Изоляторы полупроводников

Рис. 33.1. Схема расположения энергетических зон в изоляторе, полупроводнике и металлическом проводнике о — валентная зона, б — зона проводимости.

Химия играет важную роль в решении энергетической проблемы (химические источники тока гальванические и топливные элементы, аккумуляторы), в создании соответствующих материалов для электротехнической промышленности и атомной энергетики (проводники и изоляторы полупроводники материалы и горючее для атомных реакторов и т. п.). [c.182]

Изолятор, полупроводник Полупроводник, 2,7 Металл [c.202]

В зависимости от структуры атомов и симметрии кристаллической решетки валентная зона и зона проводимости могут перекрывать рис. 75, б) пли не перекрывать друг друга (рис. 75, а). В последнем лучае между зонами имеется энергетический разрыв, именуемый запрещенной зоной. В соответствии с характером расположения и заполнения зон вещества являются диэлектриками изоляторами), полупроводниками и проводниками (металлами). Ширина запрещенной зоны Af диэлектриков составляет более 3 эВ, полупроводников — от 0,1 до 3 эВ. В металлических кристаллах вследствие перекрывания зон запрещенная зона отсутствует. [c.116]

Изолятор Полупроводник Металл [c.634]

Расположение зон (ближе или дальше друг от друга) и их заполненность электронами обусловливают свойства кристалла как диэлектрика (изолятора), полупроводника и проводника. При условии перекрывания валентной зоны и зоны проводимости вещество ведет себя как проводник. Если зоны не перекрываются, достаточно далеко удалены друг от друга и валентная зона полностью заполнена электронами, вещество проявляет свойства диэлектрика. Энергетический разрыв между зоной проводимости и валентной зоной называется запрещенной зоной. Количественно способность веществ проводить электрический ток оценивается по ширине запрещенной зоны Е. У диэлектриков ширина запрещенной зоны выше 3 эВ, у полупроводников от 3 до 0,1 эВ и у проводников (металлов) запрещенная зона отсутствует, АЕ=0 (рис. 4.15). [c.182]

Остановимся теперь на том, как зонная теория определяет различия между изоляторами, полупроводниками и металлами. Будем считать структуру полос квазинепрерывной и введем функцию с (е) — энергетическую плотность состояний [с (е) с1е — число квантовых состояний в интервале значений энергии электрона от е до е + с1г]. Для электронов в кристалле эта функция имеет вид, схематически представленный на рис. 26, а. На рис. 26, б для сопоставления дана кривая [c.186]

Система функций Фг(г) не полна. Поэтому для нахождения всех решений уравнения Шредингера нужно исходить из нескольких пробных функций, выбранных так, чтобы совокупность всех решений образовывала полную систему. В зависимости от того, будет ли при этом валентная зона отделена от зоны проводимости более или менее широким интервалом или перекрываться с ней, цепь будет изолятором, полупроводником или металлом. [c.127]

Все сказанное позволяет следующим образом конкретизировать влияние носителя химическая природа носителя оказывает решающее влияние на адсорбционное равновесие между активными центрами и исходными веществами, но свойства самого АПС не зависят от носителя, будь то изолятор, полупроводник или проводник. [c.125]

Схема расположения энергетических уровней в диэлектрике (изоляторе), полупроводнике и проводнике (металле) показана на рис. 1. Косой штриховкой изображены заполненные уровни электронов, прочно связанные с решеткой твердого тела, а прямой — свободные уровни электронов, или уровни проводимости. Электроны проводимости свободно передвигаются но всему кристаллу и служат переносчиками электрического тока. Металлы обладают наибольшим количеством электронов проводимости. [c.192]

В соответствии с характером расположения и заполнения зон вещества могут быть диэлектриками изоляторами), полупроводниками и проводниками металлами). У диэлектриков ширина запрещенной зоны кЕ составляет более 3 эв, у полупроводников от 0,1 до 3 эв. В металлических кристаллах вследствие перекрывания валентной зоны и зоны проводимости запрещенная зона отсутствует. [c.134]

Каждая из этих серий может быть разграничена по признаку полупроводимости окислов, а именно для первой реакции полупроводники /0-типа>изоляторы> полупроводники л-типа для второй реакции р-полупроводники>п-полупровод-ники>изоляторы. Кроме того, закономерности активностей этих окислов могут быть также поняты с точки зрения граничного электронного слоя при хемосорбции на них кислорода. [c.80]

Одним из способов уменьшения экстракции является создание структуры типа металл—изолятор—полупроводник. Фишер предложил нанести на поверхность кристалла селенида цинка пленку фтористого цинка, который имеет очень широкую запрещенную зону 78]. Пленка была получена путем кипячения во фтористоводородной кислоте, насыщенной фтористым цинком. На пленку наносили металлический контакт с большой работой выхода чем выше была работа выхода, тем при меньших напряжениях можно было наблюдать свечение. [c.47]

Итак, полимерные тела, построенные на основе ковалентных связей, занимают среднее положение между ионными солями и металлами, причем переход от одного класса соединений к другому происходит постепенно по мере увеличения степени ионности или металлического характера связи. В табл. 6 приведены значения удельного сопротивления и ширины запрещенной зоны при комнатной температуре для изоляторов, полупроводников и проводников электричества, а также для взятых в качестве примера элементов IV группы периодической системы. [c.46]

Изолятор. . . Полупроводник Проводник. . Алмаз. . . . Кремний. . . Германий. . . Олово (серое) Олово (белое) [c.47]

Металлы, изоляторы, полупроводники. Зонная структура энергетического спектра электронов объясняется применением квантовой теории к твердому телу. Однако к зонной модели можно прийти и иным путем. [c.20]

Дальнейший прогресс в физике твердого тела связан с развитием зонной теории твердых тел — изоляторов, полупроводников и металлов [165—177]. [c.203]

Согласно выражению (1.49) при увеличении температуры ширина запрещенной зоны уменьшается из-за увеличения концентрации носителей тока. Это увеличение ведет к уменьшению искажения, что в свою очередь еще уменьшает запрещенную зону и т.д., пока запрещенная зона окончательно не захлопнется. Выше некоторой критической температуры Тс А О)/К, значение которой зависит от АДО) и силы электрон-фононного взаимодействия К), искажение решетки полностью исчезает. Помимо наблюдаемых при Т = Тс кристаллографических изменений данное соединение будет проявлять фазовый переход изолятор (полупроводник) — металл (рис. 1.37). [c.53]

Для хорошего функционирования ИСПТ между проводниками к электроду сравнения и к полупроводниковой подложке должно быть приложено достаточно высокое входное напряжение Ус. Это вызвано тем, что разность потенциалов между поверхностью и внутренней областью подложки должна быть достаточно велика для образования проводящего канала п-типа на границе раздела изолятор — полупроводник. Этот капал служит проводником между коллектором 1 и эмиттером 2 электронов, которые связаны с полупроводником посредством р—п-перехода. При наложении напряжения между коллектором и эмиттером в коллекторе начинает протекать потребляемый ток /о. В определенных условиях потребляемый ток является [c.89]

Жидкости и твердые тела по электропроводности могут быть разделены на следующие категории изоляторы, полупроводники, проводники с ионной проводимостью, металлические проводники, сверхпроводники. [c.134]

В соответствии с характером расположения и заполнения зон вещества являются диэлектриками (изоляторами), полупроводниками и проводниками (металлами). Шащна запрещенной зоны АЕ диэлектриков составляет более 3 эв, полупроводников — от 0,1 эв до [c.149]

Разумеется, все это не могло не отразиться на свойствах полученного кремния. Но стоило тщательно очистить его от посторонних примесей, помочь ему стать самим собой, II самый обыкновенный элемент Земли предстал перед учеными в совершенно новом качестве. Он оказался полупроводником, веществом, электронная проводимость которого значительно меньше, чем у металлов, но больпге, чем у изоляторов. Полупроводники, и в иервую очередь кремниевые, широко применяются во многих отраслях современной техники, [c.223]

В работе Эйвена и Кузано [71] детально исследованы диоды на основе я-ZnSe с анодом из СигЗе. Селенид меди—полупроводник р-типа с узкой зоной, который незначительно растворяется в селениде цинка. Диоды изготовляли нанесением селенида меди на поверхность кристалла селенида цинка путем погружения в раствор соли меди. Между селенидом меди и проводящим селенидом цинка был сделан изолирующий слой из селенида цинка. Последний был получен либо термодиффузией меди в кристалл из слоя селенида меди, либо предварительным прогревом кристалла в парах селена перед осаждением слоя селенида меди. При этом образовывалась структура металл (или полупроводник с узкой запрещенной зоной)—изолятор — полупроводник (структура типа pin). Диоды излучали при напряжении 1,4 в при прямом смещении. При температуре 77° К в спектре излучения наблюдались полосы 1,96 2,07 2,36 и 2,68 эв. Голубая полоса превалировала в кристаллах, [c.45]

Сведения о полимерном строении цолучают, исследуя свойства растворов, 1Строение кристаллов, механические и физико-химические свойства неорганических полимеров. Структура нерастворимых полимеров, длина и углы связей, строение элементарной ячейки исследуются рентгенографическими и электронографическими методами. Неорганические вещества могут быть изоляторами, полупроводниками и проводниками электричества. Изучение электропроводности дает ценные сведения о их строении. Наблюдения за изменением теплоемкости и механических свойств полимеров в зависимости от температуры позволяют выяснить строение и свойства не только макромолекул, но иногда и надмолекулярных структур. [c.20]

В силу гибкости и сравнительной простоты молекулярных методов, а также применимости их к широкому классу систем, предлагаемый подход в рамках модели КРЭЯ может быть ис-полБЗован для исследования ЛЦ в различных кристаллах-изоляторах, полупроводниках и даже металлах (если используются молекулярные методы, разработанные для систем с открытыми оболочками). [c.267]

В изоляторе 02 или 31зН4), отделяющем мембрану от полупроводниковой подложки (обычно это проводник р-типа), возникает электрическое поле, способное увеличивать или уменьшать плотность подвижных носителей заряда (дырок) в поверхностном слое полупроводника. Когда дырки отталкиваются от границы раздела изолятор — полупроводник обратно в полупроводник, в полупроводнике возникает зона поверхностного заряда. Если разность электрических потенциалов внутри и на поверхности полупроводника достаточно велика, то на поверхности образуется избыток подвижных электронов, или, другими словами, проводящий канал п-типа. Этот канал отделен от внутренней области проводника зоной поверхностного заряда. [c.89]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология