнитные датчики, генерирующие эдс при помещении их в магнитное поле. Магнитные датчики применяют для измерения напряженности постоянных и переменных магнитных полей, измерения силы тока и мощности в цепях постоянного и переменного токов. В качестве материалов для маг- [c.125]

На внутреннем фотоэффекте основаны такие приемники ИК-излучения, как фотосопротивления ФС (фоторезисторы), фотодиоды ФД и фототриоды ФТ, устройство и характеристики которых будут рассмотрены в разд. 3. 6. [c.114]

Спектральная характеристика. Изменение параметров приемника (чувствительности, порога чувствительности) в зависимости от длины волны принимаемого монохроматического излучения называется спектральной характеристикой. На рис. 3. 24 показаны спектральные характеристики современных приемников ИК-излучения с внутренним фотоэффектом. Из графиков видно, что граница чувствительности фотосопротивлений, охлаждаемых до —195°С (жидкий азот), достигает 6—7 мк у селенисто-свинцовых фотосопротивлений и 10—15 мк у германиевых приемников. Фотодиоды и фототриоды (рис. 3.24, б) работают без охлаждения и граница чувствительности их находится в пределах 0,8—2 мк. [c.136]

Приемники радиации. В видимой, ультрафиолетовой и ближней инфракрасной областях в качестве приемников радиации обычно применяют устройства, основанные на фотоэлектрических явлениях. Сюда относятся вакуумные фотоэлементы и фотоумножители (внешний фотоэффект), фотосопротивления (внутренний фотоэффект) и фотоэлементы с запирающим слоем (фо-тогальванический эффект). Характеристики всех этих приемников, обладающих значительным разнообразием и непрерывно совершенствующихся, можно найти в специальной литературе. Необходимо отметить только, что их отличительной особенностью является высокая чувствительность и малая инерционность (в наибольшей степени это относится к фотоумножителям). [c.163]

Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом носят название фотосопротивлений. Наиболее распространенные— селеновые фотосопротивления. Они имеют характеристики, аналогичные характеристикам фотоэлементов с внешним фотоэффектом. Наиболее распространенная конструкция — гребенчатая, в виде двух взаимнопрони- [c.44]

Явление эмиссии электронов положено в основу фотоэлеыюнтов с внешним фотоэффектом второе из указанных явлений лежит в основе вентильных фотоэлементов или фотоэлементов с запорным слоем третье явление (внутренний фотоэффект, или эффект фотосопротивлений) используется в селеновых и некоторых сульфидных фотоэлементах (наиболее известным, вероятно, является талофидный фотоэлемент). Для фотосопротивлений в большой степени характерны явления усталости электрический эффект Становится непропорциональным интенсивности падающего света. Третье явление в фотометрах для химических анализов используется редко. Вполне применимыми для фотометрических целей являются, повидимому, усовершенствованные недавно фотосопро тивления из сульфида свинца и селенида свинца (см. стр. 134). [c.88]